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主题:RCC电路短路电流,短路保护方法详解

本专题由DANIELLEW主持,欢迎发表意见,讨论:
1.直接短路DC输出端,此时光耦失控,开关管Q1为何不损坏?
2.直接短路变压器次级端,开关管Q1损坏击穿,为何?
3,直接短路DC输出端,此时光耦失控,DC输出端短路电流很小,而短路电阻稍大时,即DC输出电压大于0.25V时,DC输出端短路电流很大.为何?
4.短路电流与变压器反馈端的电压是否有关?
5.短路电流与变压器反馈端的RC回路电压是否有关?
6.当光耦AK端的电压小于0.1-0.5V时,此时光耦失控,DC输出端短路电流却很小,为何?
7.当光耦AK端的电压大于1V时,此时光耦起控,DC输出端短路电流却很大,为何?
8.DC输出端短路电流与电路的哪些因素有关?
9.若上述的开关管用晶三极管替代MOSFET ,直接短路变压器次级端,开关管Q1不损坏击穿,为何?
10.说明:以上1-8项的问题中的开关管为MOSFET.
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daniellew
LV.6
2
2004-07-21 21:37
无人回复?
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daniellew
LV.6
3
2004-07-21 21:46
@daniellew
无人回复?
这些问题是实际中摸索出来的,赶紧讨论.
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daniellew
LV.6
4
2004-07-21 22:35
@daniellew
这些问题是实际中摸索出来的,赶紧讨论.
自已顶!
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abzheng
LV.4
5
2004-07-21 23:57
1.电路进入保护状态,开关管打嗝,开通时间很短;或电流超过过流保护设定值,光藕饱和,电路同样保护,开关管打嗝,开通时间很短;所以不会损坏;
2.CD短路导致磁短路等效变压器初级磁短路,其直流电阻很小,电流很大(即使开关管导通时间很短)致其烧毁;
3.此时已退出保护状态,故能输出较大电流(限流设定值);
4.关系不大;
5.关系不大;
6.输出稳压管保护导通,电路保护;
7.进入正常工作状态;
8.过流保护设定值;场管接地电阻;变压器等
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daniellew
LV.6
6
2004-07-22 08:33
@abzheng
1.电路进入保护状态,开关管打嗝,开通时间很短;或电流超过过流保护设定值,光藕饱和,电路同样保护,开关管打嗝,开通时间很短;所以不会损坏;2.CD短路导致磁短路等效变压器初级磁短路,其直流电阻很小,电流很大(即使开关管导通时间很短)致其烧毁;3.此时已退出保护状态,故能输出较大电流(限流设定值);4.关系不大;5.关系不大;6.输出稳压管保护导通,电路保护;7.进入正常工作状态;8.过流保护设定值;场管接地电阻;变压器等
有低于0.1-0.5V的稳压管吗?这些的实践中的问题,请踊跃参加讨论,abzheng所说的不明确,或理由不充分,缺乏实践,仅限于理论.
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daniellew
LV.6
7
2004-07-22 09:38
@daniellew
有低于0.1-0.5V的稳压管吗?这些的实践中的问题,请踊跃参加讨论,abzheng所说的不明确,或理由不充分,缺乏实践,仅限于理论.
光在理论上叫叫,没有实践可不行啊!
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daniellew
LV.6
8
2004-07-22 11:10
@daniellew
光在理论上叫叫,没有实践可不行啊!
高人何处有?
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daniellew
LV.6
9
2004-07-22 11:17
@daniellew
高人何处有?
高人何处有?555555555555555555555555555555555555
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bieloit
LV.3
10
2004-07-22 11:36
@daniellew
高人何处有?555555555555555555555555555555555555
别人已经回复你了,理论指导实践.自己多去学学吧
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daniellew
LV.6
11
2004-07-22 13:51
@bieloit
别人已经回复你了,理论指导实践.自己多去学学吧
本人已有自已的见解,不过希望大家多讨论!来提升自已!有何不好?????
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2004-07-22 14:03
@daniellew
本人已有自已的见解,不过希望大家多讨论!来提升自已!有何不好?????
你可以先把你的见解写出来,让大家看看对不对,因为每个人都有事情,总不可能成天都在网上吧.
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aming
LV.5
13
2004-07-22 17:03
@daniellew
高人何处有?
我只回答你两条,1:此时电路仍在振荡状态,受初级OCP或次级OCP电路作用,初级电流有限,MOSFET不会烧坏.2:次级绕组短路后,电路不能起振,但是启动电阻的作用使MOSFET导通后又不能关断,当然要烧坏
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aming
LV.5
14
2004-07-22 17:17
@daniellew
本人已有自已的见解,不过希望大家多讨论!来提升自已!有何不好?????
RCC就象围棋,易学难精,学无止境!5555555555555555555555555
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daniellew
LV.6
15
2004-07-22 19:23
@aming
我只回答你两条,1:此时电路仍在振荡状态,受初级OCP或次级OCP电路作用,初级电流有限,MOSFET不会烧坏.2:次级绕组短路后,电路不能起振,但是启动电阻的作用使MOSFET导通后又不能关断,当然要烧坏
但若再增一三极管与Q2组成达林顿复合管时,短路次级后,开关管Q1不烧坏,为何?
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aming
LV.5
16
2004-07-22 20:08
@daniellew
但若再增一三极管与Q2组成达林顿复合管时,短路次级后,开关管Q1不烧坏,为何?
两个管子组成了可控硅,触发后使MOSFET关断.如果是一个管子,MOSFET会处在放大区----必然烧坏
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public
LV.4
17
2004-07-23 16:20
沒看到電路
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daniellew
LV.6
18
2004-07-23 17:50
@public
沒看到電路
电路见BBS论坛.
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daniellew
LV.6
19
2004-07-24 08:25
@daniellew
电路见BBS论坛.
快顶呀!
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daniellew
LV.6
20
2004-07-26 17:43
@daniellew
快顶呀!
Welcome !
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einfen
LV.5
21
2007-08-30 16:06
@daniellew
Welcome!
翻出来看看,
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huang1983
LV.7
22
2007-08-30 18:58
@daniellew
Welcome!
一个好的电源工程师会有一个相对好的对人对事态度,不管你自己能力怎么样,问别人也不能首先盛气凌人!!
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2010-03-28 13:16

问题9: MOSFET(场效应三极管)是电压控制型器件,只要有足够的电压,就能充份导通

          BJT(晶体三极管)是电流控制型器件,除了要有导通电压,还要有足够的基极电流才能充份导通

          当直接短路变压器次级端后, 初级电感值消失,只有很小的漏感,相当于导线. 失去电流控制作用,此时电路无法启动,只有启动电  

              阻还在驱动开关管,

          用MOSFET(场效应三极管)实验时 

              加电后,FET栅极(G)仅在启动电阻的作用下,直接得到足够的开启电压,充份导通,这时电流瞬间达到最大值,瞬间爆管

          用BJT(晶体三极管)实验时

              加电后,BJT基极(B)仅在启动电阻的作用下,不能得到足够的基极电流,不能充份导通,集电极电流也不会太大,功耗在安全范围内,

              不会爆管

         

            

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