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怎样在准谐振的基础上载体3~5个百分点

反激式开关电源是一个宝贝,多数初学者入门的电路,EMI低,相对可靠。但是反激式的效率相对最低,为了提高效率而发展出准谐振,这似乎是反激式的顶峰了,能不能在此基础上将效率再提高3~5个百分点或者更高,本人在考虑这个问题,年内就会有答案,不仅是理论的而且是工程实际的。

思路去年就有了,只可惜教学任务太重,一天4节课上完就筋疲力竭,需要好好缓缓才能迎接第二天的课程。所以心里想的还没有实验,但是理论绝对没错,工程上的基本思路也决定没错。但是没做实验就吹还是不好,混到这个份上必须得务实,不能忽悠电源届的同行。

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btma
LV.8
2
2012-01-19 21:43

陈老师辛苦了,祝老师春节快乐!

这个题目确实很不错,小功率电源和辅助电源一般都会用到反激式,用户的数量非常庞大,若陈老师能有突破善莫大焉!期待中、、、

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2012-01-25 08:32

反激做得好92%效率问题不大(不需要特别好的器件),不知道除了用更好器件还有啥别的办法

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小凡凡
LV.7
4
2012-01-25 13:03
@bigbigeasy
反激做得好92%效率问题不大(不需要特别好的器件),不知道除了用更好器件还有啥别的办法

工作原因准谐振接触较晚,刚刚做过几款。对比CCM模式,QR模式的原边开关损耗确实要小很多。高效率准谐振反激,提高3-5个百分点应该有些难,针对的效率应该是87-89%左右吧!一般24V输出,窄范围输入,100W,非低成本设计,非同步整流,参数合理优化,可以达到90-91%,再高些就很难了(不管什么条件,非同步整流设计,超过90%都必须仔细优化)。

关键点在于采用较大的UOR及较低的开关频率来减小开关损耗。采用较高UOR,次级整流管的耐压也会较低,但磁芯的成本相对较高些。

问题有以下几个:

1、磁芯损耗过大,比CCM模式大约高1.5-1.6倍。

      变压器采用串并联设计或许能得到最优设计(漏感、LP、气隙、NP、损耗可以得到最佳平衡)

2、QR模式,次边电流有效值较高。

采用较高UOR,二极管可得到较低的耐压,但二极管损耗除了跟VF有关外,其动态电阻对效率的影响似乎也很明显(可以用两个并联试试),同步整流应该不存在这个问题。至于电容的纹波电流,计算跟温升实验表明,并没有想象中大。

3、缓冲电路、变压器结构等与EMI的关系。

主要是共模、传导容易超标,辐射影响极小。由于是实验室仪器,实验没有深入下去,尚不明确,应该可以解决。

以上是个人观点,讨论92%以上设计的可能性

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2012-01-25 19:00
老师辛苦了,祝老师春节快乐!

