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反激的DCM和CCM工作状态的详细分析
阅读: 43680 |  回复: 228 楼层直达

2011/11/11 23:03:14
1
amonson
电源币:723 | 积分:0 主题帖:4 | 回复帖:390
LV8
师长


QQ截图20160321155901【附赠实战教程 】BUCK变换器免费试用征集中

QQ截图20160321155901  【有奖DIY】工程师本色上演 设计征集活动



写反激的帖子很多,但很多帖子对于这个问题并没有讲透,特开一帖详细说明,如果有误,请共同探讨,力图把这个问题完全讲明白。先上初级线圈电流波形:

 

图中Ipk1表示DCM条件下的电感峰值电流,Ipk2表示CCM条件下的电感峰值电流。如果我们要设计一个反激电源,要求输出电压Vo、输出电流Io,输入最低直流电压Vin、输入最高直流电压Vm。设计的第一步先规定一个工作频率f(当然频率的确定需要考虑很多因素,但这里只专注于讨论DCM和CCM工作模式,暂且直接规定f),然后规定最大占空比D(反激通常在0.5以下为佳),现在分别按照DCM和CCM模式进行设计:

1、因为输出功率等于输入功率乘以效率,而输出功率为Vo*Io,输入电压范围也已知,所以首先假定效率并计算初级电流。

 

如果我们设计为DCM工作方式,显然峰值电流更高,但由于其能量完全传递,在散热允许的条件下,DCM方式可以用相对较小的磁芯输出更大的功率。

2、初级电流确定后,就可以由此计算出初级所需的电感量L。

 

因为KRF一定小于1,所以L2一定大于L1,即同样输出功率、同样输入电压、同样开关频率和占空比、同样效率时,DCM的电感量一定小于CCM的电感量。

3、选择合适的磁芯。

  

Vo和Io已知,Bm由磁性材料和工作温度决定,由于采用有效值进行计算,所以Kj可以取8A/mm2,但需要注意趋肤效应。初级线圈窗口利用率Kw,假设用圆线把窗口绕满,则总的利用率为3.14/4=78.5%;再假设辅助绕组、屏蔽层、绝缘胶带占用15%,则初次级绕组共占78.5%-15%=63.5%;通常次级圈数少,优先考虑次级绕完满层,所以初级需要占用较多的窗口面积,假定初级占36%;为了满足绝缘要求,普通漆包线绕制变压器是还需要加档墙,由于档墙是固定宽度的,所以磁芯绕线宽度越短,档墙占据的比例越高,小功率应用场合甚至可能占30%以上。所以功率越小越依靠经验选择磁芯,估算的初级线圈窗口利用率误差非常大。

4、计算变压器各绕组圈数和线径。

  

5、计算功率器件的电压电流。主开关FET的电流有效值与变压器初级电流有效值相同,峰值电压和峰值电流: ;整流二极管的电流有效值 ,峰值电压和峰值电流: 


注意:磁芯的选择需要考虑的问题很多,首先考虑的是材质和环境温度,如果环境温度很高(70度?),而且磁材的温升也较高(XX度/(W cm3))、居里温度却相对较低,那么就要尽可能减小铁损。铁损是和材质、频率(f)和磁摆幅(delt B)相关的,频率越高或者delt B越大,铁损就越大,所以高频(>300KHz?)或高温(>55度?)应用条件,需要选用特殊磁材或者降低工作频率或者减小delt B。

标签 反激
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2011/11/11 23:15:35
2
笨小孩1114
电源币:786 | 积分:0 主题帖:24 | 回复帖:1143
LV10
司令

  amonson 兄,。今晚就推导你和Z版的帖子。明天我们在探讨。同时,期待你更多的帖子。

2012/10/26 17:20:52
158
zhc7302
电源币:19 | 积分:0 主题帖:58 | 回复帖:1192
LV9
军长
学习了
2011/11/11 23:55:56
3
cheng111
电源币:507 | 积分:0 主题帖:33 | 回复帖:2221
LV11
统帅
顶一个,
2011/11/12 00:59:22
4
amonson
电源币:723 | 积分:0 主题帖:4 | 回复帖:390
LV8
师长
其他条件相同时,DCM比CCM的电流更大,Np更少,但由于整流二极管没有反向恢复尖峰、主开关管关断时漏感尖峰也更低。
2011/11/12 02:15:05
5
小凡凡
电源币:123 | 积分:0 主题帖:10 | 回复帖:191
LV7
旅长
磁芯选择好复杂,明天上一个超简单选择磁芯的方法...............
2012/08/22 20:24:09
156
aipoul
电源币:4 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:37
LV3
排长
i am sincerely hope for it 
2011/11/12 02:22:11
6
小凡凡
电源币:123 | 积分:0 主题帖:10 | 回复帖:191
LV7
旅长

顶起来!

1、如果是CCM模式设计,BAC的计算一定要在工作模式临界点或者HVDCmax处进行,BDC的计算一定要在HVDCmin处.............

2、输出电压越高,反向恢复时间的影响越严重,BCM/CCM模式下,PFC二极管选型的巨大差别就是很好的例子。

3、原边的电流密度和次边的电流密度不同,原边原则上取6A以下,次边根据输出电流的大小及匝数的多少而定,几匝以内取10A以上问题都不大,关键是看漏感比值是否恰当。

4、超低的漏感意味着你很可能要在传导上付出代价,反之,辐射也会让你难受。

5、如果绕组需要3根以上的导线并绕,不如采用单根、两根“粗线”或者多股线。

6、较好的变压器设计是:磁芯、绕组二者的温升差别不到5℃。

7、原边采用0.5的线分两层平铺,最佳的次边是多少?

      答案是:0.5*2刚好平铺两层(意思指的是原次边占用的窗口面积、铜损等均相同)

 

2011/11/12 07:51:31
7
mark jia
电源币:54 | 积分:0 主题帖:161 | 回复帖:473
LV8
师长
好贴
2011/11/12 08:55:29
8
bumper_163
电源币:5711 | 积分:0 主题帖:133 | 回复帖:450
LV7
旅长

2011/11/12 08:59:53
9
cheng111
电源币:507 | 积分:0 主题帖:33 | 回复帖:2221
LV11
统帅
解说非常详细。
2011/11/12 09:38:00
10
zhanghuawei
电源币:478 | 积分:0 主题帖:236 | 回复帖:1041
LV9
军长
2011/11/12 09:38:07
11
asouth
电源币:309 | 积分:0 主题帖:31 | 回复帖:638
LV8
师长
顶一个,非常详细。
2011/11/12 12:34:29
17
笨小孩1114
电源币:786 | 积分:0 主题帖:24 | 回复帖:1143
LV10
司令

小凡凡,。能看出你对这方面研究很深入。你上面提出的几个观点;第一点,不是很明白,请详细解答一下。第二,三,五,七点,实际中基本也是这样做的。第四点,有问题,大家平时都是通过一些手段或者绕法降低变压器的漏感,让其在初级感量的1%—5%,2%为宜,你所谓的超低漏感是多少?怎么才能做到超低的漏感呢?第六点,怎么设计才能保证磁芯和绕组二者的温升差别不到5℃?还有就是二者的温差如何测试?期待你的解答。

