关于初级NMOS的导通问题

有一点不明白 NMOS饱和导通的条件之一是 Vds>Vgs-VT（门槛电压）可是在开关电源的应用中假如Vgs=17V 门槛电压4V 那么Vds应该大于13V才工作在饱和区可是饱和导通时Vds不是0吗，难道这个Vds应该看导通之前的Vds电压吗，也就是市电通过整流滤波后的300V吗？

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2012-08-20 17:23

只要Vgs远大于Vgsth就能保证mos深饱和导通，这种深导通条件跟Vds关系应该不大。

LV.4

2012-08-20 17:28

@ymyangyong

只要Vgs远大于Vgsth就能保证mos深饱和导通，这种深导通条件跟Vds关系应该不大。

可是总不能教材说的都是错的吧不止一本书这么写得

2012-08-20 17:42

@q897039433

可是总不能教材说的都是错的吧不止一本书这么写得

你说的是临界饱和条件，即Vgs稍大于Vgsth且一定时，需 Vds>Vgs-Vgsth才能进入饱和工作区。Vgs=17v时MOS已深度饱和，这时候跟Vds关系就不大了

。

LV.4

2012-08-20 21:58

@ymyangyong

你说的是临界饱和条件，即Vgs稍大于Vgsth且一定时，需Vds>Vgs-Vgsth才能进入饱和工作区。Vgs=17v时MOS已深度饱和，这时候跟Vds关系就不大了[图片]。

哦原来是这样啊

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