计算过程：
初级跟辅助是不是T数一样啊
这个图做出来上机烧MOS管。。MOS热，求高手指教
正激变压器这样设计方法可行？有图，有真相，正激第一次做
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@ZZZYL
变压器计算全错了，如果是反澂这种计算方法还可以，正激就大错了。一是正激副边不是一个储能电感，不适应用此式子算副边匝数，二是反射电压也不适用此式。原边53T差不多,副边应至少11T。
看一下人家的计算方法对不：
Input：Uin=220VAC，50HZ，
Output：Uout=32VDC，Io=3A，辅助输出±15V，辅助供电：10V
Po=110W
f=65KHZ，η=80%，Dmax=0.4
计算过程：
Uinmin=1.2*0.8*Uin=211V Uinmax=1.4*1.2*Uin=370V
T=1/f=15.4µs
Ton=Dmax*T=6.16µs； Toff=T-Ton=9.24µs
Pin=Po/η=137.5W
副边匝数：
设B=0.2，磁芯EI40Ae=148mm²
Ns=（Uout+Ud）*Toff/（BAe）=（32+1）*9.24/（0.2*148）=10.3≈11T
反射电压：
Uor=Uinmin*Dmax/（1-Dmax）=141V
匝比：
N=Uor/（Uout+Ud）=141/33=4.27
原边匝数：
Np=N*Ns=4.27*11≈47T
辅助输出副边匝数Nf=Np/（Uor/15V）≈5T
辅助供电：Np/（Uor/10V）≈4T
原边感量计算：
设输出30W时进入临界模式，则此时的原边平均电流
Iavg=（Pocrm/η）/Uinmin=0.178A
由于Iavg=0.5*Dmax*Ipkcrm，所以Ipkcrm=2*Iavg/Dmax=0.89A
临界电感储能：Wlcrm=（Pocrm/η）/f=577µJ
由于Wlcrm=0.5*Lcrm*Ipkcrm²，故可求出Lcrm=2*Wlcrm/Ipkcrm²=1.457mH
满载原边峰值电流的计算：
平均电流Ia=Pin/Uinmin=0.65A
开关管导通时的电流增量δI=Ia*T/Ton=1.625A
CCM下，设Ipk2=3Ipk1，则δI=Ipk2-Ipk1=2*Ipk1，故Ipk1=δI/2=0.8125A
Ipk2=3Ipk1=2.4375A
线径选择：电流密度取4.5A/mm²，趋肤深度h=75/√f=0.29mm，故线径<2*h=0.58mm
所以原边电流有效值为Iprsm=√[（Ipk1²+Ipk2²+Ipk1*Ipk2）*D/3]=1.07A则线截面积为Sp=Iprsm/4.5=0.238mm²
同理副边电流有效值为Isrsm=4.47A则线截面积Ss=Isrsm/4.5=0.994mm²
由以上可算出，原边线径0.41mm*2，副边0.55mm*5
实际绕制变压器的Lp=1580µH；Lr=21µH
所以RCD吸收的能量Wlr=0.5*Lr*Ipk2²=62.38µJ,功率为Plr=Wlr*f=4.055W
设RCD电容两端电压等于反射电压的2倍则R>（2Uor）²/4.2=19.6K
C=T/R约取589pF
MOS管是SSP6N90A, 6A，900V
Np=(Ui*Dmax)/(Ae*Bmax*f)
Ui:最低输入电压,V
Dmax:最低输入电压时的最大占空比,一般为0.2-0.4;
Ae:变压器磁芯有效截面积;m^2
Bmax:最高温度下磁芯的最大磁通密度,一般铁氧体为0.16-0.2T;
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@chenhaijun9797