2011/11/12 13:50:55
22
小凡凡
电源币:123 | 积分:0 主题帖:10 | 回复帖:191
LV7
旅长

  amonson 兄,Z版等在这方面研究确实颇深,

我谈不上研究,只是变压器自己做的比较多罢了,现在加班画PCB,晚上回去再详细说明

 

2011/11/12 14:31:07
25
zvszcs
电源币:220 | 积分:0 主题帖:228 | 回复帖:3326
LV12
元帅

我打酱油的

 

2011/11/12 14:58:23
26
笨小孩1114
电源币:786 | 积分:0 主题帖:24 | 回复帖:1143
LV10
司令
期待Z版,amonson 兄,小凡凡同志的高见!这点很疑惑啊。
2012/03/19 13:51:19
137
nanjingjing
电源币:1 | 积分:0 主题帖:2 | 回复帖:10
LV3
排长

看了好多次编,,
多看看呀呀

2012/12/09 22:45:30
163
namin
电源币:147 | 积分:0 主题帖:106 | 回复帖:247
LV7
旅长
一样
2013/08/06 18:53:30
197
心碎的乌托邦
电源币:27 | 积分:5 主题帖:12 | 回复帖:169
LV6
团长
能否讲讲反射电压的取法?不管是12V输出,还是48V,都要是100-110V左右么?求教?
2013/08/08 09:05:42
200
dxsmail[版主]
电源币:392 | 积分:15 主题帖:86 | 回复帖:2623
LV11
统帅
很有研究。。。。
2013/01/10 22:33:49
171
Constance[版主]
电源币:2498 | 积分:86 主题帖:107 | 回复帖:1599
LV11
统帅
是啊!
2011/11/12 09:58:37
12
tigerwuh
电源币:18 | 积分:0 主题帖:4 | 回复帖:100
LV4
连长

很详细啊。赞一个

2011/11/12 10:44:39
13
小凡凡
电源币:123 | 积分:0 主题帖:10 | 回复帖:191
LV7
旅长

顶起来,哎!一直都想开贴讨论说明此问题,今段时间精神状态不佳,一直不了了之。

还有一个问题需要AMONSON兄详细分析:

CCM模式下,KRP(KRF)选取需要考虑到的各种限制因素,宽范围输入围选多少?窄范围?输出大、小电流?电压、电流模式下?

...........

 

2011/11/12 11:55:11
14
zvszcs
电源币:220 | 积分:0 主题帖:228 | 回复帖:3326
LV12
元帅
标准答案KRF在0.3-0.5之间,通用输入范围
2011/11/12 12:23:24
15
笨小孩1114
电源币:786 | 积分:0 主题帖:24 | 回复帖:1143
LV10
司令

Z版,给出的这个也是Z版的另外一个帖子的,飞兆文档里面的,实际应用中的取值也和精通开关电源设计书中的 r ,基本相吻合。

     

2011/11/12 12:50:43
18
小凡凡
电源币:123 | 积分:0 主题帖:10 | 回复帖:191
LV7
旅长

KRP与KRF可以互相转换,其取值大小因方案而定,一般情况采用上述值,0.3-0.5

 

2011/11/12 13:01:31
19
笨小孩1114
电源币:786 | 积分:0 主题帖:24 | 回复帖:1143
LV10
司令

恩,这下很多知识都串通啦。小凡凡,回答我17贴的疑惑啊,期待...

2011/11/12 13:54:56
23
小凡凡
电源币:123 | 积分:0 主题帖:10 | 回复帖:191
LV7
旅长

晚上再促膝长谈......................

2011/12/07 23:35:13
60
欧阳314
电源币:0 | 积分:0 主题帖:2 | 回复帖:41
LV4
连长
正在找过方面的资料,想要好好理解理解,好贴!
2012/04/12 11:26:05
138
returnjst
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:5
LV2
班长
电流纹波率吧
2011/11/12 12:33:07
16
小凡凡
电源币:123 | 积分:0 主题帖:10 | 回复帖:191
LV7
旅长

我一般都采用KRP描述,其他条件不变,KRP=0.66时,峰值、有效值电流达到最佳,小于0.66时,只是直流分量、气隙的单纯增加。

KRP=1,L=LP(临界模式,低压大电流输出需注意)

KRP=0.66,L=2LP(各参数达到最佳值)

KRP=0.50,L=3LP(比例回去再核实一哈)

KRP=0.40,L=4LP(电流模式控制、高电压输出需注意)

另外,当KRP=0.40以下、采用电压模式控制、中高功率输出时,原边精确的电流限制特别重要,典型例子就是采用PI的集成控制器输出功率大于100W时.

2012/01/14 09:19:17
103
redchicken
电源币:0 | 积分:0 主题帖:2 | 回复帖:20
LV3
排长
Lp指的是什么?
2012/03/01 16:31:19
122
小凡凡
电源币:123 | 积分:0 主题帖:10 | 回复帖:191
LV7
旅长
KRP=1就是临界模式,LP就是临界模式下的电感量,LP前面的1、2、3...指的是几倍的临界电感量(KRP分别为1、0.66、0.5.....)
2013/09/16 09:46:49
203
ydq2015ok
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:23
LV2
班长

这个描述好像不对吧

2017/04/05 20:00:17
227
shen7799
电源币:0 | 积分:3 主题帖:0 | 回复帖:1
LV1
士兵
Krf=Krp/(2-Krp)
2013/12/26 11:15:56
207
mucuntuoxie
电源币:0 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:2
LV1
士兵
我推导了下KRF与电流纹波率r的关系:KRF=r/2,而《精通开关电源》一书中说反激电源r一般取0.5为佳,那岂不是KRF=0.25最合适?这个是怎么回事?
2013/01/10 22:34:49
172
Constance[版主]
电源币:2498 | 积分:86 主题帖:107 | 回复帖:1599
LV11
统帅
是啊!
2011/11/12 13:10:43
20
liuxxpirate
电源币:0 | 积分:0 主题帖:5 | 回复帖:16
LV3
排长
顶起来
2011/11/12 13:19:16
21
wuzhonggui
电源币:71 | 积分:10 主题帖:30 | 回复帖:1077
LV9
军长
好,收藏了!
2011/11/12 13:59:09
24
zhiquanhe2003
电源币:31 | 积分:0 主题帖:2 | 回复帖:36
LV3
排长
能把临界状态BCM讲一下更好,芯片是如何调节工作在BCM的等等...
2011/11/12 18:43:08
27
amonson
电源币:723 | 积分:0 主题帖:4 | 回复帖:390
LV8
师长

感谢小凡凡的补充,对于他的意见,我还有一些稍微不同的看法,希望大家进一步讨论:

