1： 与硅技术相比GaN技术有什么优势？
与硅或碳化硅相比，氮化镓（GaN）是一种具有更高电气性能的半导体产品。采用氮化镓的器件将具有更低的导通损耗（更低的Rds(on)）和更高的频率响应性能。GaN还具有更高的击穿电压，而且随着击穿电压的升高，Rds(on)阻值增加幅度也没有硅或碳化硅那么大。所有这些属性意味着与相同性能的硅或碳化硅器件相比，GaN器件体积更小，而且成本也会很快变得更低。
2:GaN器件有何竞争优势？
已推出增强型（通常是在关闭状态）的功率GaN晶体管（eGaN： enhancement mode gallium nitride）。这些器件的性能就像功率MOSFET和IGBT一样，但在相同尺寸条件下具有更好的功率和频率特性，导通电阻Rds(on)的范围从4mΩ〜100mΩ。击穿电压范围可以从40V〜200V，并且还将于2011年12月推出击穿电压为400V和600V的产品。随着击穿电压的提高，这些优势将越来越明显。由于GaN不像MOSFET那样有寄生PN二极管，也没有功率MOSFET中存在的反向恢复问题，eGaN是利用多数载流子提供反向二极管特性，因此不会产生使用功率MOSFET时出现的反向恢复损耗。
3:eGaN产品的最佳应用是什么？
eGaN可以工作在很高的频率，因此可以应用于约1GHz以下的射频市场。EPC的eGaN器件可在具有相同额定值的功率MOSFET应用时使用。用于计算机和网络通信产品的DC/DC转换器、以太网供电（PoE）、D类音响和LED照明，我们eGaN即将面世的产品也将首先应用在这些领域。
4: 为什么说eGaN能够取代功率MOSFET和IGBT？
设计师在决定改用新技术之前需要考虑四个关键因素：一是新技术能否支持老技术无法支持的应用？二是新技术是否容易使用？三是新技术是否能够大幅降低最终产品成本？四是新技术是否绝对可靠？如果将EPC的eGaN产品用于最高性能的功率MOSFET应用领域，那么对这些问题的回答都将是“肯定的”。 eGaN的使用方式与MOSFET非常相似. EPC器件都是采用倒装工艺，为什么不采用像MOSFET那样的传统封装？
为了实现高质量的封装，需要做到：保护器件免受环境干扰、具有低的寄生参数、高效地散热。EPC器件已经在晶圆处理过程中做了封装，因此不需要额外封装就能保护器件不受环境干扰。与传统封装的晶体管相比，设计师可以充分发挥更小、具更低寄生电感和电阻EPC的eGaN器件。此外，我们的eGaN还是一种双面冷却型器件，允许从电路板上散发热量.
目前氮化镓功率管的代表企业有EPC（efficient power conversion)等.
