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中芯国际将在未来3到5年内取得14纳米突破

2015-07-01 09:27 来源:电源网综合 编辑:铃铛

根据可靠消息,中芯国际已经与多家国际企业共同投资的新的集成电路研发中心,新的开发中心将主要研发新一代CMOS逻辑制程,从透露的信息来看,新的研发中心将以14纳米为研发起点,寻找一种新的技术发展方向。

中芯国际合作案未来仍有下列重点值得观察:

1、华为与高通利害关系值得关注──华为与高通虽算是长期合作夥伴,但是华为旗下的海思却是高通竞争对手之一。因此双方间的利害关系是否会影响到彼此的投入与支援程度,将是此合作案成败的关键因素。

2、Imec擅长于先进制程的前期研究,但量产经验有限──Imec为欧洲半导体先进制程/材料第一研发中心,目前也正着手研发14奈米及下一代的7奈米制程。但是Imec所研发的技术大多用于先进制程的前期研究,所以对于量产的经验提供相对有限,而且先前大多的研究结果都是用于6寸与8寸晶圆,12寸经验较为缺乏。

3、是否能取得HKMGFinFET关键技术?──半导体制程自28奈米以后,为同时满足客户对功耗与效能的要求,HKMG High K/ Metal gate)与FinFET已成为两大关键技术。此次中芯国际能否透过合作案取得相关技术,更进一步建立起自身的研发能力,将成中芯国际日后能否快速壮大的关键所在。

中芯国际作为目前国内最大的晶圆代工厂,已经能够量产制程为40/45纳米的产品,对于现下收到较多关注度的14纳米,虽然还没有实现量产,但中芯国际正在积极研究中。经过此次跨国合作,中芯国际将进一步加深对14纳米制程的了解,从而显著缩短研发时间。分析人士估计,这一合作的成果将在未来35年内显现。

标签: 中芯国际

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