1、如果是CCM模式设计,BAC的计算一定要在工作模式临界点或者HVDCmax处进行,BDC的计算一定要在HVDCmin处.............
//这点不赞同,引入纹波因数之后,保证最小输入电压时的Bm不饱和即可。因为 ,所以退出CCM模式后就没有Br了,即此时的Bm减小了。
2、输出电压越高,反向恢复时间的影响越严重,BCM/CCM模式下,PFC二极管选型的巨大差别就是很好的例子。
//非常正确,CCM模式的整流二极管反向恢复带来的问题很多,需要尽量想办法回避,在功率很小的时候直接用DCM就完全回避了。
3、原边的电流密度和次边的电流密度不同,原边原则上取6A以下,次边根据输出电流的大小及匝数的多少而定,几匝以内取10A以上问题都不大,关键是看漏感比值是否恰当。
//因为初级绕组一般在最里面,散热很成问题,所以一般来说电流密度会取小一些,这个主要看功率等级,功率越大电流密度就越小,否则就会热出毛病。次级绕组通常圈数少,总的直流损耗小,电流密度可以稍大一点,但如果是三明治绕法我还是不推荐大于10A。最佳值还是通过温升测试来决定,那就完美了。这个问题我之前忽略了,非常感谢小凡凡的补充。
4、超低的漏感意味着你很可能要在传导上付出代价,反之,辐射也会让你难受。
//漏感低表示初次级耦合好,那么层间电容就大,所以传导干扰很容易通过变压器在初次级之间耦合。而漏感高则表示很多能量没有传递给负载,那么这些能量就可能向空间辐射,只能通过吸收和屏蔽来解决这个问题。对于这个问题需要高手来补充,我现在做的东西根本不考虑成本,功率和空间也较大,一般处理传导问题就直接加X电容甚至差模电感,所以对于几十瓦的变压器没有太多的建议。
5、如果绕组需要3根以上的导线并绕,不如采用单根、两根“粗线”或者多股线。
//这个是变压器绕制工艺的问题,有机会跟变压器厂的工程师交流交流,如果你的设计让生产效率下降,他们会跟你诉苦的,甚至供应商会要你加钱。
6、较好的变压器设计是:磁芯、绕组二者的温升差别不到5℃。
//平衡铜损和铁损,如果不是空间特别受限,这个规则适用于大多数应用场合。所以好的变压器都是慢慢调出来的,计算只提供了一个初始实验数据。
7、原边采用0.5的线分两层平铺,最佳的次边是多少?

答案是:0.5*2刚好平铺两层(意思指的是原次边占用的窗口面积、铜损等均相同)
//这个是追求的方向,很多时候没法实现啊,所以计算时通常考虑初级绕组占据的窗口面积会稍大一些。


2011/11/12 20:36:27
28
小凡凡
电源币:123 | 积分:0 主题帖:10 | 回复帖:191
LV7
旅长

确实如此,在此回复小孩和 amonson

1、首先我第一条的说法确实不够严谨,准确含义是:CCM模式设计,一定要在临界点或者最高输入点核算磁芯损耗,否则高压输入磁芯损耗很可能超标。以下是实验数据,实际BAC值没有表格中的值大,仅作参考:   

                           EFD30(12V5A)磁芯优化技术数据

匝数比

Pin(W)

Lp(uH)

Lg(mm)

KRP

Dmax/n

Irms(A)

Bac(90)

Bac(22V)

54-8

72

500

0.58

0.53

0.55-66.5

1.31

1400

2400

66-8

73.3/72.0

550

0.61

0.50

0.59-8

1.27

1550

2635

56-6

 

483

0.51

0.65

0.62-9

1.26

1868

3410

56-7

 

484

0.52

0.60

0.58-8

1.28

1746

3100

56-8

 

487

0.51

0.55

0.55-7

1.31

1640

2754

48-5

 

445

0.43

0.70

0.63-5.5

1.25

2100

4000

48-6

73.1/71.6

424

0.43

0.66

0.59-8

1.29

2000

3590

48-7

 

427

0.43

0.60

0.55-7

1.32

1900

3156

48-8

 

432

0.43

0.55

0.52-6

1.35

1760

2880

匝数比:  66-8  1.22 mm

原边绕组:单股0.60 mm线,分三层饶制;

次边绕组:双股0.80 mm线,平铺一层;

电感量:  550 uH

漏感:

气隙:    1.22 mm

匝数比:  48-6

原边绕组:单股0.60 mm线,分两层饶制;

次边绕组:三股0.65 mm线,平铺一层;

电感量:  420 uH

漏感:   

气隙:    0.86 mm

匝数比:  48-8 

原边绕组:单股0.60 mm线,分两层饶制;

次边绕组:三股0.65 mm线,平铺一层;

电感量:  420 uH

漏感:    2.2 uH

气隙:    0.86 mm

匝数比:  48-8 

原边绕组:单股0.50 mm线,分两层饶制;

次边绕组:双股0.80 mm线,平铺一层;

电感量:  420 uH

漏感:    3 uH

气隙:    0.86 mm

2011/11/12 20:39:29
29
小凡凡
电源币:123 | 积分:0 主题帖:10 | 回复帖:191
LV7
旅长

温度应力测试(这份好像是48:6的数据,时间长了,忘记了)

 以宽范围输入反激12V5A为例:

NP/224T  NF13T  NS8T  NP/224T  EFD30磁芯;

两边各3.2 mm挡墙,LP=410uHLG=0.6mm(中心柱)

散热器:54*35*2 mm*2;开关频率66KHZ.

 

测试条件:环境温度30℃,输入90VAC,输出全满载,电源悬空老化60分钟,单位:℃

RT1

HS1

HS2

T1(线)

T1(磁)

EC17A

EC17

EC1

97.6

81

68

69

62

51

48

61

 

 

 

 

测试条件:环境温度30℃,输入90VAC,输出全满载,电源非悬空老化60分钟,单位:℃

RT1

HS1

HS2

T1(线)

T1(磁)

EC17A

EC17

EC1

102.5

100

67

71

68

54

50

60.5

 

 

 

 

测试条件:环境温度30℃,输入110VAC,输出全满载,电源非悬空老化60分钟,单位:℃

RT1

HS1

HS2

T1(线)

T1(磁)

EC17A

EC17

EC1

90

76

66

72

65

53

50

56

 

 

 

 

测试条件:环境温度30℃,输入220VAC,输出全满载,电源非悬空老化60分钟,单位:℃

RT1

HS1

HS2

T1(线)

T1(磁)

EC17A

EC17

EC1

62.5

59

64

70

64

53

50

45

 

 

2011/11/12 21:01:15
30
小凡凡
电源币:123 | 积分:0 主题帖:10 | 回复帖:191
LV7
旅长

测试条件:环境温度30℃,输入220VAC,输出全满载,电源悬空老化60分钟,单位:℃

RT1

HS1

HS2

T1(线)

T1(磁)

EC17A

EC17

EC1

60.0

57

67

69

64

55

55

47

 

 

 

 

注:这份数据中温度差别并不大,这是工作台上得出的,实际温升差别较大(磁芯温升受环境影响较大,特别是有空调及人员频繁走动往往结果会不太准确)。更详细的测试结果当时没有及时保存,磁芯损耗变化可以从BAC值里看出来。

2011/11/12 21:16:00
31
小凡凡
电源币:123 | 积分:0 主题帖:10 | 回复帖:191
LV7
旅长

“第四点,有问题,大家平时都是通过一些手段或者绕法降低变压器的漏感,让其在初级感量的1%—5%,2%为宜,你所谓的超低漏感是多少?怎么才能做到超低的漏感呢?第六点,怎么设计才能保证磁芯和绕组二者的温升差别不到5℃?还有就是二者的温差如何测试?期待你的解答。”

