36W反激电源，遇到的问题。

我在做9V4A 的时候遇到瓶颈，能效太低了，过不了V级，用的2263的IC，变压器是EF25加厚的那种，望大侠支招？

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xiaohe1988

LV.5

2011-09-01 21:53

效率低，损耗到什么元件上，MOS、变压器、整流管，上上原理图

心碎的乌托邦

LV.5

2011-09-01 23:07

@xiaohe1988

效率低，损耗到什么元件上，MOS、变压器、整流管，上上原理图

MOS是7N60、变压器EF25、肖特基2060

edie87@163.com

2011-09-02 08:11

@心碎的乌托邦

MOS是7N60、变压器EF25、肖特基2060

工作频率多少?占空比多少?你设计要多少的效率?变压器磁芯的间隙是多少?

你的变压器圈比是多少?圈数是多少?

LV.1

2011-09-02 10:57

@心碎的乌托邦

MOS是7N60、变压器EF25、肖特基2060

建议楼主上图哦。。

ufw00

LV.5

2011-09-02 14:57

建议楼主上图哦。。

EFD25 65K频率下，一般可以做多少W输出？！

roc19850

LV.5

2011-09-02 15:10

是效率要达到80%么？

2263应该是没问题，成本没太大限制应该没问题。

心碎的乌托邦

LV.5

2011-09-02 21:06

@edie87@163.com

工作频率多少?占空比多少?你设计要多少的效率?变压器磁芯的间隙是多少?你的变压器圈比是多少?圈数是多少?

F=65KHZ ,D=0.43(AC=90v),根据ERP的标准要在大于等于84.78%，EF25加厚型变压器磁芯的AE=75MM2,

心碎的乌托邦

LV.5

2011-09-02 21:12

建议楼主上图哦。。

我现在把图贴上，供大家探讨。36W SCH

心碎的乌托邦

LV.5

2011-09-02 21:13

@roc19850

是效率要达到80%么？2263应该是没问题，成本没太大限制应该没问题。

要过V级哦？84.78%

心碎的乌托邦

LV.5

2011-09-02 21:17

@edie87@163.com

工作频率多少?占空比多少?你设计要多少的效率?变压器磁芯的间隙是多少?你的变压器圈比是多少?圈数是多少?

变压器的NP:NS=46:5,lp=600uH

344020199

LV.6

2011-09-02 22:17

刚看了下;

建议;

1,D5 1N4007该FR107

2,RS47R该小点

3,R12/C7吸收回路再调整

4,L1 L2 L3的线径该粗些

心碎的乌托邦

LV.5

2011-09-02 22:41

@344020199

刚看了下;建议;1,D51N4007该FR1072,RS47R该小点3,R12/C7吸收回路再调整4,L1L2L3的线径该粗些

D5有调为FR107，C2也有实验了，但效果不明显，R8的 47R不能小了，太小EMC不好哦，L1是 0.4的线径，总之你上面说的意见我都试了，我想调这些只能提高一点点，我现在用是20U60的肖特基才 83%点几的效率，还的调高一两个百分点，不知道在变压器方面如何改才好，因为我的是系列认证的，牵一发而全动了，还没找到最佳的绕法，

mko145

LV.8

2011-09-02 22:48

MOSFET的温度怎么样？ 2263 的驱动不是很够

心碎的乌托邦

LV.5

2011-09-02 23:01

@mko145

MOSFET的温度怎么样？2263的驱动不是很够

做了12V3A的温度测试，MOS大概九十几度，2263做36W应该没问题哦，

有试过有2273，但效率只是提高百分之零点七八，也达不到效果，而且成本要高。

mko145

LV.8

2011-09-02 23:23

@心碎的乌托邦

做了12V3A的温度测试，MOS大概九十几度，2263做36W应该没问题哦，有试过有2273，但效率只是提高百分之零点七八，也达不到效果，而且成本要高。

不想增加成本的话，可以试试用4-5A的MOSFET。温度可能反而会低些

kublai09

LV.6

2011-09-03 09:55

@心碎的乌托邦

D5有调为FR107，C2也有实验了，但效果不明显，R8的47R不能小了，太小EMC不好哦，L1是0.4的线径，总之你上面说的意见我都试了，我想调这些只能提高一点点，我现在用是20U60的肖特基才83%点几的效率，还的调高一两个百分点，不知道在变压器方面如何改才好，因为我的是系列认证的，牵一发而全动了，还没找到最佳的绕法，

其实这些方式都是有效的。主要的功率器件MOS、变压器、肖特基的选取也是很重要的，另外L3你用9*5*3要50uH这线经也忒细了吧，输出线的线径和长短对大电流影响是很大的，这点是可以通过比对25%和100%负载效率相差情况可以进行判定是其选取否合理

Wxgshou

LV.5

2011-09-03 10:08

@mko145

不想增加成本的话，可以试试用4-5A的MOSFET。温度可能反而会低些

学习学习

ufw00

LV.5

2011-09-03 10:56

@心碎的乌托邦

做了12V3A的温度测试，MOS大概九十几度，2263做36W应该没问题哦，有试过有2273，但效率只是提高百分之零点七八，也达不到效果，而且成本要高。

MOS管VDS有多少V？次级增加两匝把VDS降下来方试试。

344020199

LV.6

2011-09-03 12:14

@mko145

不想增加成本的话，可以试试用4-5A的MOSFET。温度可能反而会低些

是的,我试过

344020199

LV.6

2011-09-03 12:16

@心碎的乌托邦

D5有调为FR107，C2也有实验了，但效果不明显，R8的47R不能小了，太小EMC不好哦，L1是0.4的线径，总之你上面说的意见我都试了，我想调这些只能提高一点点，我现在用是20U60的肖特基才83%点几的效率，还的调高一两个百分点，不知道在变压器方面如何改才好，因为我的是系列认证的，牵一发而全动了，还没找到最佳的绕法，

哥们,上面的你做过了,那就只有该变工作频率落,该大到90-100K吧