谈谈反激电压 Vor

对，支持，一般就取七八十伏。

谢谢分享与总结。

恩，赞同！

能问问楼主，变压器的实际设计怎么做？比如：Ac 85V-265V   out: 50V/4A   ETD 39磁芯  Ae：125MM平方   绕线匝数及感量怎么算呀？

edie兄的意思是说 200W 的电源功率太大了，不太适合用反激了 ~    一般的说法是 - 反激适合做150W以下电源。 

至于反激变压器的设计，你可以参看下面这几位大虾的总结 - 这几篇相对比较简洁一些。万先生的版本图文并茂， 容易理解，好看一些。不过 ， 第7点 - 初级匝数的计算公式有小小错误。（请参看别人的公式）。陈先生和 evdi 的总结很精简 - 公式居多方便查阅。 其中，Vor反激电压的计算部分可跳过，直接定 Dmax 。 另外，如果不介意读英文的话，Fairchild 的 application note写的也相对简明 - 其中第 1 页 的磁芯选择对照表对初学者来说应该很有用。

连续电流模式反激变压器的设计-万必明 反激变压器的设计 - 陈小平 反激式开关电源变压器的设计(evdi) FairChild 反激变压器设计 AN-4140 

谢谢mko145，我的条件有限，最大功率到200W，大部分时间用到120W左右

7.变压器初级匝数及气隙长度的计算.

1).由Np=Lp*(Ip₁-Ip₂)/[Ae*Bm]

我感觉算匝数，公式是没有错，NP=LP*△I/(Ae*BM),个人认为作者考虑了这个问题所以选择了0.15。

写法不严谨，Bm应该写成△B就对了。 △B是一定要验证的，它是直接和铁损、铜损相关的，而不是Bmax。在没有磁饱和的风险时，Bmax越高越好。

还有圈数、电感、电流、气隙这几个东西是相关的，而不是孤立的。输出功率相同时：圈数不变而增大气隙，那么电感减小，电流增加，磁感应强度降低； 圈数不变而减小气隙，那么电感增大，电流减小，磁感应强度增加； 圈数减少同时减小气隙以保持电感不变，那么电流不变，磁感应强度增加；圈数增加同时增大气隙以保持电感不变，那么电流不变，磁感应强度降低。

要不是 amonson兄指出来我还没注意到，作者的写的Bm原意想必是△B，而非Bmax。这样似乎还说的过去。如果△B选的合适，也能算出差不太远的结果。但理论上讲还是错的。
首先，反映连续深度的 K 取值不同，对应的△B是不同的。而设计者必须先估算出一个合适的△B。这个估算的值要随 K  值不同而不同。假设K=0.1，△B要取2700高斯；而K=0.9， 那这个△B就要取300高斯了。这根本不是一个合理的计算方法。
其次，用△B来算圈数理论上是不对的。我在15帖中已经有讲，计算出的初级圈数是最大占空比时变压器不饱和（如果不考虑铁损）的最小圈数 ，和△B无关。在圈数的计算上DCM 和 CCM是没有区别的 ~

原作者表示的应该是△B，只是没表述清楚.

△B和Bmax也不是孤立的，公式里Bmax=Lp*Ip/[Ae*Np]，一旦Po和Ip、Lp确定了，那么对应的 △B就在那里了。所以你用Bmax算还是要先假定一个Ip或者K（Po、Lp和K确定了，Ip也就确定了），Ip和K也不是孤立的，这些变量都是相互关联并影响的。 △B越大铁损越大， △B越小铜损越大，对于反激变压器而言初级圈数并不要求十分精确（正激就更别说了，那圈数增减10来匝都没问题），调试时对圈数和气隙进行调整是常有的事（尤其是RCC，其实IC控制的变压器有时候为了更好的耦合，加减个几圈也是很常见的做法），所以用哪个算都可以。

如果已经选定了磁芯，我个人还更倾向于 △B一些。 J版更蛮干，根本不理会什么 △B和Bmax，直接从漏感入手，把工艺处理漂亮了回头再磨气隙到不饱和即可。参见：http://bbs.dianyuan.com/topic/671166 

工作中的Bm是由工作电流Ip和等效磁路长度 l 决定的，而Ip是由Lp决定的，l 是由磁芯大小和气隙长度决定的，Np不是直接决定因素，同样的Np不同的气隙长度，Bm是不一样的。Bs是磁性材料的固有属性，所以只要Bm