超低漏感值的是1%以下,采用EER磁芯,单路输出一般可以达到0.5%甚至更低的水平。要想获得超低漏感:1、磁芯的选择非常关键,一般选择长宽比大的磁芯,如EER系列;2、设计在深度CCM模式(电感量较大,一定程度上电感与漏感二者比例越小,单纯研究漏感意义不大);3、采用合适的绕组结构,原边平铺两层,次边尽量平铺一层,尽可能减小挡墙距离及绝缘层数;

温升部分,主要靠实际测量,磁芯-------高压,绕组------------低压。但往往绕组温升会影响磁芯温升(特别是绕满情况下)。另外,磁芯的气隙又会影响绕组(点)的温度,气隙越大影响越明显。

2011/11/12 21:30:18
32
小凡凡
电源币:123 | 积分:0 主题帖:10 | 回复帖:191
LV7
旅长

杂谈:

(以下内容仅为平时记录的点点滴滴,准确性如何不能保证,后果自负

 

1100KHZ,你可以采用EE25可以轻易设计一个12V2A的电源。

   如果把磁芯换成EE55,估计半年你都搞不出来。

   即使EI28EFD30的输出功率接近,但二者做出来性能绝不等同。

不同的频率及功率等级,甚至(功率相等)不同的输出电压(电流),要想获得最优设计,只能精心采用最合适的磁性。

2、连续模式设计时,绝对不要采用同步整流技术。

或许部分芯片可以在一定程度上可靠工作。但几乎所有芯片资料均未指明此条件下KRP的大小,KRP=0.99KRP=0.4,电感量相差4倍。我们都知道BCM-PFC可以采用常用的的二极管,没有什么特殊要求。但几乎没有人敢在CCM-PFC中对输出二极管掉以轻心,比喻虽不是特别恰当,但二者的功能完全相同。同的道理,反激输出高压时,不要设计在连续模式。

3、所有条件不变(仅改变气隙):

KRP=1.00时,Lp= Lp

KRP=0.66时,Lp=2LP

KRP=0.50时,Lp=3LP

KRP=0.40时,Lp=4LP

KRP=0.33时,Lp=5LP

4、中心柱磨气隙与两边磨气隙效率相差13%

5、当KRP小于1.00IPIRMS大幅度下降,

   KRP小于0.66IPIRMS几乎不变,气隙会大幅度增加(不完全是)。

6KRPKRF换算关系:

7、共模电感普通绕法和十字绕发的区别:

8、驱动电阻不可过大,否则MOSFET将工作在恒阻模式。

9、一般情况下,半导体损坏只有3种可能:电压、电流、温度(暂不考虑静电)。

10、通常MOSFET在低压输入时,损耗最大。而低压输入时,磁芯损耗最小,磁芯损耗的最高点出现在最高输入电压,切忌!

二极管损耗一般变化不大(但不完全是)。

11、如果不得已采用小规格变压器,保证可靠性的最佳方法是(电流模式)原边电流限制,特别是宽范围输入输出功率超过50W

12、限制反激输出功率的最重要一个因数-----漏感

13、如果CIN容量不够,就是变压器即使有再小的漏感,电路部分有再精确的计算,都是白忙活。

14、三明治绕法,漏感越小,结电容越大,传导很难通过。

15、普通顺序绕法,漏感很大,结电容很小,但辐射很难通过,另外效率低。

16、相对于电压模式控制,电流模式控制有无与伦比的优点。但两种情况除外:

一、输出功率太小(且输入电压很高),杂散尖峰掩盖取样电流;

二、输出功率太大(且输入电压很低),无法采样电感电流。

17TOPSW的优点有很多,但是真正发现其优点的人很少,或许也是价格因数。

18、准谐振(BCM模式)可以非常可靠的采用同步整流技术(包括自驱),这样效率会高一点,但是BCM模式下,纹波电流也不是一般的高点(需要采用同步整流的地方,输出电流一定较大)。

19、很多人不清楚如何测试稳定性,说个好方法:

一、低温低压全满载(启动测试,先冷冻一段时间);

一、低温低压全满载(工频纹波电压分析)

二、高温低压全满载(半导体器件温度应力分析,高频纹波电压分析)

三、高温高压全空载(空载启动测试,然后带上负载,再去掉负载)

四、高温高压全满载(磁芯温升测试)

或许没有大公司的测试仪器、流程,但是能够通过上述测试,基本保证合格。

2011/11/12 21:33:59
33
小凡凡
电源币:123 | 积分:0 主题帖:10 | 回复帖:191
LV7
旅长

杂谈():

QR模式变换器设计注意事项(摘自开关电源设计与仿真):

1、通常,设计一般从匝数比定义开始。在QR模式设计中,UoR取值尽可能较高,以便产生波谷,该波谷应该尽可能的接近地电平。因此,即使Vds不完全为0,与漏源电容相关的所有损耗也有最小值,设计者经常采用BVds=800VMOSFET,以便允许产生最大的折射电压。

另外,UoR越高,Dmax也较大,也可以在一定程度上减小导通损耗,输出整流可采用较低耐压的整流器件。

2、最小开关频率一般控制在50KHZ以下,

3、由于漏感Ls的存在,原边电流Ip并非其临界模式下的计算值,要想减小计算误差,并提高效率,可以减小Ls/Lp的比值,或者是增大RCD钳位电压值(加快漏电感复位)。

4、钳位电压越高,漏电感复位越快,但是Vds电压越高。实验显示,选择钳位电压为折算电压的1.32倍,能够得到良好的效率。

5、钳位电压的选择与漏电感的大小有关,应该控制漏感与原边电感的比值。设计较差的变压器呈现的漏感值为原边电感的2%3%附近,极好的设计,该值低于1%。漏感越大,钳位电压与反射电压的比值越高,最终结果,要么是加大钳位损耗,要么是增大MOSFET的耐压值。5V12V24V输出电压匝数比控制

6、采用高恢复电压的二极管会影响效率:1、动态电阻Rd对有效电流非常敏感;2、导通压降VF对平均电流非常敏感。

QR模式优、缺点分析:

1、电源始终工作在DCM模式,所以容易稳定;

2、可以选用慢速二极管,所以不存在trr相关的问题;

3、如果MOSFET在输入电压谷底动作,则可以减少Clump损耗,并可以有目的的增加该电容来摆脱RCD钳位电路。

由于Clump损耗大大减小,此值可以增加至1000PF以上,优点有两个原因:A、减慢上升速度,辐射干扰弱(dv/dt低);B、限制Vds电压最大偏移量。

4、变换器工作于DCM模式,可使副边同步整流很好工作;

5、变换器工作于DCM模式,气隙“几乎没有”作用,细心的设计,则可大幅度减少边缘磁通效应、漏感、及EMI辐射干扰;

6、工作频率与输入、输出条件有关;

7、在轻载条件下,工作频率增加,开关损耗增加;

8、需要做频率钳位或者安装有源电路来限制在轻载条件下的频率偏移,否则,待机损耗可能相当大;

9DCM模式与CCM模式相比较,可能产生较高的有效电流;

