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多颗MOS管的并联应用

在大功率产品的实际应用中,单颗MOS管往往达不到需要的电流,此时我们需要把多颗MOS管并联起来应用,这样很大的电流由多颗MOS管来分担,单颗MOS管承担的电流就比较小了,确保了器件安全稳定地工作。但是如果应用不当,也会使多颗并联的MOS管电流不均衡,甚至损坏某颗MOS管使系统崩溃。

1.                  MOS管并联的可行性分析

由下面的某颗MOS管的温度曲线可以看出MOS管的内阻的温度特性是随温度的升高内阻也增大,如果在并联过程中由于某种原因(比如RDSON比较低,电流路径比较短等)导致某颗MOS管的电流比较大,这颗MOS管会发热比较严重,内阻会升高比较多,电流就会降下来,由此可以分析出MOS管有自动均流的特性而易于并联。

  

2.                  MOS管的并联电路

理论上MOS管可以由N颗并联,实际上MOS管并联多了容易引起走线很长,分布电感电容加大,对于高频电路工作产生不利的影响。下面以4颗为例说明MOS管的应用。并联的一般电路图如下

 

 

 

上图中,R1-4为栅极驱动电阻,每个MOS管都由独立的栅极驱动电阻隔离驱动,主要是可以防止各个MOS管的寄生振荡,起到阻尼的作用。R1-4的取值怎么取呢?如果取值过小,可能就起不到防止各个MOS管的寄生振荡的作用,如果取值大了,开关速度会变慢,由于每个MOS管的结电容会有细微的不同,结果取值过大还会导致各个MOS管的导通速度相差比较大,所以R1-4在能够防止各个MOS管的寄生振荡的情况下尽量小到可以满足开关速度。

关于R5-R8的栅极下拉电阻,主要作用是在驱动IC损坏开路的情况下可以防止MOS管的误导通。在某些特殊的应用场合下,比如对待机电流有限制的电池保护板,这个电阻往往取值很大甚至没有,这样栅极的阻抗会比较高,极易感应比较高的静电损坏MOS管的栅极。这种应用最好在栅源极之间并联一个15V左右的稳压管。

3.                MOS管的并联对布线的要求

大家知道,多个MOS管并联,漏极和源极的走线都需要通过多个MOS管的总电流,理论上计算,如果要达到单个MOS管的电流不偏移平均电流的10%,那么总线上的总阻抗一定要控制在所有MOS管并联后的内阻的10%以内。比如过50A的电流,由我们的RU75N08R  4颗并联, RU75N08典型是8mΩ,并联后就是2 mΩ,那么漏极或源极的走线电阻需要控制在2 mΩ*10%=0.2 mΩ以内才能保证10%的均流误差。如果PCB铜箔厚度和宽度有限,我们可以加焊铜线或通过散热片达到这个低的走线内阻。

 

 

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2011-10-08 09:26
好贴!
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2012-03-11 20:52

有技术含量的贴,赶紧先MARK下再仔细观摩学习,哈哈

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2012-04-19 22:20

这个有人发过了

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ZUYIYU
LV.2
5
2012-08-29 19:24

是否有这种情况呢,用4个K2611并联的桥式电路,900,11,内阻1.1欧,后换800V.11A0,0.4欧内阻的管子换,老炸,并且一炸要坏好几个保护好像也来不及,而以前的2611一般坏只坏一个就保护,是否是内内阻越小,温升低,温差越小,越不容易均流呢?

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Widey
LV.5
6
2012-10-12 21:44
@ZUYIYU
是否有这种情况呢,用4个K2611并联的桥式电路,900,11,内阻1.1欧,后换800V.11A0,0.4欧内阻的管子换,老炸,并且一炸要坏好几个保护好像也来不及,而以前的2611一般坏只坏一个就保护,是否是内内阻越小,温升低,温差越小,越不容易均流呢?
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sinoet
LV.1
7
2017-03-22 19:42
学习
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goty2000
LV.1
8
2017-04-20 19:41

请教一下,MOS管并联,输出端需不需要加均流电阻?

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