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帮看看这种移相全桥波形哪里出问题了

帮看看这种移相全桥波形哪里出问题了

目前做的1500W的充电器用的是移相全桥的拓扑，有60V20A，48V25A，24V35A，72V15A等型号，但是每种型号或多或少的出现炸管子的情况，有些是工作了半小时，有些是工作很久了炸的。长时间工作的变压器内部都出现烧断漆包线的情况了，然后变压器感量也几乎接近于0了。如图一。我还把4个管子的驱动波形以及桥式中点电压波形，变压器次级波形，输出整流二极管波形以及用互感器采样到的电流波形都拍下来了，望各位大侠帮我看看，指正下。另外我们的充电器4个MOS管里面其中有一个是有温度监控的，温度超过90°就直接停止工作了。

除了驱动波形和电流波形是用1:1的探头测得，其他VDS波形都是用1:100的探头测的

图一

图二UL管子轻载波形，CH1是驱动，CH2是DS波形

图三UL管子重载波形，CH1是驱动，CH2是DS波形

图四UR管子轻载波形，CH1是驱动，CH2是DS波形

图五UR管子重载波形，CH1是驱动，CH2是DS波形

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LV.6

2

2012-03-19 09:28

图六LL管子轻载波形，CH1是驱动，CH2是DS波形

图七LL管子重载波形，CH1是驱动，CH2是DS波形

图八LR管子轻载波形，CH1是驱动，CH2是DS波形

图九LR管子重载波形，CH1是驱动，CH2是DS波形

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LV.6

3

2012-03-19 09:31

@zq841102

图六LL管子轻载波形，CH1是驱动，CH2是DS波形[图片] 图七LL管子重载波形，CH1是驱动，CH2是DS波形[图片] 图八LR管子轻载波形，CH1是驱动，CH2是DS波形[图片] 图九LR管子重载波形，CH1是驱动，CH2是DS波形[图片]

图十桥式中点UAB轻载时波形

图十一桥式中点UAB重载时波形

图十二变压器次级轻载时波形（两个次级串起来的波形)

图十三变压器次级重载时波形（两个次级串起来的波形)

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LV.6

4

2012-03-19 09:34

@zq841102

图十桥式中点UAB轻载时波形[图片] 图十一桥式中点UAB重载时波形[图片] 图十二变压器次级轻载时波形（两个次级串起来的波形)[图片] 图十三变压器次级重载时波形（两个次级串起来的波形)[图片]

图十四变压器次级单边轻载波形

图十五变压器次级单边重载波形

图十六次级整流管轻载波形

图十七次级整流管重载波形

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LV.6

5

2012-03-19 09:35

@zq841102

图十四变压器次级单边轻载波形[图片] 图十五变压器次级单边重载波形[图片] 图十六次级整流管轻载波形[图片] 图十七次级整流管重载波形[图片]

轻载时电流互感器测得的波形，互感器比例1:100

重载时电流互感器测得的波形，互感器比例1:100

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LV.6

6

2012-03-19 09:41

@zq841102

轻载时电流互感器测得的波形，互感器比例1:100[图片] 重载时电流互感器测得的波形，互感器比例1:100[图片]

拓扑电路和驱动部分电路

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LV.5

7

2012-03-19 09:43

@zq841102

轻载时电流互感器测得的波形，互感器比例1:100[图片] 重载时电流互感器测得的波形，互感器比例1:100[图片]