10、在最低输入电压和最重负载条件下,频率减小并进入音频范围,产生音频噪声问题。

 

 

2011/11/12 21:40:01
34
小凡凡
电源币:123 | 积分:0 主题帖:10 | 回复帖:191
LV7
旅长

 

2011/11/12 21:43:00
35
小凡凡
电源币:123 | 积分:0 主题帖:10 | 回复帖:191
LV7
旅长

哎!图片和计算公式贴不上来。

2011/11/12 23:29:07
36
笨小孩1114
电源币:786 | 积分:0 主题帖:24 | 回复帖:1143
LV10
司令
   今天很晚了,明天来看。感谢小凡凡同志和amonson 兄的奉献和解答疑惑。看不懂了,在向您们请教!
2012/05/20 00:26:20
141
aiddy.tan
电源币:10 | 积分:0 主题帖:8 | 回复帖:225
LV6
团长
请问一下,你觉得QR的Vor选多大比较合适呢,我一般选100v。
2013/08/07 09:31:27
198
wangbo0227
电源币:177 | 积分:0 主题帖:113 | 回复帖:238
LV8
师长
小凡凡比较厉害啊,其中有一些知识,我还是第一次听说,不过还是比较有用的;关于第五点:是不是说DCM模式下BM可以取得很大,我的取值为0.29.可是变压器的温度还是很高,居高不下,难道还是BOM值太小的缘故;
2011/11/13 11:59:39
37
笨小孩1114
电源币:786 | 积分:0 主题帖:24 | 回复帖:1143
LV10
司令

你上面的这些点滴,对我来说又出现了新问题:

1.中心柱磨气隙与两边磨气隙效率相差13%

这一点两种方法的加气隙,我没有实际测试过效率只差。什么原因呢?平时批量生产中采用何种方式加气隙呢?我的做法就是每次只磨中心柱。

2.共模电感普通绕法和十字绕发的区别:

这个请详细描述一下。

3.你平时变压器通常采用哪种绕法,就以中小功率为例吧。

先解决这几个问题吧。

2011/11/13 13:35:30
39
小凡凡
电源币:123 | 积分:0 主题帖:10 | 回复帖:191
LV7
旅长

1、可能是功率和气隙都不够大,另外,磁芯的余量也应该比较大。中心柱气隙一般控制在0.2-0.8MM。

2、共模电感普通绕法和十字绕发的区别主要体现在分布电容上面,在1-10MHZ的抑制方面表现尤为明显。

3、主要采用“三明治”绕法,但各层间的处理视不同情况而定。

2011/11/13 13:50:22
41
笨小孩1114
电源币:786 | 积分:0 主题帖:24 | 回复帖:1143
LV10
司令

恩,灰常感谢你的回答。共同进步!接下来,不懂得再想你请教啦。我准备从事或者主要从事中小功率LED驱动电源这一块。有问题继续探讨。

2011/11/13 14:23:36
42
小凡凡
电源币:123 | 积分:0 主题帖:10 | 回复帖:191
LV7
旅长
我也在做LED电源,路灯上的
2011/11/13 14:50:22
43
笨小孩1114
电源币:786 | 积分:0 主题帖:24 | 回复帖:1143
LV10
司令
哈哈...遇见真真的同行啊。不错....要多交流啦。要向你学习你的实战经验啊。我这一块相当薄弱,需要加大力度!
2011/12/05 20:06:30
58
冰上鸭子
电源币:195 | 积分:0 主题帖:49 | 回复帖:1160
LV10
司令
要保存下来看看
2012/01/30 10:48:09
114
xmytq
电源币:0 | 积分:0 主题帖:13 | 回复帖:83
LV5
营长
太好了
2012/02/28 23:00:38
117
258481469
电源币:0 | 积分:0 主题帖:2 | 回复帖:36
LV3
排长
小凡凡兄,关于你第六点提出的:KRP和KRF的换算关系没有显示出来哦,,能否再说明一次呢??
2012/03/01 16:50:19
123
小凡凡
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LV7
旅长

哎!现在失眠极为严重,没有精力搞这个了。

用公式换算可以得出来,最好是直接定义(就是量化)来分析。

反激CCM模式设计(KRP=0.66),最好的计算方法是,《开关电源设计手册.Keith Billings》第二部分中的1、2章,采用这种方法很容易理解,但参数优化非常困难。个人认为最好的优化手段是采用PI公司的电子数据表格,另外结合实验去调整。

2011/11/13 12:53:04
38
笨小孩1114
电源币:786 | 积分:0 主题帖:24 | 回复帖:1143
LV10
司令
只能通过不同的绕法,不同的磁芯等条件来测试,最终选择最优!同时使其整机性能最佳!
2011/11/13 13:47:12
40
rick.zhao
电源币:0 | 积分:0 主题帖:1 | 回复帖:33
LV3
排长
这个帖子太好了,好好学习一下。
2012/06/24 08:56:50
152
kingsoft98
电源币:208 | 积分:0 主题帖:4 | 回复帖:25
LV3
排长
小凡凡,,怎么理解“磁芯-------高压”?请明示!
2011/12/23 15:19:12
78
ncy231
电源币:67 | 积分:0 主题帖:8 | 回复帖:431
LV7
旅长
学习精华帖,深入理解一下这些宝贵知识
2012/06/24 08:50:49
151
kingsoft98
电源币:208 | 积分:0 主题帖:4 | 回复帖:25
LV3
排长

AMONSON,,,,,,,,,,,,,,“BAC的计算一定要在工作模式临界点或者HVDCmax处进行,BDC的计算一定要在HVDCmin处”----------------------------

以上英文缩写具体含义或专业名词是什么意思?谢!

2013/01/10 22:35:21
173
Constance[版主]
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LV11
统帅
很好!
2013/03/25 23:34:31
187
心碎的乌托邦
电源币:27 | 积分:5 主题帖:12 | 回复帖:169
LV6
团长
收藏学习
2011/11/13 18:15:55
44
zzulfn
电源币:0 | 积分:0 主题帖:5 | 回复帖:78
LV4
连长

留个脚印,下次在慢慢学习。

2011/11/14 09:54:50
45
ppnmby
电源币:1 | 积分:0 主题帖:2 | 回复帖:70
LV4
连长

不错的贴

2011/11/14 18:36:39
46
amonson
电源币:723 | 积分:0 主题帖:4 | 回复帖:390
LV8
师长

继续:

6、开关机瞬态分析。无论稳态工作在DCM或者CCM模式,在开机瞬间,反馈信号尚未建立,此时的占空比由振荡信号和前馈信号决定。如果控制芯片的振荡信号由外接阻容产生,那么在无任何反馈和前馈条件下,开机瞬间可能的最大占空比Dm是由电容的充电时间决定的,电容完成一次充放电即为芯片的一个周期。如果Dm大于稳态工作时的D,而反馈建立的时间又较长,也无任何形式的前馈,那么无论是DCM还是CCM都有开机瞬间变压器饱和的风险。所以我们通常采用电流型控制芯片,控制芯片的最大占空比受到电流前馈信号的控制。

 

