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关于驱动电阻

驱动阻的选取与MOS管结电容大小、开关频率等参数有关,具体什么设计呢?
比如在全桥拓扑,spwm控制,磁环驱动条件下
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liyihang
LV.4
2
2004-08-14 16:12
书上讲一般Rg都在20欧姆以内,随开关管的容量增大而减小;但我们用时都分情况,如果驱动脉冲上升沿或下降沿有毛刺,就略微加大电阻,直到消除为止,其阻值于书上所述相差不大.不知dx们是怎么应用的.
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兰波
LV.8
3
2004-08-14 21:29
test
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莫等闲
LV.5
4
2005-10-14 16:11
驱动电阻的具体作用是什么呢?虽说是为了消除驱动脉冲上升沿的尖峰,但消除尖峰的根本目的又是什么呢? 我只知道大概是避免开关管开启太迅速而产生谐波干扰.但是,开关管开启快速点不是可以减少开启损耗吗?
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xiaodong
LV.9
5
2005-10-14 18:14
DIGN
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hippy128
LV.5
6
2005-10-14 18:27
关注中
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passanger
LV.2
7
2005-10-14 19:56
@莫等闲
驱动电阻的具体作用是什么呢?虽说是为了消除驱动脉冲上升沿的尖峰,但消除尖峰的根本目的又是什么呢?我只知道大概是避免开关管开启太迅速而产生谐波干扰.但是,开关管开启快速点不是可以减少开启损耗吗?
同时限制驱动时的电流,尤其是采用芯片输出直接驱动的,驱动电流不能超过芯片允许的驱动输出电流
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passanger
LV.2
8
2005-10-14 19:56
@莫等闲
驱动电阻的具体作用是什么呢?虽说是为了消除驱动脉冲上升沿的尖峰,但消除尖峰的根本目的又是什么呢?我只知道大概是避免开关管开启太迅速而产生谐波干扰.但是,开关管开启快速点不是可以减少开启损耗吗?
同时限制驱动时的电流,尤其是采用芯片输出直接驱动的,驱动电流不能超过芯片允许的驱动输出电流
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power_sz
LV.7
9
2005-10-14 20:18
可以改变上升和下降的斜率.
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coolwater
LV.5
10
2005-10-16 13:14
@power_sz
可以改变上升和下降的斜率.
驱动电阻太大了会坏MOS的!
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hvic
LV.4
11
2005-10-17 16:19
@coolwater
驱动电阻太大了会坏MOS的!
为什么?
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coolwater
LV.5
12
2005-10-17 19:00
@coolwater
驱动电阻太大了会坏MOS的!
太大了
影响COSS的充电!!
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hvic
LV.4
13
2005-10-18 08:58
@coolwater
太大了影响COSS的充电!!
哪为什么会坏,比如我加一个10M的电阻,会坏吗?
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莫等闲
LV.5
14
2005-10-19 10:06
@hvic
哪为什么会坏,比如我加一个10M的电阻,会坏吗?
老弟(兄),这还用问为什么,你试一试便知.
10M的电阻,什么概念!我想用10M的电阻倒不会坏MOS了,你用约几十mA的驱动电流*10M的电阻的阻值,电阻上压降多少?还有电压到MOS 的G极么?哈哈.
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hvic
LV.4
15
2005-10-19 10:48
@莫等闲
老弟(兄),这还用问为什么,你试一试便知.10M的电阻,什么概念!我想用10M的电阻倒不会坏MOS了,你用约几十mA的驱动电流*10M的电阻的阻值,电阻上压降多少?还有电压到MOS的G极么?哈哈.
但是谁会用几十mA的定电流源去驱动MOS呢,一般都是电压源的吧,而且驱动的时候,相当于一个RC电路,终归会到达电源电压值,电流会随着电压的上升而减少到零,如果不是这样,电路设计中的上拉电阻怎么能工作呢,呵呵.你说的可能是个现象,但是没有合理的解释.
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hvic
LV.4
16
2005-10-19 10:56
@莫等闲
老弟(兄),这还用问为什么,你试一试便知.10M的电阻,什么概念!我想用10M的电阻倒不会坏MOS了,你用约几十mA的驱动电流*10M的电阻的阻值,电阻上压降多少?还有电压到MOS的G极么?哈哈.
你大概是指放电电阻吧,半桥驱动时最好是分开驱动的,放电电阻越小好,因为会因为MILLER EFFECT电流产生,通过放电电阻产生电压,使原来导通的MOS self turn-on,损坏MOS.而充电电阻大了是坏不了MOS德的,你说的是这个意思吧.
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斯文败类
LV.9
17
2005-10-19 11:09
@liyihang
书上讲一般Rg都在20欧姆以内,随开关管的容量增大而减小;但我们用时都分情况,如果驱动脉冲上升沿或下降沿有毛刺,就略微加大电阻,直到消除为止,其阻值于书上所述相差不大.不知dx们是怎么应用的.
我都用100R
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power_sz
LV.7
18
2005-10-19 11:31
@hvic
哪为什么会坏,比如我加一个10M的电阻,会坏吗?
那你試一試不久知道了.如果太的話﹐導通不完全﹐會承受很大功率﹐就會炸掉.用10M的沒炸掉是因為MOS根本就沒導同通﹐沒有一點驅動.
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hvic
LV.4
19
2005-10-19 12:21
@power_sz
那你試一試不久知道了.如果太的話﹐導通不完全﹐會承受很大功率﹐就會炸掉.用10M的沒炸掉是因為MOS根本就沒導同通﹐沒有一點驅動.
这才是合理的解释,不错,我是不会去试的,呵呵
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一切隨風
LV.2
20
2005-10-19 14:53
@斯文败类
我都用100R
?
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斯文败类
LV.9
21
2005-10-19 14:57
@一切隨風
?
???
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一切隨風
LV.2
22
2005-10-19 19:04
@斯文败类
???
斯文兄,

