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请问MOSFET的电压击穿和电流击穿的本质都是热击穿么?

这些电子器件都有电压应力、电流应力、热应力的指标,但是如果导通的时间非常非常小,是不是所能承受的电压和电流就可以比规定的指标大很多很多了.比如耐压200v的管子,只导通几十纳秒,是不是就可以承受2000v了?2A可以承受200A了?
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lbwbwo
LV.1
2
2017-08-11 09:54

固体介质的击穿分为电击穿、热击穿和电化学击穿,楼主说的两种击穿形式在物理本质上是不同的

电击穿固体介质中的电子在外电场作用下,发生碰撞电离,使传导电子增多,最后导致击穿。特点:击穿过程所需时间极短,击穿电压高,介质温度不高;击穿电压与周围环境温度无关;击穿电压和电场分布形式有关,电场均匀程度对击穿电压影响很大。热击穿介质长时间受电压的作用,由于泄漏电流的存在,产生损耗,引起介质发热,温度升高,绝缘劣化,最后造成击穿。特点:击穿时间长,具有负的温度依存性,击穿电压随环境温度的升高呈指数规律下降;击穿电压直接与介质的散热条件和环境温度相关,散热条件越差,绝缘热击穿电压则越低;击穿过程与电压作用的时间有关,加压时间短,热击穿电压降升高;与电源的频率以及介质本身情况有关。电化学击穿运行中的绝缘长期受到电、热、化学、机械力等的作用,使其绝缘性能逐渐劣化,导致绝缘性能变坏,引起击穿。绝缘劣化的主要原因:绝缘内部的局部放电。

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