CCM模式下,第一个周期内的电感能量为DCM模式下的1/KRF倍,所以在加入了电流前馈信号后,CCM模式在开机瞬间电感更容易饱和。因此在设计电流型控制芯片工作在CCM模式的反激电源时,应根据Dm、Ip和KRF适当降低Bm的取值(相对于DCM),或者外加缓启动电路来限制开机瞬间的占空比,或者在设计震荡阻容的参数时将Dm限制在安全的范围。而对于DCM模式,只需要设定一个安全的Ip就可以了。

7、输入输出电压扰动时,DCM和CCM的响应。

 

当输入电压突然升高(反馈信号尚未改变)或者输出电压突然跌落(低于设定电压)时,DCM模式增大占空比即可完成调整,而CCM模式则有可能出现大小波甚至低频振荡。所以设计在CCM模式还需要增加斜坡补偿,以较长的动态响应时间来换取系统的稳定。

8、小信号干扰(或者叫高频噪声的抑制)。从反激拓扑来看,其小信号交流通路可以等效为LC低通滤波器,但由于变压器的分布电容和输出电容的ESR、ESL,实际上当信号频率高于输出电容ESR零点频率时,电源对干扰信号的抑制作用将大幅下降。同时,根据取样定理,如果信号频率大于开关频率的一半,电源也无法对其进行调制。DCM模式只受到这两个条件的约束,所以对其误差放大器进行相位补偿时只要考虑这两个频率中较小的那个即可,这就是通常采用的单极点补偿方式,调好的话做到较小频率的1/3频率处就可以了,而不必根据1/4或者1/5的经验取值。而CCM模式还受到右半平面零点的制约,即上面第7条所讨论的输出电压扰动的情形,当这个电压扰动的频率高于某个值时,斜坡补偿不可能补到90度,所以也不能避免振荡发生。此时只能牺牲带宽,让电源只在更低的频率范围内对干扰信号进行调制和反馈,如果这个零点和开关频率或者输出电容ESR零点相差很大的频率,那么就需要再增加一个极点来补偿,这就是双极点补偿方式。如果CCM模式,输出端再加一级LC滤波,取样点还非要在LC之后,那么就很可能需要三极点的补偿方式了。这方面的计算需要高手来补充,或者参考其他专门将环路的帖子。我只是从较容易理解的角度描述一下反馈补偿的原理。

2011/11/14 19:33:10
47
笨小孩1114
电源币:786 | 积分:0 主题帖:24 | 回复帖:1143
LV10
司令

amonson 兄,关于环路补偿这一块,有什么好的资料或者书籍推荐一下。有人建议看 胡寿松的《自动控制原理》,我大概翻阅了一下。太多的内容,给人一种不想看的感觉。期待amonson兄的指点啊。

2011/11/14 20:07:39
48
amonson
电源币:723 | 积分:0 主题帖:4 | 回复帖:390
LV8
师长
我没有系统学习过自动控制原理,以前看过《通信原理》、《信号与系统》,后来都是在实际调试过程中得到的一些经验,所以我只能讲一些自己的理解,至于计算和书上的理论我就无法给大家建议了。通常书上讲的都是原理性很强的东西,对于不同的应用场景还需要从原理中推导出特殊应用场景下的适用公式,现在有那么多仿真软件,复杂程度高的可以仿真,简单一点的直接实验更快捷和直观。可惜我也不会仿真,只能通过实验做一些复杂程度不高的电源。
2011/11/14 20:48:57
49
笨小孩1114
电源币:786 | 积分:0 主题帖:24 | 回复帖:1143
LV10
司令
实践出真知!amonson 兄,好样的!《通信原理》门科目没有学习过,《信号与系统》学过,已经好久了,平时也基本没有用到。现在,在用一块IC时,想自己独立完成设计去测试,结果关于IC的外围参数都会设置了,RCD箝位,整流管RC吸收回路等参数都已经设置OK。现在就是环路补偿这一块,感觉欠的比较多。正在看网上搜的几篇文章结合《精通开关电源设计》 、《开关电源设计(第三版)》比较的看。感觉还是很困难。
2011/11/14 22:55:29
53
cheng111
电源币:507 | 积分:0 主题帖:33 | 回复帖:2221
LV11
统帅

上面的两本书和自动控制原理有很多相似的地方。

好贴,申精

2011/11/14 22:36:02
51
zcyzvs
电源币:0 | 积分:0 主题帖:1 | 回复帖:20
LV3
排长

    分析的非常的好,虽然不搞小功率的电源很久了,但是看完这个帖子受益匪浅,我在设计大功率电源的时候会搞个反激电源做个辅助电源,通常我把让其工作在DCM模式下,原边感量我尽量取小。

2011/11/15 00:00:16
54
amonson
电源币:723 | 积分:0 主题帖:4 | 回复帖:390
LV8
师长
功率非常小的场合显然DCM更合适,感量越小虽然可以获得更好的动态响应特性,但需要更大的输出滤波电容,还是需要注意电容的温升。我也不搞小功率很久了,这些东西都是最近几天重新推的,有什么不合适的地方还需要高手来补充。
2011/12/15 19:53:04
65
cheng111
电源币:507 | 积分:0 主题帖:33 | 回复帖:2221
LV11
统帅

我一直在做小功率的模块电源。准备学习一下大功率的,大功率的一半都用哪些拓扑呢?LZ可否提供几个电路图学习学习

weicheng611@sina.com

2012/05/26 16:19:09
142
yuleyingshi
电源币:4 | 积分:0 主题帖:25 | 回复帖:81
LV5
营长
讲得太好了 
2013/01/10 22:35:46
174
Constance[版主]
电源币:2498 | 积分:86 主题帖:107 | 回复帖:1599
LV11
统帅
很好!
2011/11/14 22:21:19
50
冰上鸭子
电源币:195 | 积分:0 主题帖:49 | 回复帖:1160
LV10
司令
ding
2011/11/14 22:55:19
52
liyonghe
电源币:242 | 积分:0 主题帖:14 | 回复帖:250
LV7
旅长
好贴啊
2011/11/21 11:26:58
55
快快乐乐的
电源币:60 | 积分:0 主题帖:1 | 回复帖:33
LV3
排长

学习

2011/11/21 15:35:29
56
cikezaixian
电源币:0 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:9
LV2
班长
MARK~~~~~~~~~
2011/12/05 12:48:16
57
fengxunshi
电源币:0 | 积分:0 主题帖:2 | 回复帖:178
LV5
营长

 

呵呵,拜读帖子, 推导很流畅, 就上面不太明白, Irms 有效值电流,在CCM 模式下,

如何推出到,根号下,平均峰值电流建立联系的呢, 团长能详细这个过程么??

