datesheet上,460需要210nc,ixys的仅需72nc

大侠果然是高手!分析的有道理!这个电容加的太大是不是会增加开关损耗呢?!我觉得会增加.小妹谢谢先!

记得晶闸管是这么触发,mos和igbt还没见过这样触发的啊!

谢谢大侠的回复,好像这个电容不是加在CE的,我觉得是加在GD起改变MIller电容的作用吧(如果是加在DS那和吸收电路就没啥两样了),试验结果表明加上这个电容器件的开通和关断速度确实变慢了,振荡也小些了,只是不知道什么原理.

大侠说得很有道理,谢谢!我对器件的制造工艺不懂.不过您说的“要求dv/dt要足够小.主要原因是IXYS的绝缘栅镀铝层太薄,造成栅寄生内阻太大.从元件层面看,离栅远的MOS单元该开是开不起;该关时关不掉.这是炸机的根本原因”和您出的第二个解决方案向矛盾啊,强触发时dv/dt更大啊,那不更容易损坏?IRFP460和IXYS管子的参数表面上看开关速度差的很多,我总觉得IR公司的产品既然速度慢还挺有市场,管子内在结构必然有其独特优点,只是不知是什么.愿大侠赐教!!谢谢

大侠回答的有点对头,测试波形发现加上这个电容管子2端波形变化缓慢了些,不加电容到也能工作.460本身的开关速度就很慢了,难道这是人为使它变慢的?盼望回帖.

直接串就可以了,没啥特殊的

哥们说反了吧,rc时间常数是周期的1/5左右,也就是在开关周期内rc必须放电完毕为下个周期的吸收做好准备.

一台10kw的直流电源也值得吹?我们100kw的单位功率因数pwm整流器都卖了好几台了.

夜深了,自己先顶顶