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【问】快恢复二极管

      做PFC的快恢复二极管选型依据是什么?谢谢
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2012-06-16 15:20

在二极管反向恢复时间内,MOSFET和BOOST DIODE将400V电压短路。所以反向恢复时间必须得足够快,而不至于使得PFC MOSFET的D极电流升至太高而烧掉管子。所以在很多时候,PFC的升压二极管我们一般都选用碳化硅的。

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2012-06-16 15:41
@dreamer662006
在二极管反向恢复时间内,MOSFET和BOOSTDIODE将400V电压短路。所以反向恢复时间必须得足够快,而不至于使得PFCMOSFET的D极电流升至太高而烧掉管子。所以在很多时候,PFC的升压二极管我们一般都选用碳化硅的。

我选择时,一般从下面三个方面考虑:

1、反向恢复时间----降低损耗减少发热。

2.正向耐压----避免被击穿,留有一定余量。

3.二极管封装散热---即使再快的管子也会发热,要让产生的热量散发掉

4.正向电流值

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nkzfwjf
LV.4
4
2012-06-16 23:38
@dreamer662006
在二极管反向恢复时间内,MOSFET和BOOSTDIODE将400V电压短路。所以反向恢复时间必须得足够快,而不至于使得PFCMOSFET的D极电流升至太高而烧掉管子。所以在很多时候,PFC的升压二极管我们一般都选用碳化硅的。

我调试的一500W的PFC板子,快恢复二极管用的DSEP12-12A,带功率120多W,上电一分多钟二极管就烧了,发热很烫。那二级管是1200V,12A,最快恢复时间40ns。怎么就会烧呢。

另外我在调一个3.6KW的PFC时,功率带到1KW,刚开始用的是DSEI2x61-06C(600V 2X60A),板子能正常工作。后来我换成DSEI2x101-12A(1200V,2X90A)上电10左右就烧了它。   很是不解呀

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nkzfwjf
LV.4
5
2012-06-16 23:39
@yuntaishan
我选择时,一般从下面三个方面考虑:1、反向恢复时间----降低损耗减少发热。2.正向耐压----避免被击穿,留有一定余量。3.二极管封装散热---即使再快的管子也会发热,要让产生的热量散发掉4.正向电流值
恢复时间是看其给的技术文档中的最快时间吗
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ydcman
LV.8
6
2012-06-16 23:50
@nkzfwjf
我调试的一500W的PFC板子,快恢复二极管用的DSEP12-12A,带功率120多W,上电一分多钟二极管就烧了,发热很烫。那二级管是1200V,12A,最快恢复时间40ns。怎么就会烧呢。另外我在调一个3.6KW的PFC时,功率带到1KW,刚开始用的是DSEI2x61-06C(600V2X60A),板子能正常工作。后来我换成DSEI2x101-12A(1200V,2X90A)上电10左右就烧了它。  很是不解呀
技术文档中有一个反向恢复时间Trr,一般都是NS级的,越小越好
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2012-06-17 08:53
@ydcman
技术文档中有一个反向恢复时间Trr,一般都是NS级的,越小越好
有可能是电路上没有调好,按正常的同样恢复时间的二极管大规格肯定是可以替代小规格的。
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2012-06-17 09:12
 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构,有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V),反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100纳秒以下。
  肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode),具有正向压降低(0.4--0.5V)、反向恢复时间很短(10-40纳秒),而且反向漏电流较大,耐压低,一般低于150V,多用于低电压场合。
  这两种管子通常用于开关电源。
  肖特基二极管和快恢复二极管区别:前者的恢复时间比后者小一百倍左右,前者的反向恢复时间大约为几纳秒~!
  前者的优点还有低功耗,大电流,超高速~!电气特性当然都是二极管阿~!
  快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.
  肖特基二极管:反向耐压值较低40V-50V,通态压降0.3-0.6V,小于10nS的反向恢复时间。它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓,多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的,所以,其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响仅为RC时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
  快恢复二极管:有0.8-1.1V的正向导通压降,35-85nS的反向恢复时间,在导通和截止之间迅速转换,提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.
  通常,5~20A的快恢复二极管采用TO-220FP塑料封装,20A以上的大功率快恢复二极管采用顶部带金属散热片的TO-3P塑料封装,5A一下的快恢复二极管则采用DO-41,DO-15,或D0-27等规格塑料封装。
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nkzfwjf
LV.4
9
2012-06-17 12:13
@中共中央
有可能是电路上没有调好,按正常的同样恢复时间的二极管大规格肯定是可以替代小规格的。
  应该不是电路的问题。我用600V的管子,一点问题都没。换上1200V的就烧了。那个500W的也是那样
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nkzfwjf
LV.4
10
2012-06-17 12:21
@ydcman
技术文档中有一个反向恢复时间Trr,一般都是NS级的,越小越好
  嗯是的。两种管子一个是35ns,一个是40ns。给的Trr应该是有条件要求的吧。选择的时候不仅仅是只看Trr和容量吧。要是仅靠那些的话,管子都可以的,怎么会烧呢?很迷惑没选择的标准。
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nkzfwjf
LV.4
11
2012-06-17 12:22
@电源照宝
 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构,有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V),反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100纳秒以下。  肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,简称肖特基二极管(SchottkyBarrierDiode),具有正向压降低(0.4--0.5V)、反向恢复时间很短(10-40纳秒),而且反向漏电流较大,耐压低,一般低于150V,多用于低电压场合。  这两种管子通常用于开关电源。  肖特基二极管和快恢复二极管区别:前者的恢复时间比后者小一百倍左右,前者的反向恢复时间大约为几纳秒~!  前者的优点还有低功耗,大电流,超高速~!电气特性当然都是二极管阿~!  快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.  肖特基二极管:反向耐压值较低40V-50V,通态压降0.3-0.6V,小于10nS的反向恢复时间。它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓,多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的,所以,其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响仅为RC时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。  快恢复二极管:有0.8-1.1V的正向导通压降,35-85nS的反向恢复时间,在导通和截止之间迅速转换,提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.  通常,5~20A的快恢复二极管采用TO-220FP塑料封装,20A以上的大功率快恢复二极管采用顶部带金属散热片的TO-3P塑料封装,5A一下的快恢复二极管则采用DO-41,DO-15,或D0-27等规格塑料封装。
是的。但是具体应用时的选择参考依据是什么呢
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2012-06-17 15:51

