英飞凌推出全新CoolMOS™C7系列超结产品

2015年5月22日，德国慕尼黑——英飞凌科技股份公司推出全新的CoolMOS™C7系列超结（SJ）MOSFET家族。该600V系列相比CoolMOS™CP可减少50%的开关损耗，在PFC、TTF和其他硬切换拓扑结构中可实现和GaN类似的性能水平。CoolMOSC7在业内率先实现1Ω/mm2的面比电阻<RDS（ON）*A>，它进一步扩展了英飞凌的最低每封装RDS（ON）产品组合，可支持客户进一步提高功率密度。全新CoolMOS系列具备超低开关损耗，适合大功率开关电源（SMPS）应用——比如服务器、电信、太阳能以及需要提高效率、降低组件成本（BoM）和总拥有成本（TCO）的工业应用。

CoolMOSC7可降低超大型数据中心和电信基站等要求提高效率和降低TCO的应用的开关损耗。CoolMOSC7可使PFC和LLC拓扑的效率分别提高0.3%—0.7%和0.1%，这有利于显著降低总拥有成本。对于2.5kW的服务器PSU，使用C7600VMOSFET可将因PSU能量损失导致的能源成本降低10%左右。

在企业服务器等关注组件和其他成本的应用中，CoolMOSC7600V器件可帮助降低磁性元件成本。由于栅极电荷和输出电容显著降低，C7的开关频率是CoolMOS™CP的两倍，但效率仅稍逊于CoolMOS™CP。这有助于最大限度缩小磁性元件尺寸，降低组件总成本。比如，开关频率从65kHz增大一倍至130kHz时，磁性元件成本可降低30%之多。

CoolMOSC7600V家族产品将在两个300毫米晶圆厂制造，可为客户提供供货保障。该家族产品囊括RDS（ON）值和封装各不相同的众多型号，首发型号包括采用极具创新性的TO-2474管脚封装的型号。这种4管脚封装它可消除因快速瞬变导致的电源电感电压降，从而将满载效率最多提高0.4%。

英飞凌副总裁兼AC/DC产品线总经理Peter·Wawer表示：“作为英飞凌高压MOSFET产品组合的一部分，全新CoolMOSC7600V家族是英飞凌预计2016年初推出的GaN器件的重要‘奠基石’。依托已实现批量生产的现成、可靠的技术，CoolMOSC7器件可最大限度降低开关损耗，实现高达200kHz的开关频率，而英飞凌的GaN技术将进一步扩大频率范围，支持新型拓扑。”

与CoolMOSC7600V形成互补、搭载行业标准管脚的英飞凌全新2EDN7524EiceDRIVER™IC，拥有两个独立的非隔离式低侧栅极驱动器，每个驱动器可支持5A的源汇峰值电流。两个通道都能实现典型的5ns上升和下降时间，而1ns的通道间延时匹配方便设置同步切换，使总驱动电流增加一倍。虽然电流增大，但输出级的RDS（ON）非常低，这可最大限度降低驱动器的功耗——即便使用非常小的栅极电阻、或者不用任何外部栅极电阻。因为驱动器IC能兼容控制和启用输入端高达-10VDC的电压，所以它能有效应对接地反弹，提高系统可靠性。

供货情况

CoolMOSC7600VMOSFET的首发型号包括采用TO-220、TO-247和TO-2474管脚封装，RDS（ON）从40mΩ到180mΩ不等的型号。采用TO-220FP、DPAK、D2PAK、ThinPAK封装，以及具备不同RDS（ON）值的型号，将在2015年第三季度推出。采用DSO-8封装的2EDN7524MOSFET驱动器将在2015年8月开始量产。更多封装和功能选项将在2015年第四季度提供。

英飞凌参加2015年德国纽伦堡电力电子系统及元器件展

在2015年5月19-21日于德国纽伦堡举行的电力电子系统及元器件展9号展厅第412号展台，英飞凌将展出CoolMOSC7600V和2EDN7524MOSFET驱动器、以及其他面向创新系统的解决方案。