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求助，12V3A效率84% 发热高

求助，12V3A效率84% 发热高

最近做了一款12V3A，板子尺寸为70*45mm，现在板边测试效率为84.2% 90VAC 85.3 250VAC，老化24小时OK，但是认证时变压器温升为125度，高了15度，输入输出线温度高了12度（要求70度）。MOS（5N60 仕兰微）管温度为120度。外壳暂时没有办法改大，只有想办法提升效率了。但是现在该想的办法已经想得差不多了。请高手们指点下，该从哪里下手。变压器用的是EE28 ，600UH 初级-交级-反馈 41- 6- 9（见附件），IC为CR 6853 肖特基用的是20100。

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LV.5

2

2011-09-08 11:48

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LV.8

3

2011-09-08 13:44

@xmytq

[图片] [图片]

你的电流密度取多少？取8吗？
你将次级的线径用0.4*5的试试，

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LV.6

4

2011-09-08 13:49

请问你的输入电容用多大的，12V3A至少要82uF/400V,MOSFET还可以加大比如用8N60，这样MOSFTE的导通电阻要小些，温度就会降低。效率自然也会升高，输出的20100也要加入散热器。还有你输出的线用0.4x3还有点细了,电流密度应该取4-6比较好。按你的变压器参数推算出你的△B值为0.26T,能不能改变器来来减小△B。我来给一个△B=0.2T 的变压器参数：54（0.25x2）：8(0.5x3)：10(0.15) Lp=600uH。

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LV.5

5

2011-09-08 14:20

适配器么？主要是内部温度太高了，温升也就高了。效率要上去就得花成本了。要么就从散热着手了。上下加铜片散热。。。MOS搞个8N60，一个个点去降下去。变压器线径应该问题不大，感量可以调大点。有热敏的话线把热敏拿掉看下温度。温度是难点啊。

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LV.8

6

2011-09-08 18:55

@xmytq

[图片] [图片]

外壳小了点 ~

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LV.5

7

2011-09-08 20:13

@天空skydai

请问你的输入电容用多大的，12V3A至少要82uF/400V,MOSFET还可以加大比如用8N60，这样MOSFTE的导通电阻要小些，温度就会降低。效率自然也会升高，输出的20100也要加入散热器。还有你输出的线用0.4x3还有点细了,电流密度应该取4-6比较好。按你的变压器参数推算出你的△B值为0.26T,能不能改变器来来减小△B。我来给一个△B=0.2T的变压器参数：54（0.25x2）：8(0.5x3)：10(0.15)Lp=600uH。

输入电容是82的，好的，我试下你的变压器参数。

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LV.5

8

2011-09-08 20:14

@yqjwy_2008

你的电流密度取多少？取8吗？你将次级的线径用0.4*5的试试，

当时没有严格的计算。就是不知道EE28能不能挺得住。

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LV.5

9

2011-09-08 20:17

@roc19850

适配器么？主要是内部温度太高了，温升也就高了。效率要上去就得花成本了。要么就从散热着手了。上下加铜片散热。。。MOS搞个8N60，一个个点去降下去。变压器线径应该问题不大，感量可以调大点。有热敏的话线把热敏拿掉看下温度。温度是难点啊。

这个IC推8N的可能会更烫，IC规格书说的是40W以下。主要是现在客户急着做随机认证。麻烦啊，一下子还搞不定

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LV.5

10

2011-09-08 20:19

@mko145

外壳小了点~

确实啊，外壳较小，因为外壳现成的只有这么大。放个ER28都没有办法。

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LV.5

11

2011-09-08 20:21

@roc19850

适配器么？主要是内部温度太高了，温升也就高了。效率要上去就得花成本了。要么就从散热着手了。上下加铜片散热。。。MOS搞个8N60，一个个点去降下去。变压器线径应该问题不大，感量可以调大点。有热敏的话线把热敏拿掉看下温度。温度是难点啊。

这个只有上部分加了铝片散热，底部怕安规及刺破，暂没有加。认证是ITS的，相当严格，变压器初次级间要求打8道玛拉胶带，说是穿透距离不够，这样，生产就麻烦了哦。

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LV.5

12

2011-09-08 20:28

@xmytq

[图片] [图片]

真不知道这位正正兄的91%是怎么做出来的，佩服啊。

http://bbs.dianyuan.com/topic/591710?t=187#last_post

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LV.8

13

2011-09-08 21:31

PCB 布局不太理想。 MOS管靠变压器太近。两个火炉靠在一起，不热才怪。输出的整流管没有散热片，这样肯定不行。PCB 一定要改 ~ 重新画过。效率提高的空间有限，只能靠把内部的热量搞均匀来降低局部温度

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LV.5

14

2011-09-09 17:24

@mko145

PCB布局不太理想。MOS管靠变压器太近。两个火炉靠在一起，不热才怪。输出的整流管没有散热片，这样肯定不行。PCB一定要改~重新画过。效率提高的空间有限，只能靠把内部的热量搞均匀来降低局部温度

嗯，谢谢提醒，要花段时间了

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LV.5

15

2011-09-09 22:21

@xmytq

嗯，谢谢提醒，要花段时间了

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LV.1

16

2011-09-11 11:02

@Wxgshou

关注

壳子太小.主要还是要提高电源的效率或者外壳加散热孔.