2011/12/07 23:54:50
61
cheng111
电源币:507 | 积分:0 主题帖:33 | 回复帖:2221
LV11
统帅
等LZ解析。
2011/12/07 23:56:59
62
笨小孩1114
电源币:786 | 积分:0 主题帖:24 | 回复帖:1143
LV10
司令
这个从有效值的定义入手来推导就可以啦。
2011/12/15 19:54:01
66
cheng111
电源币:507 | 积分:0 主题帖:33 | 回复帖:2221
LV11
统帅
梯形波的有效值,需要把电流平方。
2011/12/19 12:47:32
74
fengxunshi
电源币:0 | 积分:0 主题帖:2 | 回复帖:178
LV5
营长

呵呵,不错,梯形波有效值,推了哈,pass,

但上面公式 根号内少了个 D,貌似,

下面的 ds =   是不是 (1-D)该在分子,

2012/06/04 16:04:55
146
elven_boy
电源币:104 | 积分:0 主题帖:4 | 回复帖:51
LV4
连长
怎么推导的 可以解析给我么
2013/01/10 22:36:13
175
Constance[版主]
电源币:2498 | 积分:86 主题帖:107 | 回复帖:1599
LV11
统帅
很好!
2011/12/06 11:03:07
59
zq2007
电源币:174 | 积分:0 主题帖:122 | 回复帖:3590
LV11
统帅
楼主的公式里面又出现了一些新的参数,如DVin何解?
2011/12/15 21:44:44
68
amonson
电源币:723 | 积分:0 主题帖:4 | 回复帖:390
LV8
师长
没有新参数啊,D是占空比,Vin是输入电压, DVin/f 就是通常说的VTon
2012/06/04 16:06:27
147
elven_boy
电源币:104 | 积分:0 主题帖:4 | 回复帖:51
LV4
连长
应该是VinTon吧  呵呵?
2011/12/15 14:24:38
63
liuxxpirate
电源币:0 | 积分:0 主题帖:5 | 回复帖:16
LV3
排长

DCM 模式下,I2 =0     那就有KRF=KRP=1  。

还哪儿来的  大小比较呢

2011/12/15 18:13:39
64
笨小孩1114
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LV10
司令
没看明白你神马意思啊?
2011/12/15 19:56:14
67
cheng111
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LV11
统帅

你是指if后面的字吗?这个if就是指I2=0

2011/12/15 21:47:42
69
amonson
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LV8
师长
大小比较是基于一定前提的,比如Vin相等,D相同,f相同,输出功率Vo*Io相同,在这些条件下,L大到一定程度就会进入CCM
2011/12/17 17:02:59
72
cheng111
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LV11
统帅
是的。
2011/12/17 23:23:08
73
笨小孩1114
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LV10
司令

amonson兄,抽空给大家讲讲 环路控制方面的课程啊。

2012/02/27 23:25:16
115
258481469
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LV3
排长
好贴,必须要留下脚印…
2013/01/10 22:36:37
176
Constance[版主]
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LV11
统帅
很好!
2011/12/16 14:35:05
70
zq2007
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LV11
统帅
请楼主解释一下这个等 式的依据:
2011/12/17 17:02:45
71
cheng111
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LV11
统帅
后面部分计算出来是DCM模式下的平均电流值。
2011/12/19 12:53:26
75
fengxunshi
电源币:0 | 积分:0 主题帖:2 | 回复帖:178
LV5
营长
DCM 时,貌是这样,
2011/12/19 22:07:08
76
cheng111
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LV11
统帅
是的。
2012/06/04 15:40:51
144
elven_boy
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LV4
连长
其实我觉得不应该是D 应该是Ton 那样才合理些
2013/01/10 22:37:41
177
Constance[版主]
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LV11
统帅
学习了!
2011/12/23 13:45:02
77
yiyuanyibai
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LV2
班长

