次级整流二级管功耗是最让人难以接受又必须面对的难题，MOSFET损耗做得好的很多，但二极管几
乎千篇一律的10-20R配222电容。这肯定是不对的，论坛上对此讨论也最多，但真有几个弄懂了就难说清
楚了，但凡你看市场的产品就能发现这个问题真的很严重，吸收过量产生反作用居多。究竟怎样弄才好
呢？较有代表性的文章是“心中有冰军长：【原创】电源效率讨论系列一：次级整流二极管的损耗” 反复看
了几遍，收获良多，也谈谈我的实践！
太复杂的理论往往让人难以投入，如再加上效果的不明显更难让人产生继续玩下去的兴趣，次级二极
管RC效果好，在原基础上提升效率是事实，别人的实验照搬是没有用的，RC的配置与很多因素有关，整
流二极管本身的条件是最主要的，其次是电压、电流、频率、走线、DRC位置等都有密切关系。简单的单
一实验极难体现出一个方案是否有效或能证明什么，最简单的方法是根据自己的实际情况在线探试。
我曾有一个案子，反激、频率是120KHz，调试前效率是84%，老化时3WR烧黄了电路板，在此基础上
开始调试，不加RC空、满载压差超大，不同的二极管压降不一，选压差最小的型号加小电容（470P），压
降有明显缩小，再加大到122，压降符合要求，但20R/3W电阻温度高（比以前好了很多），改C为820P，将
电阻改为10R，温度压降刚好到接受的范围。再测效率升到87%。电阻、二极管温升明显减小。个人认为
这就是RC参数的最佳配置，将3%的热量损耗换回了电能，其实效率提升不可能有那么多，最主要的是从
过量吸收中夺回了能量，20R配222电容用在120KHz明显吸收太深，降容量的目的是提高吸收点（真正需要
吸收的脉冲频段），降低电阻值的目的除增加自身功率外就是展宽吸收范围（带宽）。
从效率、温升上看我的目的达到了，我对此的认识是如没把握做到最好，浅吸收是最好的选择，至
少它不会带来副作用。
欢迎大家来啪砖，提出不同看法及你对此的认识。
