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东京—东芝公司(TOKYO：6502)旗下的半导体&存储产品公司今天宣布推出40V电压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)“U-MOS IX-H”系列。相比东芝传统的U-MOS VI-H系列，新系列减少了76%的导通电阻，实现业界顶级的低导通电阻[1]。此外，它还减少了Qoss[2]的增加，从而提高开关电源的效率。样品出货即日起启动。
注：
· [1]截至2014年11月4日。东芝调查。
· [2]Qoss：输出电荷。
主要特性
· 业界顶级的低导通电阻：0.85mΩ(最大值)
· 业界顶级的低RDS(ON)・Qoss：60mΩ・nC
应用
适用于服务器和电信基站的高效开关电源
主要规格
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