安森美用于智能手机及平板电脑的两款新的MOSFET器件

推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN) 推出两款新的MOSFET器件，用于智能手机及平板电脑应用，作为锂离子电池充电/放电保护电路开关的关键组成部分。EFC6601R和EFC6602R帮助设计人员减小方案尺寸、提升能效及将电池使用时间延至最长。

单节及双节锂离子电池充电/放电保护电路因高性能倒装芯片MOSFET而受益

这两款器件符合RoHS指令，适合于单节及双节锂离子电池应用，提供领先业界的导通阻抗 (RDS(on))性能水平，使用平面栅格阵列 (LGA) 结构，以提供小型的低高度设计，使其适合用于通常空间受限的智能手机及平板电脑应用。EFC6601R的额定最大源极至源极电压 (VSSS) 为24伏 (V)，EFC6602R的额定最大VSSS为12 V。两款器件都采用2.5 V供电电压工作，采用共漏极结构，包含内置保护二极管。

安森美半导体的三洋半导体产品部 MOS 产品总经理秋庭隆史说：“自从锂离子电池面市以来，安森美半导体一直在开发及提供充电/放电保护电路开关 MOSFET。我们积累的专知和技术使我们能够开发出这些微型器件，更进一步延长电池使用时间及提升能效。”

安森美半导体计划在年内再增添5款EFC系列MOSFET器件，帮助从事更宽广范围的移动设备设计人员实现减小方案尺寸及延长电池使用时间的应用目标。

封装及价格

EFC6601R及EFC6602R采用无卤素EFCP封装，每5,000片批量的单价分别为0.80 和1.00美元。

关于安森美半导体

安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)致力于推动高能效电子的创新，使工程师能够减少全球的能源使用。公司全面的高能效电源和信号管理、逻辑、分立及定制方案阵容，帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独特设计挑战。公司运营敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质项目，及在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的业务网络。