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k6666:
SIC的导通压降更低,性能好
04-22 14:56 回复
原帖:宽禁带半导体SiC器件的损耗
k6666:
这个电流值比较大。导通压降也低。
04-22 14:55 回复
原帖:宽禁带半导体SiC器件的损耗
k6666:
集成性能稳定,功耗也低。
04-22 14:55 回复
原帖:宽禁带半导体优点
k6666:
主要是该类材料带隙比较宽。
04-22 14:54 回复
原帖:宽禁带半导体优点
k6666:
控制方式简单。
04-22 14:53 回复
原帖:tny278设计的12V电源
k6666:
频率抖动技术改善EMI、
04-22 14:53 回复
原帖:tny278设计的12V电源
k6666:
简单有效,光耦控制精度高。
04-22 14:53 回复
原帖:tny278设计的12V电源
k6666:
低成本应用典型案例
04-22 14:52 回复
原帖:tny278设计的12V电源
k6666:
新材料未来应用技术方向。
04-22 14:51 回复
原帖:Inn3168设计的20V电源
k6666:
适合全球应用需求
04-22 14:50 回复
原帖:Inn3168设计的20V电源
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