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LV.3

17

2011-09-11 11:06

希望问题早解决

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LV.5

18

2011-09-14 19:58

@xmytq

[图片] [图片]

最近申请了个AOP的 4N60 RDS小于2.2R，以前用的是UTC 4N60 RDS为小于2.5R，还申请了一个DIODES的30100，比VF值比现在用的20100小0.15V左右，这样算下来，应该可以提高1个百分点，材料来了再试下

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LV.10

19

2011-09-15 08:28

@mko145

PCB布局不太理想。MOS管靠变压器太近。两个火炉靠在一起，不热才怪。输出的整流管没有散热片，这样肯定不行。PCB一定要改~重新画过。效率提高的空间有限，只能靠把内部的热量搞均匀来降低局部温度

比较赞同,

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LV.5

20

2011-09-17 17:25

@猎人38

希望问题早解决

今天MOS管样品和肖特基样品到了，换上AOP 4N60 功耗比仕兰薇的小了0.4W（很惊讶），换上芯薇的30100功耗又小了0.3W左右，低压的效率差不多提高了2个点。晚上再老化试试。现在在板底增加了3mm厚的导热硅胶，50*40mm，单价为1.1。

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LV.5

21

2011-09-17 17:28

@xmytq

今天MOS管样品和肖特基样品到了，换上AOP4N60功耗比仕兰薇的小了0.4W（很惊讶），换上芯薇的30100功耗又小了0.3W左右，低压的效率差不多提高了2个点。晚上再老化试试。现在在板底增加了3mm厚的导热硅胶，50*40mm，单价为1.1。

MOS管比原来的贵0.4元，肖特基比20100贵0.8元，总的造价比以前差不多贵了2.2元钱，提高了2个百分点。不知道量产的时候客户能不能接受这个价格了。

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LV.5

22

2011-09-17 17:30

@xmytq

MOS管比原来的贵0.4元，肖特基比20100贵0.8元，总的造价比以前差不多贵了2.2元钱，提高了2个百分点。不知道量产的时候客户能不能接受这个价格了。

现在客户已经降低要求，现在按12V2.5A的规格送样测试，应该没有什么问题了。出口澳洲。

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LV.5

23

2011-09-17 17:35

@xmytq

今天MOS管样品和肖特基样品到了，换上AOP4N60功耗比仕兰薇的小了0.4W（很惊讶），换上芯薇的30100功耗又小了0.3W左右，低压的效率差不多提高了2个点。晚上再老化试试。现在在板底增加了3mm厚的导热硅胶，50*40mm，单价为1.1。

记得是UTC的4N60，怎么今天拆下来是仕兰薇的4N60,看来是记错了。

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LV.5

24

2011-09-17 17:39

@xmytq

记得是UTC的4N60，怎么今天拆下来是仕兰薇的4N60,看来是记错了。

今天拆下来看见82UF的电容外皮已经破了，这个应该是和这个外皮的材质有关，不知道有没有耐温高的外皮材质，以前好像有听说PET材质的会好点

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LV.5

25

2011-09-20 22:57

@xmytq

今天拆下来看见82UF的电容外皮已经破了，这个应该是和这个外皮的材质有关，不知道有没有耐温高的外皮材质，以前好像有听说PET材质的会好点

在我们这边测试的最终结果：初级大电解:89.6度，磁芯84.3 ，线包89.8 ，外壳58.4 。温度降下来的比较重要的几个步骤：1、好的肖特基和MOS管，2、在变压器上和板底有加导热硅胶，尽快让热量散外电源外部。明天寄去测试，我想应该是没有什么问题了。

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LV.9

26

2011-09-21 10:11

@xmytq

最近申请了个AOP的4N60RDS小于2.2R，以前用的是UTC4N60RDS为小于2.5R，还申请了一个DIODES的30100，比VF值比现在用的20100小0.15V左右，这样算下来，应该可以提高1个百分点，材料来了再试下

有外壳的产品，管子还是用好些的，这样损耗会小不少。UTC 的4N60的R DS太大了。可以考虑用6N60的。DIODES的肖特基不错，可以测试的看看。

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LV.9

27

2011-09-21 10:14

@xmytq

在我们这边测试的最终结果：初级大电解:89.6度，磁芯84.3，线包89.8 ，外壳58.4 。温度降下来的比较重要的几个步骤：1、好的肖特基和MOS管，2、在变压器上和板底有加导热硅胶，尽快让热量散外电源外部。明天寄去测试，我想应该是没有什么问题了。

目前的效率大概多少呢?能告诉我壳子的尺寸么？应该也是塑料壳吧。

前阵子也做了个12V/2.5A的适配器，温度确实难搞。一点一点扣下来。

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LV.5

28

2011-09-21 11:54

@jepsun

目前的效率大概多少呢?能告诉我壳子的尺寸么？应该也是塑料壳吧。前阵子也做了个12V/2.5A的适配器，温度确实难搞。一点一点扣下来。

等下上传记录的数据

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LV.9

29

2011-09-21 12:27

@xmytq

等下上传记录的数据

还有你大电解外皮破损的原因找到了吗？

我不认为是温度的关系，如果温度到了让外皮破损的地步，你的大电解防爆阀应该要鼓起来了，或者已经漏液了。

看看是不是安装上、配合上导致的？机械部分的原因可能性会更大些。一般105度的电解，都应该是没问题的。

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LV.3

30

2011-09-21 14:08

@jepsun

还有你大电解外皮破损的原因找到了吗？我不认为是温度的关系，如果温度到了让外皮破损的地步，你的大电解防爆阀应该要鼓起来了，或者已经漏液了。看看是不是安装上、配合上导致的？机械部分的原因可能性会更大些。一般105度的电解，都应该是没问题的。

我过个类似的72*40 我用的EF25做的12V3A 90V效率84.8 220V 85.9 跟你用的一样的IC CR6853 （这颗IC我还做过120W 的嘻嘻）15V 8A

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LV.5

31

2011-09-21 15:20

@jepsun

目前的效率大概多少呢?能告诉我壳子的尺寸么？应该也是塑料壳吧。前阵子也做了个12V/2.5A的适配器，温度确实难搞。一点一点扣下来。

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