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【问】3525构成的推挽电路,如何避免磁偏?

 
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javike
LV.12
2
2012-06-06 12:06

推挽偏磁的原因是因为存在磁通不平衡有直流偏磁问题。要避免偏磁,从理论上来讲,无论是冷态还是热态,2边功率开关管的饱和压降和变压器线圈要对称,且内阻相等,同时导通时间相等。但这个条件几乎是达不到的。

我们能采取的措施是:

1. 功率管用MOS,因为MOS的导通电阻是正温度系数的,出现偏磁时,流过MOS的电流加大,导致管压降加大,减小施加在初级的电压,减少了伏秒,使不平衡减少。

2. 串固定电阻,压降大于或接近功率管压降,一般不大于0.25欧姆。

3. 磁芯采用软饱和磁化曲线的材料,即慢慢接近饱和,偏磁时,电流加大明显,线圈压降补偿功率管饱和压降的变化,但变压器不能采用矩形磁滞回线的环形磁芯。

4. 变压器设计时,初级线圈对称,同时B值选取较低,适当加点气息,使磁化曲线倾斜。通常加0.05~0.1mm气息即可。

5. 采用峰值电流控制型技术,偏磁时峰值电流加大,开关提前关断,使伏秒平衡。

6. 功率管耐压取值高些。当其中一个导通,另一个需要承受输入电源与线圈上感应电压之和。

7. 初次耦合要良好。

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zvszcs
LV.12
3
2012-06-06 12:25
@javike
推挽偏磁的原因是因为存在磁通不平衡有直流偏磁问题。要避免偏磁,从理论上来讲,无论是冷态还是热态,2边功率开关管的饱和压降和变压器线圈要对称,且内阻相等,同时导通时间相等。但这个条件几乎是达不到的。我们能采取的措施是:1.功率管用MOS,因为MOS的导通电阻是正温度系数的,出现偏磁时,流过MOS的电流加大,导致管压降加大,减小施加在初级的电压,减少了伏秒,使不平衡减少。2.串固定电阻,压降大于或接近功率管压降,一般不大于0.25欧姆。3.磁芯采用软饱和磁化曲线的材料,即慢慢接近饱和,偏磁时,电流加大明显,线圈压降补偿功率管饱和压降的变化,但变压器不能采用矩形磁滞回线的环形磁芯。4.变压器设计时,初级线圈对称,同时B值选取较低,适当加点气息,使磁化曲线倾斜。通常加0.05~0.1mm气息即可。5.采用峰值电流控制型技术,偏磁时峰值电流加大,开关提前关断,使伏秒平衡。6.功率管耐压取值高些。当其中一个导通,另一个需要承受输入电源与线圈上感应电压之和。7.初次耦合要良好。

确实电压型的就有磁通不平衡的风险,根本的解决方法换成电流型芯片。

电压型的要保证变压器初级的对称性,MOS的选型等

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2012-06-06 12:42

推挽型的电路,如果使用MOSFET作为开关管的话,因为MOSFET的正温度特性,所以导致MOSFET型的push-pull电路具有天然的抗偏磁能力

另一个方法就是采用电流型控制方式,特别值得一提的是峰值电流控制模式,专治各种偏磁,药到病除

当然还有一些push-pull的变异电路,也具有抗偏磁的能力,就像上次我提出的current-fed push-pull converter

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2012-06-06 18:42
@心中有冰
推挽型的电路,如果使用MOSFET作为开关管的话,因为MOSFET的正温度特性,所以导致MOSFET型的push-pull电路具有天然的抗偏磁能力另一个方法就是采用电流型控制方式,特别值得一提的是峰值电流控制模式,专治各种偏磁,药到病除[图片]当然还有一些push-pull的变异电路,也具有抗偏磁的能力,就像上次我提出的current-fedpush-pullconverter
,这个帖子回复很有分量,都是论坛大虾级别的,最好锁定,不要允许改动,让后来者多学习。
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2012-06-07 11:54

那就不如推挽正激电路。里面的箝位电容可以抑制偏磁。这样比设计好的变压器,优化驱动参数要好多了。

可以一篇文章,<600W推挽正激DC.DC及其偏磁研究

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SHULILEI
LV.2
7
2012-10-04 15:17
@心中有冰
推挽型的电路,如果使用MOSFET作为开关管的话,因为MOSFET的正温度特性,所以导致MOSFET型的push-pull电路具有天然的抗偏磁能力另一个方法就是采用电流型控制方式,特别值得一提的是峰值电流控制模式,专治各种偏磁,药到病除[图片]当然还有一些push-pull的变异电路,也具有抗偏磁的能力,就像上次我提出的current-fedpush-pullconverter

推挽一般不都是高压大电流吗?采样方式(用线圈?)效率?,而且电流芯片怎样限制输出电压呢?

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xsaqs
LV.5
8
2019-11-06 16:30
@javike
推挽偏磁的原因是因为存在磁通不平衡有直流偏磁问题。要避免偏磁,从理论上来讲,无论是冷态还是热态,2边功率开关管的饱和压降和变压器线圈要对称,且内阻相等,同时导通时间相等。但这个条件几乎是达不到的。我们能采取的措施是:1.功率管用MOS,因为MOS的导通电阻是正温度系数的,出现偏磁时,流过MOS的电流加大,导致管压降加大,减小施加在初级的电压,减少了伏秒,使不平衡减少。2.串固定电阻,压降大于或接近功率管压降,一般不大于0.25欧姆。3.磁芯采用软饱和磁化曲线的材料,即慢慢接近饱和,偏磁时,电流加大明显,线圈压降补偿功率管饱和压降的变化,但变压器不能采用矩形磁滞回线的环形磁芯。4.变压器设计时,初级线圈对称,同时B值选取较低,适当加点气息,使磁化曲线倾斜。通常加0.05~0.1mm气息即可。5.采用峰值电流控制型技术,偏磁时峰值电流加大,开关提前关断,使伏秒平衡。6.功率管耐压取值高些。当其中一个导通,另一个需要承受输入电源与线圈上感应电压之和。7.初次耦合要良好。
总结的非常全面!
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