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采用InnoSwitch™3的终极反激电源解决方案

PI公司 2017-12-21

咨询:xxbw6868 InnoSwitch3相比之前的InnoSwitch的产品性能上做了哪些比较大的提升?比如空载空耗,效率等方面提升了多少? 17-11-06 12:42
回复:阎金光 最直接的性能表现就是效率的提升。我们对初次级开关的开关时序进行了优化同时引入了准谐振的开关方式。再者由于其采用了不同于前一代产品的控制方式,消除了电源中音频噪声的出现,从而可以输出更高的输出功率。最后,在封装方面进行了改善,使得IC更加适合于小体积电源的设计。
17-12-21 10:59
咨询:zhucanchun 工程师可以利用高效率降低元器件的成本,从而降低整个适配器的成本。这是为什么了? 17-11-06 20:48
回复:阎金光 有时客户并不需要94%的高效率。假设客户只需要满足90%的效率指标要求。那么意味着客户可以选用更小体积的变压器、更细的输出电缆、更便宜的输出整流MOSFET,从而可以牺牲效率而转换为整个电源以更低的成本来实现。即实现了系统成本的优化。
17-12-21 10:59
咨询:linger223 三种不同的InnoSwitch3子系列各有什么不同 17-12-18 15:09
回复:阎金光 CE主要做有恒流特性要求的应用,比如充电器。
CP主要针对有恒功率特性的应用,比如快充应用。
EP主要针对仅有过流要求的应用,其MOSFET耐压也更高,适合于嵌入式电源的应用。
17-12-21 10:59
咨询:zhuxuanwei PI芯片在大功率方面是哪个系列的IC,有没有具体的功率选型表 17-11-06 12:48
回复:阎金光 大功率的IC我们有Hiper系列的产品,可以参考我们的网站。HiperPFS 用于PFC应用;HiperLCS用于LLC的拓扑应用; HiperTFS用于双管正激的应用。另外还具有类似于碳化硅特性的Qspeed二极管系列。
17-12-21 10:58
咨询:kangliao 每个子系列都应对不同的市场应用进行了细分优化,为什么需要分化? 17-11-06 12:53
回复:阎金光 不同应用的特点有所差异。比如充电器应用,要求电源具有恒流输出特性,而快充应用有时又要恒功率输出特性,而这两种应用一般来说650 V的MOSFET耐压就够了。对于家电等嵌入式电源的应用,其更在意更高的耐受雷击余量,因而我们集成的是725 V的MOSFET,使得其可靠性更高。不同子系列针对不同的应用,使得客户的设计更具性价比。
17-12-21 10:58
咨询:zhuxuanwei 工作在哪个模式里? 17-11-06 12:50
回复:阎金光 IC会根据具体输入电压及负载条件进行各个模式间的自动无缝切换,无论CCM、DCM还是准谐振的QR均不用设计人员担心。
17-12-21 10:58
咨询:tabing_dt InnoSwitch3最大功率可以做到多大,之前的版本最大功率只能够到25W,还有这款内部是否有集成PFC功能的电路? 17-11-06 12:56
回复:阎金光 目前如果不采用前级PFC情况下,可以做到宽电压输入范围的55 W的输出功率。因其独特控制方式,不必担心音频噪音问题,进而其输出功率可以更大。
这款IC不具备PFC功能。
17-12-21 10:55
咨询:gdpjsx 内部有集成MOSFET么,电压是多少的?? 17-11-09 21:37
回复:阎金光 内部有集成初级侧的功率MOSFET。CE、CP系列的是650 V耐压。EP系列的是725 V耐压MOSFET。
17-12-21 10:53
咨询:zhyouer 可以满足5000米海拔(9.5mm爬电间距)的CQC要求吗? 17-11-09 11:19
回复:阎金光 Insop封装提供大于11 mm的爬电间距要求,因而可以轻松满足。
17-12-21 10:53
咨询:zhuguixia PI的InnoSwitch3系列除了高效以外,元器件的数量也比较少,这样适合在体积限制的场合,那它会不会对外围的元器件有选择性? 17-11-06 18:16
回复:阎金光 该系列IC还是采用传统电源中的次级侧反馈的控制方式,及输出电压和电流均在次级侧进行采样反馈,因而不会像初级侧反馈控制方式一样其特性受外围元件影响。所不同的是我们是利用Fluxlink进行信息传输,无需传统电源中常用的光耦。
17-12-21 10:52
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