变压器的匝比以及效率问题

最近在优化产品性能方面有点一筹莫展，就是因为在变压器参数上不知道怎么取舍，有以下问题：

1。变压器匝比问题，我在做12V 6A的产品的时候听一个老师傅在说，在条件允许的情况下，匝比越小越好，至于原因吗我还不知道，不过我试了一下还确实是那样，之前的时候匝比是8.2，之后改为7.1效率是明显提升了，没有进一步试验更小的匝比。

2。我看到有一个5V10A的反激架构产品，匝比选的是17，可是变压器的漏感真是大，主感量380漏感就有340.可是我之前了解到的漏感公式和次级没有关系啊。。。

以上同行多发表意见，多多探讨。

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gaohq

LV.8

2012-04-19 20:32

什么拓扑的都不讲一下叫人这么说呢？

zq2007

LV.11

2012-04-19 21:06

@gaohq

什么拓扑的都不讲一下叫人这么说呢？

应该说的是反激。

其实匝比的变化影响很多参数。

madfrog_2008

LV.3

2012-04-20 17:33

匝比的选择影响mos、次级diode的应力，同时也影响初次、级的圈数，圈数的多少又影响变压器的损耗，（包括铜损、铁损、漏感损耗）等等。

5V10A是单纯的反激？没有SR？漏感计算跟次级还是有关系的，可以去参考别人的帖子。

wangbo0227

LV.8

2012-04-20 22:27

@gaohq

什么拓扑的都不讲一下叫人这么说呢？

反激架构

wangbo0227

LV.8

2012-04-20 22:29

@madfrog_2008

匝比的选择影响mos、次级diode的应力，同时也影响初次、级的圈数，圈数的多少又影响变压器的损耗，（包括铜损、铁损、漏感损耗）等等。5V10A是单纯的反激？没有SR？漏感计算跟次级还是有关系的，可以去参考别人的帖子。

那个5V 10A的反激产品，效率低的可怜，是有70%不到吧。

qinzutaim

2012-04-21 10:48

@wangbo0227

那个5V10A的反激产品，效率低的可怜，是有70%不到吧。

为什么这么说?

278216130

LV.2

2012-04-21 11:02

@qinzutaim

为什么这么说?

学习

wangbo0227

LV.8

2012-04-21 19:57

@qinzutaim

为什么这么说?

5V 10A的产品要是想过5级的话，好像是87%吧，不记得了。其实5V 10A应该反激不适合。应该正激或是半桥最好。。。

xiaowu2

LV.2

2012-04-21 22:04

开关电源，和施耐德开关，漏电保护插头

蒋洪涛

LV.6

2012-04-23 08:47

@xiaowu2

开关电源，和施耐德开关，漏电保护插头

匝比选择还是要试，试才出真理

sunpeng

LV.6

2012-04-27 09:49

　　效率和占空比成一定关系，匝比的确定要综合考虑MOS、副边整流管的耐压，以及系统的稳定等。

lz0820

LV.4

2012-04-27 11:35

@sunpeng

　　效率和占空比成一定关系，匝比的确定要综合考虑MOS、副边整流管的耐压，以及系统的稳定等。

12V的你把匝比调到5.5的样子看一下效率会更高一点

dxsmail

2012-04-27 12:47

收藏。。。。研究研究。。。

dxsmail

2012-04-27 12:49

会不会是因为少绕了。。。铜损下降。。然后。。。。效率就上去了？？？

bigbigeasy

LV.6

2012-04-27 21:06

@dxsmail

会不会是因为少绕了。。。铜损下降。。然后。。。。效率就上去了？？？

副边电阻

雪花梅花

LV.6

2012-04-28 09:25

@lz0820

12V的你把匝比调到5.5的样子看一下效率会更高一点

匝比多少与变压器结构,MOSFET,Shokky有关

LV.1

2012-04-28 10:55

@zq2007

应该说的是反激。其实匝比的变化影响很多参数。

反激架构的电源，其实N变化了，DUTY也就变化了，很多参数都变化，在变压器变动以后，其实以前测试的数据按说都要从来测试一遍。反激的架构主要还是平衡初级MOS和次级二级管的损耗就可以了，他们就是跷跷板。当这两个管的损耗到达最优的点时，整机效率是最高点。小小体会而已。

