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[讨论]各位朋友,讨论一下用MOS管做图腾柱输出的问题

我找到一款MOS管,AO4606:是一种把一个N沟和一个P沟封装在一起的结构形式,电流6A,耐压30V,SO8封装,体积很小,能不能把这个用来做图腾输出,请各位高手发表下自已的看法。

 

下面是它的PDF文档:

AO4606-N沟P沟对管 

 

 

 

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2011-09-26 09:30

老寿师傅,这个我也看过,给钟工讲过,他说这东西的开启电压高了。

可以整个实际试试。

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2011-09-26 09:54
@宛东骄子
老寿师傅,这个我也看过,给钟工讲过,他说这东西的开启电压高了。可以整个实际试试。

价格很便宜,不到1元钱,我已买了,等东西到了,试一试。

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2011-09-26 11:37
@萧山老寿
价格很便宜,不到1元钱,我已买了,等东西到了,试一试。

他们的不行,VGSTH太高了:

 

 

我们的有一颗P管可以,SOT-23的,VGSTH和三极管差不多。可惜没有参数差不多的N管配对:

 

 

RU20P4C 

 

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2011-09-26 12:04

寿工都用上这东西做图腾,是不是又准备搞牛机了啊?

用MOS来做,是不是需要将P和N的位置颠倒,因为P需要GS电压4.5V,所以是不是和三极管的不一样啊?

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2011-09-26 12:45
@lizlk
寿工都用上这东西做图腾,是不是又准备搞牛机了啊?用MOS来做,是不是需要将P和N的位置颠倒,因为P需要GS电压4.5V,所以是不是和三极管的不一样啊?
我仿真过,和三极管的接法一样的。
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czlw888
LV.7
7
2011-09-26 13:58
@萧山老寿
我仿真过,和三极管的接法一样的。
如果是作大功率场管作驱动,还不如用4420,4421之类,如果推IGBT,用3120是不错的选择,供参考。
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2011-09-26 14:07
@萧山老寿
我仿真过,和三极管的接法一样的。
推H桥用一个HIP40821P就可以了。
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9053226
LV.5
9
2011-09-26 19:59
@萧山老寿
我仿真过,和三极管的接法一样的。
IRFD120+IRFD9120再加个EI28之类的做推动你们看可行不
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xuewuheng
LV.7
10
2011-09-26 21:35
@9053226
IRFD120+IRFD9120再加个EI28之类的做推动你们看可行不[图片]?
CMOS不能做图腾吧,毕竟结电容的电难放出来啊,即使P,N沟道合装也存在结电容啊
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2011-09-27 11:35
@萧山老寿
我仿真过,和三极管的接法一样的。

期待寿工的结果!

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tby2008
LV.9
12
2011-09-27 11:38
@xuewuheng
CMOS不能做图腾吧,毕竟结电容的电难放出来啊,即使P,N沟道合装也存在结电容啊

错图删除

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tby2008
LV.9
13
2011-09-27 11:56
@lizlk
期待寿工的结果!
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9053226
LV.5
14
2011-09-27 21:35
@tby2008
http://www.eeworld.com.cn/dygl/2011/0912/article_6690.html
MOS管做图腾柱输出应该是可行的,一些无锡产的逆变TIG上用的比较多!
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a364796575
LV.6
15
2011-09-28 13:46
@萧山老寿
我仿真过,和三极管的接法一样的。
仿真用什么软件  老寿老师
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2011-09-28 15:50
@a364796575
仿真用什么软件 老寿老师
Multisim 10.0 网上有下载的。
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javike
LV.12
17
2011-09-28 18:28
图腾的MOS是不是用结型MOS比较好呀
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2011-09-29 11:32
@javike
图腾的MOS是不是用结型MOS比较好呀
管子到了,这几天抽时间试一下再说。
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fayehuang99
LV.6
19
2011-09-29 13:08

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fayehuang99
LV.6
20
2011-09-29 13:09
@fayehuang99
[图片]
我用已经用AP4503做了 NMOS+PMOS
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javike
LV.12
21
2011-09-29 18:23
@萧山老寿
管子到了,这几天抽时间试一下再说。
嗯,看驱动波形给不给力。。。。
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2011-10-01 19:39
@fayehuang99
我用已经用AP4503做了NMOS+PMOS

99兄用的AP4503 好象和AO4606差不多的,

我现在有一个问题,MOS管做图腾,倒底哪一种接法好,见下图,你好象用的是“接法二”。

 

还请各位朋友分析一下,哪种接法更有利?

 

 

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2011-10-01 19:46
@萧山老寿
99兄用的AP4503好象和AO4606差不多的,我现在有一个问题,MOS管做图腾,倒底哪一种接法好,见下图,你好象用的是“接法二”。[图片] 还请各位朋友分析一下,哪种接法更有利?  