看一下人家的计算方法对不：Input：Uin=220VAC，50HZ，Output：Uout=32VDC，Io=3A，辅助输出±15V，辅助供电：10VPo=110Wf=65KHZ，η=80%，Dmax=0.4 计算过程：Uinmin=1.2*0.8*Uin=211V Uinmax=1.4*1.2*Uin=370VT=1/f=15.4µsTon=Dmax*T=6.16µs； Toff=T-Ton=9.24µsPin=Po/η=137.5W 副边匝数：设B=0.2，磁芯EI40Ae=148mm²Ns=（Uout+Ud）*Toff/（BAe）=（32+1）*9.24/（0.2*148）=10.3≈11T 反射电压：Uor=Uinmin*Dmax/（1-Dmax）=141V 匝比：N=Uor/（Uout+Ud）=141/33=4.27 原边匝数：Np=N*Ns=4.27*11≈47T 辅助输出副边匝数Nf=Np/（Uor/15V）≈5T辅助供电：Np/（Uor/10V）≈4T原边感量计算：设输出30W时进入临界模式，则此时的原边平均电流Iavg=（Pocrm/η）/Uinmin=0.178A由于Iavg=0.5*Dmax*Ipkcrm，所以Ipkcrm=2*Iavg/Dmax=0.89A临界电感储能：Wlcrm=（Pocrm/η）/f=577µJ由于Wlcrm=0.5*Lcrm*Ipkcrm²，故可求出Lcrm=2*Wlcrm/Ipkcrm²=1.457mH满载原边峰值电流的计算：平均电流Ia=Pin/Uinmin=0.65A开关管导通时的电流增量δI=Ia*T/Ton=1.625ACCM下，设Ipk2=3Ipk1，则δI=Ipk2-Ipk1=2*Ipk1，故Ipk1=δI/2=0.8125AIpk2=3Ipk1=2.4375A 线径选择：电流密度取4.5A/mm²，趋肤深度h=75/√f=0.29mm，故线径（2Uor）²/4.2=19.6KC=T/R约取589pFMOS管是SSP6N90A, 6A，900VNp=(Ui*Dmax)/(Ae*Bmax*f)Ui:最低输入电压,VDmax:最低输入电压时的最大占空比,一般为0.2-0.4;Ae:变压器磁芯有效截面积;m^2Bmax:最高温度下磁芯的最大磁通密度,一般铁氧体为0.16-0.2T;
"Ns=（Uout+Ud）*Toff/（BAe）=（32+1）*9.24/（0.2*148）=10.3≈11T"这里不明白。按我看到的书不是这样算的。NS=(Uo+Vf+VL)*Np/(Vin*D)=17.6=18T,
辅助绕组=8T。真搞不懂!
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@chenhaijun9797
看一下人家的计算方法对不：Input：Uin=220VAC，50HZ，Output：Uout=32VDC，Io=3A，辅助输出±15V，辅助供电：10VPo=110Wf=65KHZ，η=80%，Dmax=0.4 计算过程：Uinmin=1.2*0.8*Uin=211V Uinmax=1.4*1.2*Uin=370VT=1/f=15.4µsTon=Dmax*T=6.16µs； Toff=T-Ton=9.24µsPin=Po/η=137.5W 副边匝数：设B=0.2，磁芯EI40Ae=148mm²Ns=（Uout+Ud）*Toff/（BAe）=（32+1）*9.24/（0.2*148）=10.3≈11T 反射电压：Uor=Uinmin*Dmax/（1-Dmax）=141V 匝比：N=Uor/（Uout+Ud）=141/33=4.27 原边匝数：Np=N*Ns=4.27*11≈47T 辅助输出副边匝数Nf=Np/（Uor/15V）≈5T辅助供电：Np/（Uor/10V）≈4T原边感量计算：设输出30W时进入临界模式，则此时的原边平均电流Iavg=（Pocrm/η）/Uinmin=0.178A由于Iavg=0.5*Dmax*Ipkcrm，所以Ipkcrm=2*Iavg/Dmax=0.89A临界电感储能：Wlcrm=（Pocrm/η）/f=577µJ由于Wlcrm=0.5*Lcrm*Ipkcrm²，故可求出Lcrm=2*Wlcrm/Ipkcrm²=1.457mH满载原边峰值电流的计算：平均电流Ia=Pin/Uinmin=0.65A开关管导通时的电流增量δI=Ia*T/Ton=1.625ACCM下，设Ipk2=3Ipk1，则δI=Ipk2-Ipk1=2*Ipk1，故Ipk1=δI/2=0.8125AIpk2=3Ipk1=2.4375A 线径选择：电流密度取4.5A/mm²，趋肤深度h=75/√f=0.29mm，故线径（2Uor）²/4.2=19.6KC=T/R约取589pFMOS管是SSP6N90A, 6A，900VNp=(Ui*Dmax)/(Ae*Bmax*f)Ui:最低输入电压,VDmax:最低输入电压时的最大占空比,一般为0.2-0.4;Ae:变压器磁芯有效截面积;m^2Bmax:最高温度下磁芯的最大磁通密度,一般铁氧体为0.16-0.2T;
