高手指點此DC12V電子鎮流器老化不定時燒MOS

MOS 耐压200V  9A

这样做的，高人

能给点意见吗

这样的线路没做过呀。

1.ne555工作温度在0~70度。

2.看驱动是否满足，实在不行用推挽。

是没注意到NE555工作温度问题

回去做做试验加温试试

SE555 和 NE555 应该是完全通用的吧，SE555  -55~125度

因为刚开始接触电子镇流器，对这块不熟，以前只搞过小功率开关电源

此产品是以前工程师留下的，现在改电路周期会很长，而且成本还不能加

所以还是看能不能查明原因，改推挽也不太在行

看此电路像是正激，可参数好像又有点违背

也不太搞懂它是哪类

这个电路，有正激部分，也有反击部分。

反激的时候，要查看漏感是否会在MOS上产生高压。

反激，正激是要靠占空比来调整的。

所以，要根据负载来确定电感量和占空比。

算起来比较麻烦，可以通过输出波形来看，占空比是否可行。

此电路没有磁复位器件

开关管关断瞬间VDS有一个120V左右的尖峰再降到2倍多VIN左右，并且波形平台成上升形直到下一周期，而不是下降

一开始怀疑没有磁复位而出现磁饱和

试了在初级并加电容 ，也试了增加RDC 测试VDS波形都没有任变化

是不是因为镇流器没有整流二极管原因，在Toff时还是可能释放能量

其实，不需要磁复位，他是需要反激的。

其实，吸收回路是否需要，关键看Vds 的电压。毕竟存在寄生参数，不会有很高的尖峰电压（理论上的）。

Toff 的时候必须要释放能量的。这样灯管里面的波形才是正弦波。

不过占空比要适当。最好能出现电流过零点。这样MOS的应力会小点。

我是做仪器设备的，我们有针对电子镇流器的测试系统，感兴趣发朋友加我QQ2259373914    TEL：13829209851  何先生   希望和大家精诚合作、共谋发展。

MOS并联使用的要注意来料的一致性问题，出现水桶效应就不好说了。

建议增加两个RG电阻匹配MOS的差异性，或采用更高规格的IRF640。

有问题可以随时联系我13516504750，我很喜欢用NE555

灯管两端波形现在不完全成正弦波,是正负尖陡坡,峰值为430V左右

而如果调到刚好电流过零点时,工作电流却达不到2.2A

还有NE555用烙铁焊着一直工作,应该温度差不多也有一两百度了,工作还是一样正常,只是频率降了1KHz这样,看来NE555还是很强的

谢谢各位高手的指点

差异是有的了,两个管的温度也有一点相差

如果MOS加RG电阻应该加多大?

4.7Ω合适吗,加大了会不会更加不均流

用IRF 640的话,单管不知能不能取代两个管

也不知当时为什么会用并管方式,而不是用更大电流的MOS

还请教各位并联MOS除了能加大电流,还有没有其它的好处

你选的MOS管是不是选择的太浪费了，才12V,选一个耐压200V的，

我看过电鱼机的mos管用75N75，像你这个电路选一个60N75试一下。耐压75V电流60A

60n75的价格也不贵，才1块多。

我是销售半导体元件的，只懂参数，不懂技术，说错了大家不要笑话