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技术      共有67个资源
  • 几种MOS管“击穿”,你了解吗?

    上传时间:2018-10-17| 资源大小:183KB| 下载量:2| 上传者:YUHM

    【摘要】MOSFET的击穿有哪几种?Source、Drain、Gate,场效应管的三极:源级S 漏级D 栅级G。先讲测试条件,都是源栅衬底都是接地,然后扫描漏极电压,直至Drain端电流达到1uA。所以从器件结构上看,它的漏电通道有三条:Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。

    标签: MOSFET |

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  • PWM逆变器双环控制技术研究

    上传时间:2018-10-16| 资源大小:566KB| 下载量:4| 上传者:YUHM

    【摘要】分析比较了单相 PWM 逆变器电感电流内环电压外环和电容电流内环电压外环两种双环控制方式,重点研究了电容电流内环电压外环双环控制。依据电流内环所采用调节器的不同,分别讨论了电流内环采用 P 调节器、电压外环为 PI 调节器和电流内环、电压外环均为 PI 调节器两种双环控制方式。采用极点配置的方法设计控制器参数,仿真和实验结果表明以上两种双环控制方式均能达到较好的动、静态特性。

    标签: PWM | 逆变电源 |

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  • 基于FA13844的单端反激式开关电源

    上传时间:2018-10-16| 资源大小:399KB| 下载量:0| 上传者:YUHM

    【摘要】介绍了一种采用FA13844 电流型PWM 控制芯片实现的多路输出单端反激式开关电源,根据设计要求给出了该电源的设计步骤及电路参数,并对其性能进行了实脸,结果表明该电源具有较高的可靠性和德定性,且输出纹波小。

    标签: 反激 |

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  • NMOS和PMOS有什么区别?

    上传时间:2018-10-15| 资源大小:203KB| 下载量:2| 上传者:YUHM

    【摘要】NMOS英文全称为N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思为N型金属-氧化物-半导体,而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管。 MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路,由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路,由PMOS管组成的电路就是PMOS集成电路,由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路,即CMOS电路。

    标签: MOSFET |

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  • MOSFET选择策略详解

    上传时间:2018-10-15| 资源大小:236KB| 下载量:4| 上传者:YUHM

    【摘要】在70年代晚期推出MOSFET之前,晶闸管和双极结型晶体管(BJT)是仅有的功率开关。BJT是电流控制器件,而MOSFET是电压控制器件。在80年代,IGBT面市,它仍然是一种电压控制器件。MOSFET是正温度系数器件,而IGBT则不一定。

    标签: MOSFET |

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  • 逆变缓冲电路和隔直电容的参数如何计算?

    上传时间:2018-10-11| 资源大小:540KB| 下载量:9| 上传者:YUHM

    【摘要】通过对一台全桥式IGBT 逆变手弧焊电源缓冲电路和隔直电容的参数计算, 介绍了缓冲电路和隔直电容的参数计算方法。 IGBT逆变式手弧焊电源是一种新型弧焊电源, 由主电路、控制电路和驱动与保护电路三部分组成。其中逆变主电路采用全桥式, 如图1所示。本电源的设计要求为输出空载电压70 V, 频率25kH z, 额定功率10 kW, 效率85%。全桥式逆变器由功率开关管IGBT1 ~ IGBT4和高频变压器等主要器件组成; IGBT 的4个缓冲电路由RC 组成,是为了避免4个IGBT 在关断时产生过高的电压上升

    标签: 逆变电源 | 电源模块 |

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  • 2KW逆变侧功率管的损耗如何进行计算详细公式

    上传时间:2018-10-11| 资源大小:406KB| 下载量:6| 上传者:YUHM

    【摘要】本文档的主要内容详细介绍的是2KW逆变侧功率管的损耗如何进行计算详细公式免费下载。

    标签: 逆变电源 |

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  • MOS管栅极驱动电阻如何优化设计

    上传时间:2018-10-11| 资源大小:426KB| 下载量:12| 上传者:YUHM

    【摘要】MOS管的驱动对其工作效果起着决定性的作用。设计师既要考虑减少开关损耗,又要求驱动波形较好即振荡小、过冲小、EMI小。这两方面往往是互相矛盾的,需要寻求一个平衡点,即驱动电路的优化设计。驱动电路的优化设计包含两部分内容:一是最优的驱动电流、电压的波形;二是最优的驱动电压、电流的大小。在进行驱动电路优化设计之前,必须先清楚MOS管的模型、MOS管的开关过程、MOS管的栅极电荷以及MOS管的输入输出电容、跨接电容、等效电容等参数对驱动的影响。

    标签: MOSFET |

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  • 高功率密度碳化硅MOSFET软开关三相逆变器损耗分析

    上传时间:2018-10-09| 资源大小:2.36MB| 下载量:5| 上传者:YUHM

    【摘要】相比硅 IGBT,碳化硅 MOSFET 拥有更快的开关速度和更低的开关损耗。 碳化硅 MOSFET 应用于高开关频率场合时其开关损耗随着开关频率的增加亦快速增长。 为进一步提升碳化硅 MOSFET 逆变器的功率密度,探讨了采用软开关技术的碳化硅 MOSFET 逆变器。 比较了不同开关频率下的零电压开关三相逆变器及硬开关三相逆变器的损耗分布和关键无源元件的体积, 讨论了逆变器效率和关键无源元件体积与开关频率之间的关系。 随着开关频率从数十 kHz 逐渐提升至数百 kHz,软开关逆变器不仅能够维持较高的转换效

    标签: MOSFET |

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  • 常用全系列场效应管\_MOS管型号参数封装资料

    上传时间:2018-09-10| 资源大小:156KB| 下载量:14| 上传者:YUHM

    【摘要】MOS管型号参数封装资料

    标签: MOSFET |

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