主要考虑反向恢复时间、正向耐压值、耐电流值。

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nkzfwjf
LV.4
13
2012-06-17 20:34
@糊涂一时
主要考虑反向恢复时间、正向耐压值、耐电流值。
  要是就考虑那三参数的话。为什么两个1200V的都会被烧掉,那三指标都差不多呀。是不是还得有其他指标?
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ydcman
LV.8
14
2012-06-18 08:23
@nkzfwjf
 要是就考虑那三参数的话。为什么两个1200V的都会被烧掉,那三指标都差不多呀。是不是还得有其他指标?
在同种系列中,1200V的正向压降比600V的高些,导致功耗也大些,这个可以作为解释600V不烧的理由
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2012-06-18 09:18
@nkzfwjf
 要是就考虑那三参数的话。为什么两个1200V的都会被烧掉,那三指标都差不多呀。是不是还得有其他指标?
烧掉应该是电流的峰峰值比你的耐电流大,或者是浪涌电压比你选的耐电压大造成的
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Push_Pull
LV.4
16
2012-06-18 09:58

耐压,电流,最大反向恢复时间,一般就是这个就可以了。至于其他方面,没有这3个参数重要

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nkzfwjf
LV.4
17
2012-06-18 12:04
@糊涂一时
烧掉应该是电流的峰峰值比你的耐电流大,或者是浪涌电压比你选的耐电压大造成的
  有这个可能,要不然真不知道什么原因
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nkzfwjf
LV.4
18
2012-06-18 12:06
@糊涂一时
烧掉应该是电流的峰峰值比你的耐电流大,或者是浪涌电压比你选的耐电压大造成的
 应该都没超过1200V和90A的。两边都接有大电容的
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nkzfwjf
LV.4
19
2012-06-18 12:08
@ydcman
在同种系列中,1200V的正向压降比600V的高些,导致功耗也大些,这个可以作为解释600V不烧的理由
  有这个可能。但是1200V比600V的导通压降才大0.3V最多。怎么10几秒就烧了呢。而且管子烧完也不烫。那个DSEP12-12A一分多钟烧完很烫,它的压降比较大。
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nkzfwjf
LV.4
20
2012-06-18 12:09
@Push_Pull
耐压,电流,最大反向恢复时间,一般就是这个就可以了。至于其他方面,没有这3个参数重要
嗯  对的。应该看最大反向恢复时间。
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2012-06-18 18:43
@nkzfwjf
 应该都没超过1200V和90A的。两边都接有大电容的
你电容耐压多少?击穿了吗?
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yuntaishan
LV.6
22
2012-06-18 18:55
@nkzfwjf
 有这个可能。但是1200V比600V的导通压降才大0.3V最多。怎么10几秒就烧了呢。而且管子烧完也不烫。那个DSEP12-12A一分多钟烧完很烫,它的压降比较大。
同种系列耐压高的,不仅正向压降大,而且反向恢复时间也大
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nkzfwjf
LV.4
23
2012-06-18 20:42
@糊涂一时
你电容耐压多少?击穿了吗?
电容400V。没击穿,就坏了二极管
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2012-06-19 08:24
@nkzfwjf
电容400V。没击穿,就坏了二极管
那会不会是你焊反了?
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2012-06-19 11:41
@nkzfwjf
是的。但是具体应用时的选择参考依据是什么呢
1.反向恢复时间(决定是否跟的上开关的频率) 2.反向最大击穿,电流,电压(决定正常工作取值)。3.正向击穿,电压电流。
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nkzfwjf
LV.4
26
2012-06-19 11:57
@糊涂一时
那会不会是你焊反了?
  没有焊反。我就觉得选择快恢复二极管时得有个标准。不仅仅是那三个值。具体是什么还不明白
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nkzfwjf
LV.4
27
2012-06-19 11:58
@电源照宝
1.反向恢复时间(决定是否跟的上开关的频率)2.反向最大击穿,电流,电压(决定正常工作取值)。3.正向击穿,电压电流。
  反向恢复时间是看给的技术文档的最快时间吗
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2012-06-19 12:49
@nkzfwjf
 没有焊反。我就觉得选择快恢复二极管时得有个标准。不仅仅是那三个值。具体是什么还不明白
还有温度。有加散热片吗?电流和电压是多少?
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nkzfwjf
LV.4
29
2012-06-19 13:06
@糊涂一时
还有温度。有加散热片吗?电流和电压是多少?
  都有的。600V的二极管工作没点问题,换那个1200V的一下就烧了。以前做个500W的用的DSP12-12A一分多钟也给烧了。所以觉得应该要有个选择标准什么的。
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2012-06-19 16:22
@nkzfwjf
 都有的。600V的二极管工作没点问题,换那个1200V的一下就烧了。以前做个500W的用的DSP12-12A一分多钟也给烧了。所以觉得应该要有个选择标准什么的。

额,怀疑买到假货了

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nkzfwjf
LV.4
31
2012-06-19 18:55
@糊涂一时
额,怀疑买到假货了
  嗯   换其他试试看
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