以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带（第三代）半导体凭借优异的物理特性，天然适合制作高压、高频、高功率的半导体器件。可以说，宽禁带半导体能实现硅材料难以实现的功能，也能在部分与硅材料交叉的领域达到更高的性能和更低的系统性成本，被视为后摩尔时代材料创新的关键角色。GaN有着更强的成本控制，SiC则能够胜任更极限的环境条件。对于“谁是宽禁带材料的未来”的这件事，仁者见仁智者见智。