LLC整机效率低？可能是MOS管惹的祸

LLC谐振适用于高密度且具有高频设计要求的电路。由于不存在反向恢复的问题，所以开关损耗也异常的小。虽然LLC电路本身拥有高效低耗的优点，但是这并不意味着其在任何情况下都能最大程度上降低损耗，在一些情况下如果设置不当反而会导致正激的效率低下。

本文以一个电力操作电源的温升测试为基础，分析了一种MOS管替换不当的情况下，LLC电路导致整机效率低下的例子。

在对MOS管进行替换之后整机功耗下降了8W，下面就来分析一下问题所在。

测试之前先对MOS管的参数进行一下对比。

调试使用的是IRFP460，做替代料的是UF460。这两根管子从电容参数RDS on角度来看还是IRFP460占优势。但这里有一个在LLC拓扑上非常关键的参数，Trff也就是反并联二极管的反向恢复时间，UF460优秀很多。

因为LLC是零压开通，近似零电流关断，所以MOS管输入输出电容就算较高也跟效率关系不大。

在LLC拓扑中，反并联二极管的关断速度是一个非常关键的参数，如果Trff大，可以试着将死区时间延长。 如果Trff时间长，死区不够的情况下，甚至连效率都谈不上。在大动态情况下就很容易炸机。

MOS管并联二极管Trff在LLC拓扑中的关键作用

图1、图2、图3给出了MOS管并联二极管Trff时，在LLC拓扑中的关键作用，并配合电路图给出了相应的文字解释，帮助大家理解。

若MOS管反并联二极管的Trff太长，并且在谐振腔电流换流完成之后还没有关断，那么久相当于MOS管短路了，就会直接炸机。

本篇文章对LLC电路中MOS管的替换对整机效率的影响，并给出了对比数据。在最后，给出了MOS管并联二极管Trff在LLC拓扑中的关键作用分析。这些知识点很难在教科书中得到体现，是只能通过不断的实践和实验得出的结果，希望能对大家有所帮助。