不好意思,看錯了!
我把R看成K了,汗!!!
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斯文败类
LV.9
23
2005-10-20 08:10
@一切隨風
斯文兄,不好意思,看錯了!我把R看成K了,汗!!!
没事.我昨个还纳闷呢!我还以为自己是另类呢!
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suile97
LV.6
24
2005-10-20 09:33
@hvic
这才是合理的解释,不错,我是不会去试的,呵呵
在反激的应用中,比如对3842的启动电阻是很大的,几百K的,
不明白你们所说的驱动电阻是?
小弟刚进入这个层面?请不吝赐教!
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suile97
LV.6
25
2005-10-20 09:40
@hvic
这才是合理的解释,不错,我是不会去试的,呵呵
小弟想了想,比如在反激中(3842+MOS),是不是3842的输出级与MOS的栅极之间的电阻?
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earthkid
LV.2
26
2005-10-20 11:09
@suile97
在反激的应用中,比如对3842的启动电阻是很大的,几百K的,不明白你们所说的驱动电阻是?小弟刚进入这个层面?请不吝赐教!
我想就是接在串接在g短的电阻吧
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earthkid
LV.2
27
2005-10-20 11:14
@莫等闲
驱动电阻的具体作用是什么呢?虽说是为了消除驱动脉冲上升沿的尖峰,但消除尖峰的根本目的又是什么呢?我只知道大概是避免开关管开启太迅速而产生谐波干扰.但是,开关管开启快速点不是可以减少开启损耗吗?
好像是抑制寄生震荡吧
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icelgb
LV.4
28
2005-10-22 14:31
@莫等闲
驱动电阻的具体作用是什么呢?虽说是为了消除驱动脉冲上升沿的尖峰,但消除尖峰的根本目的又是什么呢?我只知道大概是避免开关管开启太迅速而产生谐波干扰.但是,开关管开启快速点不是可以减少开启损耗吗?
是防止在上升沿时L与极间电容产生的寄生振荡!
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samy
LV.5
29
2005-10-22 16:53
@suile97
小弟想了想,比如在反激中(3842+MOS),是不是3842的输出级与MOS的栅极之间的电阻?
是的,與啟動電阻是兩個概念.
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jinli_dash
LV.5
30
2007-05-29 09:36
@samy
是的,與啟動電阻是兩個概念.
驱动电阻加了以后驱动信号变得不规整,加以前是比较好的方波的．
是不是很正常呢?
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hysman
LV.6
31
2007-06-05 14:59
@jinli_dash
驱动电阻加了以后驱动信号变得不规整,加以前是比较好的方波的．是不是很正常呢?
看看書上的說法:

从降低开关损耗的观点要求驱动波形前后沿越陡越好,驱动源是理想电压源.但是,除了带有驱动电路的功率模块以外,栅极驱动电路不可能与栅极连线最短,连线电感是不可避免的.线路电感与输入电容在驱动电压激励下引起严重的振荡,使驱动无法正常工作.为此,一般总在MOSFET栅极串联一个电阻,对振荡阻尼在可接受范围内.但是,电阻的加入破坏了驱动的电源压特性,限制了驱动电流,降低了前后沿陡度,驱动波形前沿出现明显指数上升特性,并在驱动达到MOSFET开启电压UT时,由于漏-栅电容放电的密勒效应造成栅极电压“打折”,加大导通损耗.在关断时,密勒电容的放电效应,使得关断延缓或误导通,增加了关断损耗.因此,栅极电阻不能太大,只要抑制振荡就行.从根本上应当尽量缩短栅极与驱动连接距离.
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