DCM CCM DC-DC

为什么DC-DC工作在DCM模式事，MOS管的损耗要比工作在CCM模式下的损耗大呢？？

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笨小孩1114

LV.10

2011-11-02 11:17

你要的答案参考,旅长最近的所讲的贴子：http://bbs.dianyuan.com/topic/734778

cqky2010

LV.4

2011-11-02 17:10

@笨小孩1114

你要的答案参考,旅长最近的所讲的贴子：http://bbs.dianyuan.com/topic/734778

看了下，对于损耗的理论计算很多文献给出的公式都不一样。虽然用的导通关断的模型时一样的，方法也一样。但是出来的结果不一样。

cheng111

LV.11

2011-11-02 18:06

我一直认为DCM的损耗小，现在也是这样。

amonson

LV.8

2011-11-02 20:23

FET的电流应力大，导通损耗大

bumper_163

LV.7

2011-11-02 23:11

@amonson

[图片] FET的电流应力大，导通损耗大

mark

笨小孩1114

LV.10

2011-11-02 23:56

@amonson

[图片] FET的电流应力大，导通损耗大

amonson 很佩服你。向你学习！

cheng111

LV.11

2011-11-03 09:03

@amonson

[图片] FET的电流应力大，导通损耗大

在DCM模式中，MOS管的导通时的开关损耗基本为0.不能单看一个的。

szkjxwtw

LV.2

2011-11-03 16:18

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amonson

LV.8

2011-11-03 17:13

@cheng111

在DCM模式中，MOS管的导通时的开关损耗基本为0.不能单看一个的。

这个要看开关频率和连续深度。小功率应用场合由于初级电流很小，因此导通损耗也很小，开关损耗为主要部分。那么如果工作在DCM方式，FET零电流开通，开通损耗会大幅减小，但关断时电流变化更大，关断损耗会小幅增加。综合来看，在频率不很低且功率很小时，DCM模式下的FET损耗未必一定大于CCM模式。不过随着功率的增加，DCM模式的各种损耗也随之大幅增加，而且会带来EMI方面的麻烦，这时CCM就更具有优势了。