等待下文。

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陈永真
LV.8
6
2012-01-25 19:45
@小凡凡
工作原因准谐振接触较晚,刚刚做过几款。对比CCM模式,QR模式的原边开关损耗确实要小很多。高效率准谐振反激,提高3-5个百分点应该有些难,针对的效率应该是87-89%左右吧!一般24V输出,窄范围输入,100W,非低成本设计,非同步整流,参数合理优化,可以达到90-91%,再高些就很难了(不管什么条件,非同步整流设计,超过90%都必须仔细优化)。关键点在于采用较大的UOR及较低的开关频率来减小开关损耗。采用较高UOR,次级整流管的耐压也会较低,但磁芯的成本相对较高些。问题有以下几个:1、磁芯损耗过大,比CCM模式大约高1.5-1.6倍。     变压器采用串并联设计或许能得到最优设计(漏感、LP、气隙、NP、损耗可以得到最佳平衡)2、QR模式,次边电流有效值较高。采用较高UOR,二极管可得到较低的耐压,但二极管损耗除了跟VF有关外,其动态电阻对效率的影响似乎也很明显(可以用两个并联试试),同步整流应该不存在这个问题。至于电容的纹波电流,计算跟温升实验表明,并没有想象中大。3、缓冲电路、变压器结构等与EMI的关系。主要是共模、传导容易超标,辐射影响极小。由于是实验室仪器,实验没有深入下去,尚不明确,应该可以解决。以上是个人观点,讨论92%以上设计的可能性
的确如此
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2012-01-26 11:20
@小凡凡
工作原因准谐振接触较晚,刚刚做过几款。对比CCM模式,QR模式的原边开关损耗确实要小很多。高效率准谐振反激,提高3-5个百分点应该有些难,针对的效率应该是87-89%左右吧!一般24V输出,窄范围输入,100W,非低成本设计,非同步整流,参数合理优化,可以达到90-91%,再高些就很难了(不管什么条件,非同步整流设计,超过90%都必须仔细优化)。关键点在于采用较大的UOR及较低的开关频率来减小开关损耗。采用较高UOR,次级整流管的耐压也会较低,但磁芯的成本相对较高些。问题有以下几个:1、磁芯损耗过大,比CCM模式大约高1.5-1.6倍。     变压器采用串并联设计或许能得到最优设计(漏感、LP、气隙、NP、损耗可以得到最佳平衡)2、QR模式,次边电流有效值较高。采用较高UOR,二极管可得到较低的耐压,但二极管损耗除了跟VF有关外,其动态电阻对效率的影响似乎也很明显(可以用两个并联试试),同步整流应该不存在这个问题。至于电容的纹波电流,计算跟温升实验表明,并没有想象中大。3、缓冲电路、变压器结构等与EMI的关系。主要是共模、传导容易超标,辐射影响极小。由于是实验室仪器,实验没有深入下去,尚不明确,应该可以解决。以上是个人观点,讨论92%以上设计的可能性

40w 用快恢,能做到91%

老实说东西都很普通,就是要特别细致的去优化.

改用肖特基的话,92%应该没啥问题.

100w, 用上同步整流,能冲击94%了,求更高的可能性

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2012-01-29 13:21

用TL494和CD4047构成的ZCS-FLYBACK电路,效率就很高。改天整理一下发上来与大家共同学习。

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roc19850
LV.5
9
2012-01-30 16:40
@呼叫转移
用TL494和CD4047构成的ZCS-FLYBACK电路,效率就很高。改天整理一下发上来与大家共同学习。

期待!!!

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zq2007
LV.11
10
2012-01-31 08:31
@roc19850
期待!!!
这个话题值得研究,继续跟进。
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Ai-China
LV.5
11
2012-02-01 15:41
反激的EMI低??俺真不敢认同。
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2012-02-01 16:41
@bigbigeasy
反激做得好92%效率问题不大(不需要特别好的器件),不知道除了用更好器件还有啥别的办法

92%?

多少W?

多少伏电压输出?

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hjxie
LV.7
13
2012-09-03 10:53
@Ai-China
反激的EMI低??俺真不敢认同。
反激准谐振在较低的VDS时开通EMI会比较低,反激硬开关在DCM时肯定不低
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2012-09-03 11:01
多路交错,削峰填谷,对效率会有贡献.
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aczg01987
LV.10
15
2012-09-03 11:06
@小凡凡
工作原因准谐振接触较晚,刚刚做过几款。对比CCM模式,QR模式的原边开关损耗确实要小很多。高效率准谐振反激,提高3-5个百分点应该有些难,针对的效率应该是87-89%左右吧!一般24V输出,窄范围输入,100W,非低成本设计,非同步整流,参数合理优化,可以达到90-91%,再高些就很难了(不管什么条件,非同步整流设计,超过90%都必须仔细优化)。关键点在于采用较大的UOR及较低的开关频率来减小开关损耗。采用较高UOR,次级整流管的耐压也会较低,但磁芯的成本相对较高些。问题有以下几个:1、磁芯损耗过大,比CCM模式大约高1.5-1.6倍。     变压器采用串并联设计或许能得到最优设计(漏感、LP、气隙、NP、损耗可以得到最佳平衡)2、QR模式,次边电流有效值较高。采用较高UOR,二极管可得到较低的耐压,但二极管损耗除了跟VF有关外,其动态电阻对效率的影响似乎也很明显(可以用两个并联试试),同步整流应该不存在这个问题。至于电容的纹波电流,计算跟温升实验表明,并没有想象中大。3、缓冲电路、变压器结构等与EMI的关系。主要是共模、传导容易超标,辐射影响极小。由于是实验室仪器,实验没有深入下去,尚不明确,应该可以解决。以上是个人观点,讨论92%以上设计的可能性

留记号学习啦

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