版主應該是做通訊電源八若是你看到的波形都非常穩定相移沒有亂晃基本上90%就不會有事了不燃看看死區

看看電壓rating

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LV.6

8

2012-03-19 09:46

@2563

版主應該是做通訊電源八若是你看到的波形都非常穩定相移沒有亂晃基本上90%就不會有事了不燃看看死區看看電壓rating

这。。关键是经常炸管子啊。。。所以不知道哪里出了问题。波形我看挺稳定的。还有我不是版主哈

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LV.5

9

2012-03-19 10:03

@zq841102

这。。关键是经常炸管子啊。。。所以不知道哪里出了问题。波形我看挺稳定的。还有我不是版主哈

死區看看吧

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LV.6

10

2012-03-19 10:13

@2563

死區看看吧

我这个示波器两个探头的地是共地的啊，所以不太敢同时测不通地方的波形，怕直接短路掉了。

还有死区时间是否只要看同侧臂的驱动波形就可以了呢

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11

2012-03-19 10:25

用的是啥管子？体二极管的反向恢复时间是多少？

建议直接上英飞凌的CFD2系列的吧

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LV.6

12

2012-03-19 10:28

@心中有冰

用的是啥管子？体二极管的反向恢复时间是多少？建议直接上英飞凌的CFD2系列的吧

用的是IRFP460LC，反向恢复时间典型的是570NS，最大860NS

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13

2012-03-19 10:36

@zq841102

用的是IRFP460LC，反向恢复时间典型的是570NS，最大860NS

如果我没记错的话，

英飞凌的CFD2系列的管子反向恢复时间在180NS左右

波形看不出太大的问题，变压器的绕组被烧断，可以检测变压器内部的温度。

还有一点要注意的是一般励磁线都需要用丝包线裹住，加强耐压

因为随着温度的升高，绕组间的耐压值是下降的

以上供你参考

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LV.6

14

2012-03-19 10:41

@心中有冰

如果我没记错的话，英飞凌的CFD2系列的管子反向恢复时间在180NS左右波形看不出太大的问题，变压器的绕组被烧断，可以检测变压器内部的温度。还有一点要注意的是一般励磁线都需要用丝包线裹住，加强耐压因为随着温度的升高，绕组间的耐压值是下降的以上供你参考

现在的变压器设计是这样的，24V30A的，初级0.41的漆包线20根并绕19T，次级宽30MM厚0.3MM的铜皮3T。初级绕了1层半，然后外面全部绕次级。但是烧的是初级上下层之间的线，有嘿嘿的烧焦点，线也断了。

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LV.6

15

2012-03-19 10:58

@心中有冰

如果我没记错的话，英飞凌的CFD2系列的管子反向恢复时间在180NS左右波形看不出太大的问题，变压器的绕组被烧断，可以检测变压器内部的温度。还有一点要注意的是一般励磁线都需要用丝包线裹住，加强耐压因为随着温度的升高，绕组间的耐压值是下降的以上供你参考

我看了下SPW24N60CFD的COSS要比IRFP460LC大了560PF啊，IRFP460LC的COSS才440PF。如果替代了，那要重新计算参数了，而且COSS大了也会带来不利因素啊

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LV.8

16

2012-03-19 11:01

@心中有冰

用的是啥管子？体二极管的反向恢复时间是多少？建议直接上英飞凌的CFD2系列的吧

我也用过这个方案，其实这不是什么移相全桥，是谐振全桥。两个上管占空比50%（有死区）固定的，下管是调脉宽的。

遇到的情况是，带载炸机，解决办法是把电流环调整了一下。

然后带满载一会炸机，用的是英飞凌CF的mos,不适合用在谐振场合。

换成仙童28N50专为谐振用的MOS就好。

是的赞同冰版说的，检查MOS

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LV.6

17

2012-03-19 11:05

@zhangtao3b608

我也用过这个方案，其实这不是什么移相全桥，是谐振全桥。两个上管占空比50%（有死区）固定的，下管是调脉宽的。遇到的情况是，带载炸机，解决办法是把电流环调整了一下。然后带满载一会炸机，用的是英飞凌CF的mos,不适合用在谐振场合。换成仙童28N50专为谐振用的MOS就好。是的赞同冰版说的，检查MOS

是因为体二极管的反向恢复时间引起的吗，因为现在电源有的炸有的确是好的，问题源头也找的头大了

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LV.6

18

2012-03-19 11:06

@zhangtao3b608

我也用过这个方案，其实这不是什么移相全桥，是谐振全桥。两个上管占空比50%（有死区）固定的，下管是调脉宽的。遇到的情况是，带载炸机，解决办法是把电流环调整了一下。然后带满载一会炸机，用的是英飞凌CF的mos,不适合用在谐振场合。换成仙童28N50专为谐振用的MOS就好。是的赞同冰版说的，检查MOS

英飞凌的管子哪方面的参数不适合用在6752的全桥电路中呢

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LV.6

19

2012-03-19 14:52

@心中有冰

如果我没记错的话，英飞凌的CFD2系列的管子反向恢复时间在180NS左右波形看不出太大的问题，变压器的绕组被烧断，可以检测变压器内部的温度。还有一点要注意的是一般励磁线都需要用丝包线裹住，加强耐压因为随着温度的升高，绕组间的耐压值是下降的以上供你参考

MOS管的结电容和体二极管的参数性能会影响到移相全桥的性能的。不知道是怎么个影响法呢

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LV.6

20

2012-03-19 16:25

@zhangtao3b608

我也用过这个方案，其实这不是什么移相全桥，是谐振全桥。两个上管占空比50%（有死区）固定的，下管是调脉宽的。遇到的情况是，带载炸机，解决办法是把电流环调整了一下。然后带满载一会炸机，用的是英飞凌CF的mos,不适合用在谐振场合。换成仙童28N50专为谐振用的MOS就好。是的赞同冰版说的，检查MOS