问一下原文公式的出处是哪里   方便给一下吗

2012/01/12 20:14:05
84
amonson
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LV8
师长
你看到的这个帖子就是原文
2012/01/03 21:08:00
79
waterayay
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LV7
旅长

~~~顶

2012/01/05 21:10:01
80
xmytq
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LV5
营长

做个记号,顶

2012/01/12 19:35:56
81
witwitvizard
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LV1
士兵
MARK!稍后拜读!
2012/01/12 20:05:20
82
zq2007
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LV11
统帅
 请楼主解释一下。
2012/01/12 20:13:02
83
amonson
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LV8
师长
输入功率等于输入直流电压乘以占空比乘以输入平均电流,DCM模式输入平均电流等于输入峰值电流的一半,从而得到这个等式。
2012/01/12 21:34:23
85
小凡凡
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LV7
旅长

此公式好像是只适用于临界模式,真正的DCM模式计算公式似乎非常复杂。

 

2012/01/12 22:12:32
86
amonson
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LV8
师长
开门时间内的输入功率根据图形积分出来就是这个结果,如果根据输出电压电流来算才是非常复杂,这里带入的变量都是输入电压电流,就这个不复杂
2012/01/12 22:21:30
87
小凡凡
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LV7
旅长

这么晚还在发帖,你不会家啊?

2012/01/13 09:30:18
88
zq2007
电源币:174 | 积分:0 主题帖:122 | 回复帖:3590
LV11
统帅

L1为CCM模式下的感量,L2为DCM模式下的感量,

I2这一段如何理解呢?  还有电流波形一般是如何测试的? 

2012/01/13 09:37:11
89
zq2007
电源币:174 | 积分:0 主题帖:122 | 回复帖:3590
LV11
统帅
KRF是一个什么参数?是电流比值还是?
2012/01/13 09:41:16
90
小凡凡
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LV7
旅长

KRF,飞兆、安森美等公司习惯用。

跟KRP是一个意思,就是计算时稍有点差别

2012/01/13 10:07:13
93
r2271297
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LV6
团长
KRF这个系数不伦不类,可能电流纹波率r有版权吧,r值既好使用又容易理解。
2012/01/13 10:14:10
94
小凡凡
电源币:123 | 积分:0 主题帖:10 | 回复帖:191
LV7
旅长
英雄所见略同,早就有怀疑.
2012/01/13 16:16:18
97
雪花梅花
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LV6
团长
正点,我也这么认为
2013/01/10 22:39:14
178
Constance[版主]
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LV11
统帅
同问!
2012/01/13 09:53:42
91
r2271297
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LV6
团长

我很想问问楼主,你这么计算是不是经常会发现出来的结果偏差较大,什么公式在什么工作模式下适用,不能确定适用范围,就应该从最基本的公式着手分析。就像82楼zq版问的这个式子,只能是DCM模式下适用,而你在计算CCM模式的电感量时也把这个式子用进去了,Ipk2包涵I2的值,而两者再相加,这样来求得初级平均电流显然不妥,类似估算,因为这样等于每个周期都要输入I2的能量值,幸好这里面有个该死的Krf参数,要不就很难完成这个计算,一切的不准确都包含于Krf参数了!另外,工作于什么模式下匝比N很重要,虽然在CCM下可以用D体现,但是DCM呢,所以你这个计算结果真的太粗略了。

2012/01/13 10:05:49
92
小凡凡
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LV7
旅长

详细的理论分析,一直是件很痛苦的事情。

2012/01/13 11:16:27
95
r2271297
电源币:30 | 积分:0 主题帖:7 | 回复帖:143
LV6
团长

还行吧,反正对于动手动脑,我喜欢选择动脑;没有准确的计算,动手就要多点了。

2012/01/13 18:34:43
99
amonson
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LV8
师长
我倒觉得理论是指导实际用,只要计算一下这个方案理论上可行,那么剩下的就是实验居多了,只动手不动脑就怕忙活半天最后计算发现这玩意根本无法实现,那就杯具了。。。
2012/01/13 18:31:56
98
amonson
电源币:723 | 积分:0 主题帖:4 | 回复帖:390
LV8
师长
实话实说我这么计算只是贴出来方便大家理解,我实际做的时候是不会算这么多的。。。搞清楚来龙去脉就好了,真要想把一个产品的全部参数算出来就量产我是没那个能力的,实验才是王道。之所以算这么多,只是方便自己理解,DCM有哪些优点,CCM有哪些优点,在设计之初根据需求先定好工作模式。
2012/06/04 15:49:48
145
elven_boy
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LV4
连长

说的很正确 Ipk2已经包涵了I2的值,为什么后面还要用两者之和来算初级平均电流呢

2013/01/10 22:39:52
179
Constance[版主]
电源币:2498 | 积分:86 主题帖:107 | 回复帖:1599
LV11
统帅

正常吧!

2012/01/13 16:13:48
96
雪花梅花
电源币:81 | 积分:0 主题帖:2 | 回复帖:333
LV6
团长

说得很详细,谢谢!

2012/01/13 21:28:00
100
zq2007
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LV11
统帅

48V 0,52A的适配器应该设计在那种模式比较好?


2012/01/13 21:38:18
101
小凡凡
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LV7
旅长

对于CIN成本限制及HVDC电压波动明显的产品,如LLC、宽范围反激等。

要求-25℃以下温度正常起机工作,第一步要做的是用实验的方法精确测量HVDCMIN。然后才能进行理论部分的计算。

不知上面属于动手还是动脑?

开关电源里 “三分理论,七分实践” 的这个经典的观点,可能暂时还是动摇不了。

 

2012/01/14 09:10:28
102
r2271297
电源币:30 | 积分:0 主题帖:7 | 回复帖:143
LV6
团长
HVDCMIN?你是说的最低输入时Cin上纹波的谷底电压,在低温时电容容量减小的情况么
2012/01/14 12:06:33
104
小凡凡
电源币:123 | 积分:0 主题帖:10 | 回复帖:191
LV7
旅长

是的,包括低温下热敏电阻等元件等,其形成的压降不是一般的高。

低温下,实际的HVDCMIN比计算值小很多,此值只能靠实际测量来获得,且冷冻时间必须足够长。

在这个问题,有不少公司吃过苦头。

2012/01/14 12:49:56
105
r2271297
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LV6
团长

参数取的太临界,确实难以控制,要不就不会有裕量设计的做法了,不过要这么控制成本的,我还没做过,就算是以前做适配器也没有,呵呵。只记得那时客户都是要电容寿命多长,MTBF要达到多少,要不是外壳限制,我只想放大点

2012/01/14 13:51:00
106
小凡凡
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LV7
旅长

宽范围反激,无PFC产品,原边CIN的纹波电流你们是否也都能够满足?

适配器,先不说满不满足各种参数,如果你们能做到宽范围输入,2UF/W的CIN,在这个行业就已经相当不错了。

有些客户的要求都很变态,就电容一项,不能用国产的,不能用400V的,寿命不能低于几千几千小时的,更有甚者,容量有要求,这些都碰到过。

 LO10-26D0812-04 

2012/01/14 14:05:11
107
r2271297
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LV6
团长

首先,宽范围,如果是指90-264,纹波电流是指有效值,那当然满足,这是基本的。如果其他我所未涉足的领域,就不太清楚,所选取的容量为略小于2UF/W

2012/01/14 14:12:19
108
小凡凡
电源币:123 | 积分:0 主题帖:10 | 回复帖:191
LV7
旅长

他这个还是-25℃,65-460,任意两路隔离电压4000VAC。

还有更低、更变态的  -40℃,45-480VAC,单管变换,不要怀疑这种产品的真实性,国家的电网上全是这玩意

2012/01/14 14:20:21
109
r2271297
电源币:30 | 积分:0 主题帖:7 | 回复帖:143
LV6
团长

这么低输入的见过,以前一同事的电表适配器,多组输出;这么高输入的,今天听你说过。而户外的电源,-40℃下工作是基本的

2012/01/14 14:21:27
110
小凡凡
电源币:123 | 积分:0 主题帖:10 | 回复帖:191
LV7
旅长

其实谁都想好好设计产品,很多时候都是被逼的。

例如昨天那个“客户要求500KHZ开关频率,150V输出”的帖子

2012/01/14 14:30:34
111
r2271297
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LV6
团长

做多了定制电源,这些问题就司空见惯了,有些实在难以达到的指标可以跟客户扯皮的,事实上他们也一般留有余地

2012/01/14 14:35:53
112
小凡凡
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LV7
旅长

有一次我给一客户打电话咨询情况(那人是女的,大妈级的),她用阴阳怪气的语气丢下一句话:“那你看着办吧”,就把电话挂了。。。。。。。。

 难道不能商量吗

2012/01/14 14:50:06
113
r2271297
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LV6
团长

肯定是你碰到人家那几天了!跑题了....罪过

2012/11/07 09:39:07
160
hblsh
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LV5
营长
这个电源牛B。为好做
2013/01/10 22:40:53
180
Constance[版主]
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统帅
高压?
2012/02/29 00:00:51
118
amonson
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LV8
师长

好久没来顶这个帖了,你们的讨论今天才看到,不过-40度之类的还是可以计算的,而且我是以计算为主。首先是留够余量,一般电容讲的+/-20%误差,其-20%就是出现在最低温度的时候(当然要靠谱的电容生产商,偷工减料的不算);其次热敏电阻等在低温下也会给出一个最大电阻值,按照这两个参数算出来的HVDCMIN,再适当减去几V,余量就一定够了,当然成本上可能就不是那么优化。

难于精确计算的主要还是磁性元件,一般磁材的误差就大,而且在很大误差范围内都可以实现同样的功能,所以要根据性能优化。主要是根据EMI的表现来调整,这个真的是没办法精确计算。除非不计成本的外加滤波器,否则变压器这些器件是不可能算好就用的,总是可能要微调匝比、屏蔽、绕法等方面来实现更优的性能。

2012/02/29 13:22:43
119
无敌司马亮
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LV5
营长
好帖,顶起~~~
2013/01/10 22:42:03
181
Constance[版主]
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LV11
统帅

学习了!

2013/12/27 15:42:06
210
dq8259
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LV5
营长
楼主讲的很详细,大家讨论的很热烈
2013/03/25 23:33:40
186
心碎的乌托邦
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LV6
团长

tingke

2012/02/28 00:49:04
116
258481469
电源币:0 | 积分:0 主题帖:2 | 回复帖:36
LV3
排长
amonson大虾,今天开始慢慢学习变压器,多多向你学习了…
2012/02/29 20:55:47
120
hongyuying
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LV4
连长
好贴,顶个先
2012/03/01 11:08:19
121
zhenxiang
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LV10
司令
上面那款金升阳的模块,好几家都在做,坛子里有谁在做一起来讨论下,我这也在开发这款,效果始终不是很好
2013/01/10 22:42:59
182
Constance[版主]
电源币:2498 | 积分:86 主题帖:107 | 回复帖:1599
LV11
统帅
是啊!
2012/03/03 11:44:46
124
122013137
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LV3
排长