磁芯加气隙的作用求理解。

书上说加气隙的作用：

1：可以使磁滞回线倾斜，磁导率降低。

2：提高饱合安匝数。

这两句怎么可以更好的理解呢。求高手解释

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EeTsang

LV.5

2011-10-21 18:45

加气隙提高饱和N*I，变压器大部分能量存储在气隙中，气隙越大，变压器能存储的能量越大，故不容易饱和，变压器磁芯储能能力 E=0.5*B*V*H.,加入气隙后，H是磁芯和空气部分等效He

空心线圈永不饱和，故加入气隙后，整个磁路具有一点空气特性。饱和磁通密度仍然为磁芯材料的饱和磁通密度。但是，变压器能承受更多能量（在气隙中占大部分）。

笨小孩1114

LV.10

2011-10-21 18:56

我来回答第一个问题，看图就明白了。

hebaiyanpao

LV.4

2011-10-21 20:15

@EeTsang

加气隙提高饱和N*I，变压器大部分能量存储在气隙中，气隙越大，变压器能存储的能量越大，故不容易饱和，变压器磁芯储能能力E=0.5*B*V*H.,加入气隙后，H是磁芯和空气部分等效He空心线圈永不饱和，故加入气隙后，整个磁路具有一点空气特性。饱和磁通密度仍然为磁芯材料的饱和磁通密度。但是，变压器能承受更多能量（在气隙中占大部分）。

谢谢。磁学这很薄弱啊

hebaiyanpao

LV.4

2011-10-21 20:15

@笨小孩1114

我来回答第一个问题，看图就明白了。[图片]

恩。很直观

fhvk85

LV.5

2011-10-21 21:28

用数学方法来说明：伏秒关系N*B*S=L*I 电感储能E=1/2L*I~2 磨气隙后 L下降磁芯就可以承受较大电流这个二次函数在I大于0时是增函数，E是上升的！当然做的时候L不能取太小！

andeshu

LV.2

2011-10-22 00:43

@fhvk85

照这两个式子L取很小都能满足变压器饱和及储能的条件了，那L不能取很小的原因是其他元件不能承受这么大电流吗

EeTsang

LV.5

2011-10-22 08:15

@andeshu

照这两个式子L取很小都能满足变压器饱和及储能的条件了，那L不能取很小的原因是其他元件不能承受这么大电流吗

I=V/L *Dt V/ L是电流上升的斜率，电感小，电流上升斜率大，但频率在那里摆着的，电感不能太小

EeTsang

LV.5

2011-10-22 08:16

@hebaiyanpao

谢谢。磁学这很薄弱啊

看磁芯方面的书籍啊

fhvk85

LV.5

2011-10-22 17:35

@andeshu

照这两个式子L取很小都能满足变压器饱和及储能的条件了，那L不能取很小的原因是其他元件不能承受这么大电流吗

不是承受的问题。是铜损大了，得不偿失！！

萍水相丰

LV.7

2011-10-22 20:26

@fhvk85

不是很懂。。。

PENG_7606

LV.2

2011-10-23 22:07

@笨小孩1114

我来回答第一个问题，看图就明白了。[图片]

有什么磁学方面的好书集，麻烦推荐一下

笨小孩1114

LV.10

2011-10-24 07:50

@PENG_7606

有什么磁学方面的好书集，麻烦推荐一下[图片]

赵修科老师的《磁性元器件设计》，这本书由易到难，讲的很好，而且还有很多实例。建议先看这本书，熟悉基础知识和原理，然后再看一些变压器方面的设计案例资料，有条件的话，自己可以绕制几个玩玩，看看效果。

sunpeng

LV.6

2011-10-24 10:00

@EeTsang

楼上对磁隙理解不正确

EeTsang

LV.5

2011-10-24 13:30

@sunpeng

楼上对磁隙理解不正确

哪你说怎么理解？

这是马尼克塔拉的分析指出，你还在这里一派胡言说不正确？还请你来分析下？？

可笑的人还真多！

cheng111

LV.11

2011-10-24 14:02

@andeshu

照这两个式子L取很小都能满足变压器饱和及储能的条件了，那L不能取很小的原因是其他元件不能承受这么大电流吗

L取小了，漏感的比例也会增大的。

萍水相丰

LV.7

2011-10-24 16:28

@EeTsang

哪你说怎么理解？这是马尼克塔拉的分析指出，你还在这里一派胡言说不正确？还请你来分析下？？可笑的人还真多！

请大师详解

小矿石

LV.10

2011-10-24 21:22

@EeTsang

一语道破啊，在这方面郁闷了好久了，谢谢

amonson

LV.8

2011-10-24 21:29

这个已经就是很好的理解了。最大饱和磁感应强度不变，磁导率降低，所以在不饱和的前提下能承受更大的安匝数。

二手电工

LV.3

2011-10-25 04:37

由最基本的开始

法拉第定律：变化的磁场产生电场。

V = -N*d(phi)/dt

安培环路定律: 环绕的电流等于磁动势。安匝数 = MMF

F = H*l = N*I.

磁路类比于电路，磁动势相当于电压源，磁通相当于电流，那磁阻

Rm = H*L/(B*A) = L/(ur*u0*Ac)；

当增加气隙是，空气的ur远比磁性材料的小，故气隙磁阻很大，那整个磁路的磁阻也就很大，那么

NI = Rm*phi。

磁性材料的最大磁通密度在有无气隙是都一样，是材料特性，而且横截面积也不变

故

NI = Rm*B*Ac

所以饱和安匝数提高，相当于电流不变，电阻变大，电压就变大的道理。

chenchang19810620

LV.1

2013-07-18 21:45

@二手电工

由最基本的开始法拉第定律：变化的磁场产生电场。V=-N*d(phi)/dt安培环路定律:环绕的电流等于磁动势。安匝数=MMFF=H*l=N*I.磁路类比于电路，磁动势相当于电压源，磁通相当于电流，那磁阻Rm=H*L/(B*A)=L/(ur*u0*Ac)；当增加气隙是，空气的ur远比磁性材料的小，故气隙磁阻很大，那整个磁路的磁阻也就很大，那么NI=Rm*phi。磁性材料的最大磁通密度在有无气隙是都一样，是材料特性，而且横截面积也不变故NI=Rm*B*Ac所以饱和安匝数提高，相当于电流不变，电阻变大，电压就变大的道理。

说的真好！豁然开朗！谢谢！