能加个QQ好友吗，想向您咨询下移相全桥的东西，不知道可不可以。

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LV.6

21

2012-03-19 18:15

@zq841102

能加个QQ好友吗，想向您咨询下移相全桥的东西，不知道可不可以。

求指导啊

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LV.3

22

2012-03-19 19:31

@zq841102

求指导啊

楼主说：然后变压器感量也几乎接近于0了,那么你需要分析是变压器过温而导致炸管，还是MOS设计的不合适呢？

设计全球软开关电源，一个是驱动，还有一个是死区时间，很关键的哦，你的MOS的体二极管的反向恢复时间一定要小于你的死区时间，这个是牢记的啊。

英飞凌的管子我用全桥用的挺好的，就是价格贵点的，呵呵。

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LV.6

23

2012-03-19 20:03

@zcyzvs

楼主说：然后变压器感量也几乎接近于0了,那么你需要分析是变压器过温而导致炸管，还是MOS设计的不合适呢？设计全球软开关电源，一个是驱动，还有一个是死区时间，很关键的哦，你的MOS的体二极管的反向恢复时间一定要小于你的死区时间，这个是牢记的啊。英飞凌的管子我用全桥用的挺好的，就是价格贵点的，呵呵。

能直接换上英飞凌的管子用吗，谐振延迟时间和死区时间以及谐振电感是否需要重新设计过呢。

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LV.6

24

2012-03-19 20:09

@zcyzvs

楼主说：然后变压器感量也几乎接近于0了,那么你需要分析是变压器过温而导致炸管，还是MOS设计的不合适呢？设计全球软开关电源，一个是驱动，还有一个是死区时间，很关键的哦，你的MOS的体二极管的反向恢复时间一定要小于你的死区时间，这个是牢记的啊。英飞凌的管子我用全桥用的挺好的，就是价格贵点的，呵呵。

有些电源确是在半小时左右就炸管子了，变压器感量还在的，只是不知道会不会饱和呢。

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LV.6

25

2012-03-19 20:20

@zcyzvs

楼主说：然后变压器感量也几乎接近于0了,那么你需要分析是变压器过温而导致炸管，还是MOS设计的不合适呢？设计全球软开关电源，一个是驱动，还有一个是死区时间，很关键的哦，你的MOS的体二极管的反向恢复时间一定要小于你的死区时间，这个是牢记的啊。英飞凌的管子我用全桥用的挺好的，就是价格贵点的，呵呵。

死区时间大概是1uS多点吧，MOS管典型反向恢复时间是570uS，最大是870uS。这个死区时间设计的应该差不多了吧，过大应该也不好的

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LV.8

26

2012-03-20 09:59

@zhangtao3b608

我也用过这个方案，其实这不是什么移相全桥，是谐振全桥。两个上管占空比50%（有死区）固定的，下管是调脉宽的。遇到的情况是，带载炸机，解决办法是把电流环调整了一下。然后带满载一会炸机，用的是英飞凌CF的mos,不适合用在谐振场合。换成仙童28N50专为谐振用的MOS就好。是的赞同冰版说的，检查MOS

其实，英飞凌也有软开关的MOS，像冰版说的CFD的。当时我用的是CP的。

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LV.6

27

2012-03-20 21:39

@zhangtao3b608

其实，英飞凌也有软开关的MOS，像冰版说的CFD的。当时我用的是CP的。

不知道还有什么原因会导致内部短路呢

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28

2012-03-20 22:49

@zhangtao3b608

其实，英飞凌也有软开关的MOS，像冰版说的CFD的。当时我用的是CP的。

CP系列的管子已经不推了，对MOSFET驾驭不好的话，量产中很容易莫名其妙的炸管

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LV.6

29

2012-03-21 08:23

@心中有冰

CP系列的管子已经不推了，对MOSFET驾驭不好的话，量产中很容易莫名其妙的炸管

嗯，管子我换换试试，但是冰版，有什么原因会导致初级内部上下层之间出现短路烧断漆包线的情况呢。而且都是在上面那层的最外面一匝以及下面对应的那匝之间烧的。是否这里压力比较大。还有我突然发现变压器次级引出线居然用的是1.5平方的软线哦，那用在25-30A的地方会不会导致局部过热而引发这种情况哈

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LV.6

30

2012-03-21 08:49

好像是匝间短路引起

要用高强度漆包线

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LV.6

31

2012-03-21 09:37

@xyx11

好像是匝间短路引起要用高强度漆包线

短路的是上下层之间对应的那两匝。好几个都是这样的

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