您好, 登录| 注册|
论坛导航
您好, 登录| 注册|
子站:
商城:
MOSFET      共有132个资源
  • 绝缘栅型场效应管之图解

    上传时间:2018-10-17| 资源大小:239KB| 下载量:1| 上传者:YUHM

    【摘要】绝缘栅型场效应管是一种利用半导体表面的电场效应,由感应电荷的多少改变导电沟道来控制漏极电流的器件,它的栅极与半导体之间是绝缘的,其电阻大于1000000000Ω。增强型:VGS=0时,漏源之间没有导电沟道,在VDS作用下无iD。耗尽型:VGS=0时,漏源之间有导电沟道,在VDS作用下iD。

    标签: MOSFET |

    立即下载
  • 几种MOS管“击穿”,你了解吗?

    上传时间:2018-10-17| 资源大小:183KB| 下载量:14| 上传者:YUHM

    【摘要】MOSFET的击穿有哪几种?Source、Drain、Gate,场效应管的三极:源级S 漏级D 栅级G。先讲测试条件,都是源栅衬底都是接地,然后扫描漏极电压,直至Drain端电流达到1uA。所以从器件结构上看,它的漏电通道有三条:Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。

    标签: MOSFET |

    立即下载
  • NMOS和PMOS有什么区别?

    上传时间:2018-10-15| 资源大小:203KB| 下载量:4| 上传者:YUHM

    【摘要】NMOS英文全称为N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思为N型金属-氧化物-半导体,而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管。 MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路,由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路,由PMOS管组成的电路就是PMOS集成电路,由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路,即CMOS电路。

    标签: MOSFET |

    立即下载
  • MOSFET选择策略详解

    上传时间:2018-10-15| 资源大小:236KB| 下载量:5| 上传者:YUHM

    【摘要】在70年代晚期推出MOSFET之前,晶闸管和双极结型晶体管(BJT)是仅有的功率开关。BJT是电流控制器件,而MOSFET是电压控制器件。在80年代,IGBT面市,它仍然是一种电压控制器件。MOSFET是正温度系数器件,而IGBT则不一定。

    标签: MOSFET |

    立即下载
  • MOS管栅极驱动电阻如何优化设计

    上传时间:2018-10-11| 资源大小:426KB| 下载量:15| 上传者:YUHM

    【摘要】MOS管的驱动对其工作效果起着决定性的作用。设计师既要考虑减少开关损耗,又要求驱动波形较好即振荡小、过冲小、EMI小。这两方面往往是互相矛盾的,需要寻求一个平衡点,即驱动电路的优化设计。驱动电路的优化设计包含两部分内容:一是最优的驱动电流、电压的波形;二是最优的驱动电压、电流的大小。在进行驱动电路优化设计之前,必须先清楚MOS管的模型、MOS管的开关过程、MOS管的栅极电荷以及MOS管的输入输出电容、跨接电容、等效电容等参数对驱动的影响。

    标签: MOSFET |

    立即下载
  • 二极管、三极管、MOS管常用封装实物图

    上传时间:2018-10-11| 资源大小:1.16MB| 下载量:17| 上传者:YUHM

    【摘要】电子元器件有着不同的封装类型,不同类的元器件外形虽然差不多,但内部结构及用途却大不同,譬如TO220封装的元件可能是三极管、可控硅、场效应管甚至是双二极管。TO-3封装的元器件有三极管,集成电路等。今天我们就来盘点一下常见的二极管、三极管、MOS封装类型,下图含精确尺寸。

    标签: MOSFET | 三极管 |

    立即下载
  • mos管开关电路图大全

    上传时间:2018-10-11| 资源大小:561KB| 下载量:24| 上传者:YUHM

    【摘要】mos管开关电路图(一) 图中电池的正电通过开关S1接到场效应管Q1的2脚源极,由于Q1是一个P沟道管,它的1脚栅极通过R20电阻提供一个正电位电压,所以不能通电,电压不能继续通过,3v稳压IC输入脚得不到电压所以就不能工作不开机!

    标签: MOSFET |

    立即下载
  • 高功率密度碳化硅MOSFET软开关三相逆变器损耗分析

    上传时间:2018-10-09| 资源大小:2.36MB| 下载量:5| 上传者:YUHM

    【摘要】相比硅 IGBT,碳化硅 MOSFET 拥有更快的开关速度和更低的开关损耗。 碳化硅 MOSFET 应用于高开关频率场合时其开关损耗随着开关频率的增加亦快速增长。 为进一步提升碳化硅 MOSFET 逆变器的功率密度,探讨了采用软开关技术的碳化硅 MOSFET 逆变器。 比较了不同开关频率下的零电压开关三相逆变器及硬开关三相逆变器的损耗分布和关键无源元件的体积, 讨论了逆变器效率和关键无源元件体积与开关频率之间的关系。 随着开关频率从数十 kHz 逐渐提升至数百 kHz,软开关逆变器不仅能够维持较高的转换效

    标签: MOSFET |

    立即下载
  • MOSFET、IGBT驱动集成电路及应用.part4

    上传时间:2018-09-26| 资源大小:4.36MB| 下载量:10| 上传者:YUHM

    【摘要】《MOSFET/IGBT驱动集成电路及应用》主要介绍了同步整流式、双端输出式、半桥式和推挽式四个常用系列的MOSFET/IGBT驱动集成电路的电性能参数、引脚引线、外形封装和内部原理方框图,重点给出了它们在开关稳压电源(PWM驱动及同步整流)、功率因数校正(PFC)、电动机驱动智能控制(无极调速和变频调速)和电源管理(高端和低端开关)等方面的典型应用电路。 本书共分为四卷,需全部下载方可解压。

    标签: MOSFET |

    立即下载
  • MOSFET、IGBT驱动集成电路及应用.part3

    上传时间:2018-09-26| 资源大小:7.00MB| 下载量:9| 上传者:YUHM

    【摘要】《MOSFET/IGBT驱动集成电路及应用》主要介绍了同步整流式、双端输出式、半桥式和推挽式四个常用系列的MOSFET/IGBT驱动集成电路的电性能参数、引脚引线、外形封装和内部原理方框图,重点给出了它们在开关稳压电源(PWM驱动及同步整流)、功率因数校正(PFC)、电动机驱动智能控制(无极调速和变频调速)和电源管理(高端和低端开关)等方面的典型应用电路。 本书共分为四卷,需全部下载方可解压。

    标签: MOSFET |

    立即下载
1 2 3 4 5 6 下一页 
datasheet
客服热线
服务时间:周一至周五9:00-18:00
微信关注
免费技术研讨会
获取一手干货分享

互联网违法不良信息举报

Reporting Internet Illegal and Bad Information
editor@netbroad.com
022-58392381