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高功率电力电子之宽禁带功率半导体发展(下)

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标签: MOSFET
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  • 3V、6A、超低电阻负载开关

    上传时间:2017/10/19 资源大小:1.73MB

    【摘要】该型号是一款小型,超低 RON,单通道负载开关,此开关具有受控开启功能。 此器件包含一个可在 0.8V 至 5.5V 的输入电压范围内运行的 N 通道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET),并且支持 6A 的最大持续 电流。

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  • 5.7V、6A、16mΩ 导通电阻负载开关

    上传时间:2017/09/14 资源大小:1.42MB

    【摘要】每个器件都是一款单通道负载开关,可提供可配置的上升时间来尽量减小浪涌电流。此器件包括一个 N 通道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET),可在 0.6 V 至 5.7V 的输入电压范围内运行并可支持 6A 的最大持续电流

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  • 具有快速输出放电的超低导通电阻、6A 负载开关

    上传时间:2017/07/12 资源大小:1KB

    【摘要】该型号是一款小型,超低 RON,单通道负载开关,此开关具有受控开启功能,包含一个可在 0.8V 至 3.5V 输入电压范围内运行的 N 通道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET),并且支持最大 6A 的持续电流。

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  • 具有过压保护和阻断 FET 控制功能的 12V 电子熔丝

    上传时间:2017/10/19 资源大小:1.81MB

    【摘要】该系列电子熔丝是采用小型封装的高度集成电路保护和电源管理解决方案。 该器件使用极少的外部组件并可提供多重保护模式。 它们能够有效地防止过载、短路、电压浪涌、过高浪涌电流和反向电流。

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  • 具有 4A/2MHz VDDQ DC/DC 转换器

    上传时间:2017/09/27 资源大小:1.52MB

    【摘要】该器件是一款功能全面的 6V、4A 同步降压转换器,其配有两个集成型 MOSFET 以及带 VTTREF 缓冲参考输出的 1A 拉/灌电流双倍数据速率 (DDR) VTT 终端稳压器

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