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高功率电力电子之宽禁带功率半导体发展(下)

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标签: MOSFET
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    【摘要】低压降线性稳压器 (LDO) 在输出噪声情况下可提供极佳的性能和电源抑制比 (PSRR)。 这款 LDO 使用一个先进的双极 CMOS (BiCMOS) 工艺和一个功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (PMOSFET) 无源器件来实现极低噪音、出色瞬态响应和极佳的 PSRR 性能。

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  • 120V引导3A峰值高频率高端/低端驱动器

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  • 3V、6A、超低电阻负载开关

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    【摘要】该型号是一款小型,超低 RON,单通道负载开关,此开关具有受控开启功能。 此器件包含一个可在 0.8V 至 5.5V 的输入电压范围内运行的 N 通道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET),并且支持 6A 的最大持续 电流。

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