 我今天照“接法一”,对AO4606进行了试验,方波信号是函数信号发生器产生的。

示波器上的 黄色波形是输出信号,蓝色波形是输入信号。

电源电压14V,波形还可以,残留电压也不高,就是输出幅度好象损失比较大,输出要比输入降低1.6V左右。

 

下图是输入信号参数:

 

下图是输出信号参数:

 

下图是上升时的延时:延时很小,不知是否符合做图腾的要求?

 

下图是下降时的延时:基本同步。

 

 

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tby2008
LV.9
24
2011-10-02 13:57
@萧山老寿
 我今天照“接法一”,对AO4606进行了试验,方波信号是函数信号发生器产生的。示波器上的黄色波形是输出信号,蓝色波形是输入信号。电源电压14V,波形还可以,残留电压也不高,就是输出幅度好象损失比较大,输出要比输入降低1.6V左右。[图片] 下图是输入信号参数:[图片] 下图是输出信号参数:[图片] 下图是上升时的延时:延时很小,不知是否符合做图腾的要求?[图片] 下图是下降时的延时:基本同步。[图片]  
寿老师,不知道接法一如果接容性负载,上升和下降沿是否会受到限制;希望测试一下
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tby2008
LV.9
25
2011-10-02 14:27
@tby2008
寿老师,不知道接法一如果接容性负载,上升和下降沿是否会受到限制;希望测试一下

 

C1 C2为mos结电容;当in输入高电平,由于C2容量过大(可以看出短路)C1充电很快完成(自举供电),然后图腾Nmos导通,使C2完全充电;此时C1可以看做一个独立电源,显然C1电压与vcc串联通过in对地电阻及驱动内阻放电,这样的话就对驱动频率有一定的限制性,最起码不适合做很低频率,当然对于数K以上的频率,我想影响应该不大;等待求证...

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2011-10-02 15:39
@tby2008
[图片] C1C2为mos结电容;当in输入高电平,由于C2容量过大(可以看出短路)C1充电很快完成(自举供电),然后图腾Nmos导通,使C2完全充电;此时C1可以看做一个独立电源,显然C1电压与vcc串联通过in对地电阻及驱动内阻放电,这样的话就对驱动频率有一定的限制性,最起码不适合做很低频率,当然对于数K以上的频率,我想影响应该不大;等待求证...

 

按接法一,在输出端并6800P电容一个,相当于FQL40N50的结电容,上升时间稍有变长,但不明显,下降沿好象没有变化,我在栅极电阻上并有二极管。频率12.4K.

 

 

 

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2011-10-02 15:44
@萧山老寿
 按接法一,在输出端并6800P电容一个,相当于FQL40N50的结电容,上升时间稍有变长,但不明显,下降沿好象没有变化,我在栅极电阻上并有二极管。频率12.4K.[图片] [图片]  

按接法二,即共D接法,一上电,电流有100MA,波形也不好,稍过一会,AO4606就烧毁。换一片,又牺牲。

 

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tby2008
LV.9
28
2011-10-02 17:05
@萧山老寿
按接法二,即共D接法,一上电,电流有100MA,波形也不好,稍过一会,AO4606就烧毁。换一片,又牺牲。[图片] 
按接法二实验,烧片;应该是两mos同时导通了,输入端接上拉电阻,给结电容一个放电回路。还有当输入信号高电位低于VCC  4V 以上NP mos就应该是同时导通的
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2011-10-02 19:27
@tby2008
按接法二实验,烧片;应该是两mos同时导通了,输入端接上拉电阻,给结电容一个放电回路。还有当输入信号高电位低于VCC 4V以上NPmos就应该是同时导通的

那么,旅长,好象按接法二,电路要复杂一些,安全性也让人担心,依旅长之见,这二种接法,在频率在20-30K时,哪种接法好一些?

 

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tby2008
LV.9
30
2011-10-04 17:15
@萧山老寿
那么,旅长,好象按接法二,电路要复杂一些,安全性也让人担心,依旅长之见,这二种接法,在频率在20-30K时,哪种接法好一些? 

当然我还是看好接法二,从寿老师测试的来看,接法一工作在20K应该是没有问题的;

下面是接法二补充图,辅助电路比较多(个人设计,没有经过测试,请慎重使用)

 

推挽工作时,需要两个上面的驱动电路;inA,inb接PWM1;inB,ina接PWM2;在没有加入Q9时,推挽主mos间死区及下降沿会受到影响;

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GreenEnergy
LV.7
31
2011-10-04 22:11
@tby2008
错图删除

这是个错图。

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