LV.1

2012-04-28 11:00

@zq2007

应该说的是反激。其实匝比的变化影响很多参数。

个人感觉反激绕做到很好，还是要多尝试不同的变压器绕发，和匝比，以及励磁电感。要是PWM是采取变频的话，还得通过励磁电感来控制开关频率。这一点很重要。也就是说这个变压器的设计关键是LP的设计。。

dxsmail

2012-04-28 12:48

这个非常有用。。。

tannengshuang

LV.2

2012-04-28 13:29

可以改更小，注意磁心不能飽和，提高效能，減少初級匝數，減少銅損。漏感越大，反饋到初級MOS的VDS電壓越高，損耗越大，

wangbo0227

LV.8

2012-04-29 00:19

@tannengshuang

可以改更小，注意磁心不能飽和，提高效能，減少初級匝數，減少銅損。漏感越大，反饋到初級MOS的VDS電壓越高，損耗越大，

好像是主感量越大越好，匝比越小，漏感相对越小。效率会好很多。。。

liming8021

LV.5

2012-04-29 23:00

@wangbo0227

5V 10A的产品要是想过5级的话，好像是87%吧，不记得了。其实5V 10A应该反激不适合。应该正激或是半桥最好。。。

输出电压5V，效率能会到87%吗！还真是牛啊！

dxsmail

2012-05-02 17:20

@wangbo0227

好像是主感量越大越好，匝比越小，漏感相对越小。效率会好很多。。。

好像是这样。。。。但主感量越大越容易，变压器越容易饱和。。。。

所以要折中一点。。。。

dxsmail

2012-05-02 17:57

@dxsmail

好像是这样。。。。但主感量越大越容易，变压器越容易饱和。。。。所以要折中一点。。。。

匝比下降。。。会使反射电压下降。。。。反射电压下降会使MOS管上的电压下降，导致了MOS管的损耗降低。。。。

其结果就是开关损耗降低了。。。。我做了实验。。。大概反射电压设在40V。就会使其损耗降到最低点。。。。上升3～6%的效率。。。。

反射电压低于40V时，会使电源不工作。。。。

如果MOS管有500V的管子。且导通电阻更低的管子。。。可能可以使效率再上升。。。。

我发现2N60比2N50的导通电阻还低。。。直是搞不懂。。。所以还是用2N60的管子。。。。

LV.1

2012-05-02 19:27

@dxsmail

匝比下降。。。会使反射电压下降。。。。反射电压下降会使MOS管上的电压下降，导致了MOS管的损耗降低。。。。其结果就是开关损耗降低了。。。。我做了实验。。。大概反射电压设在40V。就会使其损耗降到最低点。。。。上升3～6%的效率。。。。反射电压低于40V时，会使电源不工作。。。。如果MOS管有500V的管子。且导通电阻更低的管子。。。可能可以使效率再上升。。。。我发现2N60比2N50的导通电阻还低。。。直是搞不懂。。。所以还是用2N60的管子。。。。

任何一种拓扑结构的电路，其效率不是单单的去减少某一个点的损耗，而是去平衡所有功率电路的平均损耗。使电路中的损耗都比较均匀才对，但是升高一个点的效率，总是有另一个点的效率会跌下来，整体的效率还是上不去。

wangbo0227

LV.8

2012-05-02 21:08

如果你调整匝比产品的电路模式不变(比如保持CCM不变），匝比变大，一次侧Vds增大，一次侧Id减小，二次侧肖特基反射电压减小，二次侧峰值电流增大。漏感增大。耦合系数减小。如果是二次侧有同步整流，那么就不在乎二次侧峰值电流的大小，匝比可以尽量增大，使一次侧Id变小。如果没有同步整流，个人觉得还是匝比越小越好，