正激不是用反射电压算吧？
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@chenhaijun9797
看一下人家的计算方法对不：Input：Uin=220VAC，50HZ，Output：Uout=32VDC，Io=3A，辅助输出±15V，辅助供电：10VPo=110Wf=65KHZ，η=80%，Dmax=0.4 计算过程：Uinmin=1.2*0.8*Uin=211V Uinmax=1.4*1.2*Uin=370VT=1/f=15.4µsTon=Dmax*T=6.16µs； Toff=T-Ton=9.24µsPin=Po/η=137.5W 副边匝数：设B=0.2，磁芯EI40Ae=148mm²Ns=（Uout+Ud）*Toff/（BAe）=（32+1）*9.24/（0.2*148）=10.3≈11T 反射电压：Uor=Uinmin*Dmax/（1-Dmax）=141V 匝比：N=Uor/（Uout+Ud）=141/33=4.27 原边匝数：Np=N*Ns=4.27*11≈47T 辅助输出副边匝数Nf=Np/（Uor/15V）≈5T辅助供电：Np/（Uor/10V）≈4T原边感量计算：设输出30W时进入临界模式，则此时的原边平均电流Iavg=（Pocrm/η）/Uinmin=0.178A由于Iavg=0.5*Dmax*Ipkcrm，所以Ipkcrm=2*Iavg/Dmax=0.89A临界电感储能：Wlcrm=（Pocrm/η）/f=577µJ由于Wlcrm=0.5*Lcrm*Ipkcrm²，故可求出Lcrm=2*Wlcrm/Ipkcrm²=1.457mH满载原边峰值电流的计算：平均电流Ia=Pin/Uinmin=0.65A开关管导通时的电流增量δI=Ia*T/Ton=1.625ACCM下，设Ipk2=3Ipk1，则δI=Ipk2-Ipk1=2*Ipk1，故Ipk1=δI/2=0.8125AIpk2=3Ipk1=2.4375A 线径选择：电流密度取4.5A/mm²，趋肤深度h=75/√f=0.29mm，故线径（2Uor）²/4.2=19.6KC=T/R约取589pFMOS管是SSP6N90A, 6A，900VNp=(Ui*Dmax)/(Ae*Bmax*f)Ui:最低输入电压,VDmax:最低输入电压时的最大占空比,一般为0.2-0.4;Ae:变压器磁芯有效截面积;m^2Bmax:最高温度下磁芯的最大磁通密度,一般铁氧体为0.16-0.2T;
你这个还是反激的算法。其实不管正激还是反激，原边都要抗衡电源电压，所以原边匝数计算是一样的，不同的只是次级，正激次级是感应电压，感应电压是以匝数成正比，但正激次级的感应电压不等于输出电压，因有个滤波电慼，一个周期内次级感应电压的平均值等于输出电压(不考虑二极管压降)，故V0=VsTon/T=VsDT/T=DVs，则Vs=V0/D。而Vs=NsVin/Np，则Ns=VsNp/Vin=VoNp/VinD，若输入电压最低时，则占空比最大，再考虑管压降则，Ns=(Vo+Vdf)Np/VinminDmax。反激时则不是感应电压，而是次级线圈进行磁复位时的放电电压，不考虑二极管的压降则这个放电电压等于输出电压Vo。开关管导通时，磁芯中磁通量增加，其增加量为VinTon/Np=VinDT/Np，开关管关闭时，次级线圈放电复位，磁芯中磁通量减少，其减少量为VoTb/Ns=Vo(T-Tb)/Ns=Vo(1-D)T/Ns。Tb为次级的放电时间，处在电流连续模式或临界模式Tb=T-Ton。我们假设处于这两种模式下。磁通的增加量等于其减少量VinDT/Np=Vo(1-D)T/Ns，则Ns=NpVo(1-D)/VinD。
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