分析模块炸的原因

我是指从这个图上能否大略的知道是过压还是过流。我的判断应该是过流，在容性状态下炸的模块。过压的话一般不会这样炸的。

从来没发生这种情况，没有现成的经验给你。

炸模块都是过热造成的，有缓慢的过热，在过热保护失效的情况下。还有的是瞬间过热，一般是欠激励或者是短路保护速度慢，管芯迅速过热而热击穿。很少有的情况是CE电压有尖峰干扰窜入，CE击穿，如果有CE限压保护那只是丢卒保车，损坏的是保护元件，模块就不坏了。

过压和过流在这个图片上看不出来的，如果你把模块的外壳打开的话，去掉绝缘硅脂，或许可以看到（仅适合于不是炸毁特别严重的情况）：

过压击穿现象：一般IGBT芯片不是整个坏掉，你可以看到IGBT芯片里面有小黑点，这样的话一般是由于过压击穿引起的。

过流击穿现象：一般IGBT芯片整个坏了，基本上是芯片从中间炸开了，IGBT芯片有点面目全非的味道，这样的话，一般是由于过流击穿引起的。

你这是大卫模块 ，一是负载有短路漏电情况下大电流连续工作后爆了， 二是工作的谐振点不对，三是你不懂哈，说也没用

就是因为不懂，所以才来请教！

感性区是ZVS，容性区是ZCS，好好看资料吧！

我认同陈工的观点，过压击穿一般都不会这么严重，很多时候只是IGBT芯片会有一个小斑点，过流的话，就会出现炸管，会把外壳炸开，甚至底板炸裂。

如果用英飞凌的，也不是说炸的不会这么严重，只不过相比之下，英飞凌的过流过压能力强一些，如果过流达到一定阀值的话，也是会炸的面目全非的。

想法非常好，个人很赞同。

无论是国产的还是进口的IGBT模块，其实原材料差不多，包括IGBT芯片，绝缘硅脂，陶瓷基板，铜基板。但是对于IGBT模块来说，关键有一个封装工艺在里面，这玩意就像怀孕，没到时间，看不出肚子大，没到时间，那肚里的孩子更加不可能生下来。

所以随着时间的推移，国产的IGBT模块质量提升，那几乎没有任何悬念的。

相关资料多的是，自已去找吧！

其实，使用的器件，包括电阻、电容、IC，IGBT模块，甚至PCB，哪个都会有问题，包括器件本身的质量问题和使用不妥当造成的失效，亦或者是因为器件老化而产生的质量问题。总之，出现故障，肯定是有原因的，往往有时候表象很复杂，很难找出真正的原因。

话说回来，谁都想把自己的产品完美无缺，做机器的，想让自己的机器在几年时间之内不出问题；做器件的，想让自己的器件用上去就不会坏；问题是，理想的状态和现实的状态那不相匹配啊，想法是好的，就是实现不了，呵呵。

出了问题，那就找问题，多分析，多总结，技术啊，器件工艺啊，那也就在不知不觉中前进了。

這問題不會在元件上,是在你設計與對應負載問題

本人最近在致力研究 感應加熱 元件合理應用

最後導出一各 負載參數表(僅適用無變壓器輸出架構)

暫時給他一个參數 叫 [磁載率]

他的定義就是  入電電流與諧振電流比

換句話就是說 多大諧震電流能帶多少入電電流,而入電電流就是能作用到負載的功(機器損號先忽略)

比如 20號鋼係數在17%-22%, 45號,鋼係數在12%-15%,砲筒(3鉻鋼)在7%-11%

這係數也會與線圈與負載距離有關,上係數以15mm-25mm測定

因此 比如60N100 IGBT 在20號鋼時可以 做到 16A(380V) 10KW 安全使用 不會超過IGBT ICM

在適當的選擇耗電 還可以降低周邊元件於量, 降低 所有元件 發熱

因此,看你IGBT狀況 可以肯定是你 負載 沒注意好,IGBT 超過 ICM 而炸毀

也相信你 周邊元件 比如電容 下場應該不比 IGBT 好

科技進步 在不同角度鑽研與分析

祝你好運

我用的整流模块是100A/1600V的。正常工作电流是15A左右

这样的用法一般应当不会有问题，但是如果买了不好的整流桥就说不正啦！

有一次我在试验台上把全桥临时改接成半桥，那天事多注意力不集中，不小心把整流输出接反供给IGBT模块，第一次合闸跳空开（32A的空开），查没有短路，怀疑是自己没有用力合闸，再合闸又跳空开，手感空开跳开力度大，知道是有短路了。细查发现了问题，心里好害怕，75A/1200A的模块及60A三相整流桥都没坏，一年多了，现在还一直在使用。