你回的那个贴也没说到点子上，J版都说了感量大概在2mH左右，无论是100圈还是240圈，所以初级电流是不变的。他只是为了更低的Vf，所以用了高匝比，因为很多芯片制造商在内置MOS的耐压上掺了水。铜损肯定是增加了，不过为了安全工作不得已牺牲效率，好在功率不大，效率损失不严重。

原作者因考虑连续模式所以要用△B ，断续的△B 也就是等于Bmax。

频率80K，还有点问题就是反激感量和磁芯的选取有关系没，比如同样功率情况下，磁芯大的感量比磁芯小的感量是偏小，对吗？

我明白--- 原作者因考虑连续模式所以要用△B。但在CCM模式下这是不对的。

我上面已经解释了原因。你可以参看好版在 "【原创】跟我学系列之四，反激电源及变压器的设计" 里的有关解释 ~  有些书中在计算Np的公式里也用△B，但作者又没有注明只适用于DCM。可能这就是造成很多人误解的原因吧。

//如何知道是工作在ccm还是dcm？计算之前肯定要定一个工作模式，然后推出Ip和Lp，如果用Bm算Np，那么△B还是需要回头验算。用△B算Np也需要回头验算Bm，没有哪个一定对或者错，二者都需要兼顾。但对于实际工作来说△B更重要，Bm只要满足不饱和就可以了，而△B则需要根据损耗来调整。

2. J 版在帖子里没有说感量是2mH，而只是拿2mH来举例说变压器的参数。请参看原文。实际上他用了多大电感我不知道。但以描述的情况看不像2mH 。因为如果以2mH来计算，DCM模式，工作在的65KHz时，Bmax = 0.2T左右， 工作在的50KHz时，Bmax也大不了太多。磁芯再差也不可能饱和，与文中的描述不符。

//这个我倒没看太仔细，我只理解了大概思路。先考虑工艺，确保最佳偶合，然后再调整匝数和电感量，使电路工作在安全范围内。因为功率小，所以他把△B取得很大，从0到略小于Bs，不管圈数多少，他都是把磁芯磨到接近饱和的状态。

3. 至于我的帖子分析的对不对暂且不说，amonson 兄讲的 “只是为了更低的 Vf，所以用了高匝比” 却是完全的错了。因为匝比越高，则 Vf 越大。

//对你帖子的分析看你怎么理解了，我尽量避免用对错这样的字眼，就是因为这些东西都是相互制约的，很难说怎么就错了。再强调一下：不要轻易的讲用△B算就是错的，用Bs算完还是一样要回来验算 △B（当然用 △B算了也要验算Bm），这两个东西不是只管一个就可以的。 

Vf这个问题是我说错了，你是对的，呵呵，你及时指出来很好，希望不要误导其他人。

如果频率，占空比功率等参数都一样的情况下，不管用多大的磁芯,电感量都要取一样大。换句话说，功率的大小和电感有关，与磁芯的无关（不考虑铜损，铁损）。 电感越小则功率越大。 按你现在的磁芯算了一下 ....... 

输入电压（V） Vacmin　　      85 ~ 265 　　

电源功率（W） Pout                  200.0　　

预设效率（%）η                   0.86 　　

工作频率（KHz） f 　　             80 　　

MOS耐压（V） Vmosmax           600

连续模式输入 (K)                    0.60  　　

最大占空比 Dmax　　                0.45　　

磁芯型号　                           ETD39

磁芯截面（mm2） Ae                 125.0 　　

磁感应强度（T） Bm　　          0.29  

DC输入电压（V） Vdc                 90.0 ~ 371.0 　　

反射电压（V） Vf             　　   73.3 　　

周期    (μs) T 　　          　　　　12.50　　

最大导通时间( μs) t　　　　　　 5.61　　

输入功率（W） Pin          　　　　   232.56 　　 

初级电流最大值(A) Ip 　　     　　    8.22 　　

初级电流最小值(A) IR 　　     　　   3.29 　　

初级电感量（mH） Lp 　　   　　   0.102  　　

初级次级匝数比 n　　              　　  1.44 　　

初级匝数（Turn） Np　　   　　　　   23 　　

次级匝数（Turn） Ns　　       　　　　16