LED发展进程中大事件---中村诉讼

中村诉讼

【LED术语】

　　围绕蓝色L E D的开发者、美国加州大学圣塔巴巴拉分校（University of California，Santa Barbara，UCSB）中村修二教授在日亚化学工业工作期间所发明专利的“正当价格”，中村在2001年8月23日至2005年1月11日的约3年零5个月时间里与日亚化学工业展开了专利诉讼。该诉讼最终于2005年1月11日以和解的形式结束。

　　在中村专利诉讼中，中村本着“提高技术人员地位”的理念以个人挑战企业。他要求法院认可GaN类发光元件专利（专利第2628404号，以下简称404专利）的专利权应该属于他本人。在东京地方法院进行的一审判决中，裁定引起纠纷的404专利的正当价格约为604亿日元，而后来在上诉审理直至和解时认定中村在日亚化学工业工作期间发明专利的正当价格等共计约为6亿日元（不包括延迟利息），较一审出现大幅减额。对此，日本的电视和报纸等众多机构纷纷发表评论，称正当价格的减幅过大、对中村实际与专利有多大关系的判断尚不明确状态下就结束审理表示遗憾等。而另一方面，也出现了称赞中村的观点。继中村专利诉讼开始之后，社会对于技术人员的待遇的关注度越来越高，日亚化学工业以外的企业也不断出现围绕正当价格的支付与前员工发生诉讼的事例，不仅接二连三地出现了修改专利奖励制度的企业，甚至导致规定正当价格的日本专利法第35条也做了修订。

　　《日经电子》以众多将中村诉讼作为自己切身问题而进行关注的技术人员为对象，在达成和解后立即实施了问卷调查，调查了中村诉讼的影响以及技术人员眼中的专利地位的变化等。认为中村诉讼“有意义”的占89％，认为在发明中技术人员的贡献度“应该在5％～20％的范围内”的意见最多。另外，认为“日本今后无法凭借知识产权立国”的意见上升至52％，由此可以看出，围绕专利，日本还存在着堆积如山的课题。

蓝色LED专利诉讼

【LED术语】

　　围绕GaN类蓝色LED的相关专利，大型LED厂商曾在日本以及海外展开过诉讼。1996年日亚化学工业以丰田合成侵犯了该公司专利为由对后者提起诉讼，为了与之对抗，丰田合成也起诉了日亚化学工业，此后便展开了有关侵害专利以及要求对方专利无效的诉讼。不仅针对丰田合成，日亚化学工业还与美国科锐（Cree），台湾晶元光电（Epistar）和亿光电子（Everlight Electronics）以及韩国首尔半导体（Seoul Semiconductor）等展开了诉讼。

　　诉讼对象也不仅局限于蓝色LED，还包括白色LED和GaN类半导体激光器（蓝紫色半导体激光器等）。在业界先行量产蓝色LED和白色LED的日亚化学工业按照“出售产品但不出售专利”的方针，拒绝提供该公司的专利授权。

　　不过，进入2002年以后，这种状况出现了很大的改变。日亚化学工业首先开始向西铁城电子授权提供白色LED的相关专利；2002年6月与德国欧司朗（OSRAM GmbH）及该公司的集团公司就GaN类发光元件的专利签订了交叉授权合同；2002年9月结束了与丰田合成持续了6年之久的专利侵害诉讼。2002年10月与美国Lumileds Lighting, LLC（现为飞利浦照明）签订了交叉授权合同，同年11月与Cree达成和解，并签订了交叉授权合同。由此，以日亚化学工业为核心，丰田合成、欧司朗、飞利浦照明以及科锐等大型LED厂商之间建立了合作关系。

　　之后，日亚化学工业与亚洲的LED厂商之间的专利纠纷仍在继续，不过2009年2月，日亚化学工业与韩国大型LED厂商首尔半导体达成和解，并签订了交叉授权合同。

外延生长（epitaxial growth）

　　在基片上生长结晶轴相互一致的结晶层的技术。用于制作没有杂质和缺陷的结晶层。包括在基片上与气体发生反应以积累结晶层的VPE（气相生长）法、以及与溶液相互接触以生长结晶相的LPE（液相生长）法等。

　　蓝色LED、白色LED以及蓝紫色半导体激光器等GaN类发光元件一般采用VPE法之一的MOCVD（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法进行生产。MOCVD采用有机金属气体等作为原料。蓝色LED在蓝宝石基片和SiC基片上，蓝紫色半导体激光器在GaN基片上使用MOCVD装置使得GaN类半导体层形成外延生长。

　　中村修二就其在日亚化学工业工作时所发明专利的“正当价格”与日亚化学工业展开的诉讼中所涉及的GaN类发光元件专利（专利第2628404号，以下称404专利）就是外延生长GaN类半导体层技术的相关专利。404专利是与在蓝宝石基片表面附近封入原料气体的技术。其特点是，在生长GaN类半导体膜的基片（蓝宝石基片等）表面沿水平方向通入原料气体，同时为了将原料气体固定在基片表面，还沿垂直方向向基片表面通入非活性气体。