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北京晶川电子 2017-08-10
| 咨询：DHTCEL | 1，充电桩市场信息共享。 2，从市场以及行内的需求指出充电桩后续的技术发展趋势 3，直流充电桩目前常用的技术拓扑分析以及英飞凌对应的一站式器件解决方案推荐。 4，晶川电子基于IFX最新IGBT单管以及SIC MOSFET的充电桩参考设计方案简介 5，英飞凌产品在直流充电桩市场的一站式解决方案主要优势。 |
| 回复：晶川专家 陈战国 |
你好！ 有兴趣可以联系我司相互学习和探讨 |
| 咨询：已是悬崖百丈冰 | EMI测试怎么样？ |
| 回复：晶川专家 陈战国 |
你好！，您指的器件，还是方案？ |
| 咨询：wh_zhouyoung | 請問英飛凌有做GnA MOSFET嗎？ |
| 回复：晶川专家 陈战国 |
目前还没有做，主要推荐SIC MOSFET，相对GnA的器件，SIC的热导率会更好 |
| 咨询：Dong东 | 技术拓扑分析以及英飞凌对应的一站式器件解决方案推荐 |
| 回复：晶川专家 陈战国 |
你好！有兴趣欢迎联系我司，相互学习和探讨 |
| 咨询：yangsanying | 请问英飞凌SIC MOSFET性价比在哪方面？ |
| 回复：晶川专家 陈战国 |
你好！英飞凌是全球最大的SI IGBT 的供应商，我们把这些应用经验应用到了SIC MOSFET 器件上，在一些参数上是有区别的，有兴趣可以进一步探讨 |
| 咨询：lixue2017 | 英飞凌器件对比其他品牌产品在充电桩产品使用中效率提升优势？ |
| 回复：晶川专家 陈战国 |
你好，主要是器件的特性，比如开通关断损耗，高频特性，封装技术都可以带来效率的提升 |
| 咨询：yangweiping | 英飞凌的解决方案与其他厂商的解决方案明显的优势在哪里？ |
| 回复：晶川专家 陈战国 |
你好！首先是英飞凌提供一整套高性能的器件解决方案，其次是英飞凌广泛的市场应用经验 |
| 咨询：yangweiping | 英飞凌的IGBT能够做到多大功率，内压及电流多大？ |
| 回复：晶川专家 陈战国 |
你好，目前1200V 单管可以做到75A的电流等级，应用了3PIN 及4PIN 2种散热封装 |
| 咨询：75088882 | 晶川电子基于IFX最新IGBT单管以及SIC MOSFET的充电桩参考设计方案 技术支持深度？ |
| 回复：晶川专家 陈战国 |
你好！基于这两个器件的参考设计都在进行之中，也欢迎有兴趣的朋友一起相互交流，相互学习，共同提高。 |
| 咨询：雪中小百合 | 英飞凌高压1700V量产了吗？？ |
| 回复：晶川专家 陈战国 |
你好！ 你指的是单管吗？ 只有1200V, 模块我们有1700V的产品 |
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