请教大师帮我看一下,我的反激电源为什么RCD吸收回路中的C两端的电压是这样子的?上图中下面是MOSFETDS两边的电压波形,上面为RCD中电容两边的波形。后面带的是逆变器负载
前面一段下降慢的,应该在开关管关断状态,电容放电的同时还有MOS管漏极的充电,所以慢了。
下一段,应该是导通,没有了MOS管充电,下降速度快了。个人理解..
是这样的。但我测试的图片和楼主的不一样,如下。我的参数:D串(R并C),
D-1N4007,R=150K,C=1NF。D刚导通时有较大的电压尖峰,不知为何?
CH1:C两端电压波形 CH2:Vds波形
好,改天我试一下
是DCM模式吗??
电容上的波形是用差分探头测的吗?
我感觉你的RCD的R似乎偏小,放电放的很快。
尖峰和电容的特性以及线路的杂散参数有关系。另外,还要确认正确使用了仪器。
不是差分探头。
关键是那个中间的尖峰是为啥啊?
哦,对啊,充电的时候就会上升,关闭就会下降,谢谢老师指点!
还想请问老师一个问题,测量占空比时,用探头挂MOS管的哪一个脚最好?
开关管是三极管可以测试基极电压波形。
占空比一般设置在0.5的样子,这个要看经验和实际拓扑...说道最好,一句话“没有最好,只有更好”。
占空比不同会影响流过开关管和整流二极管的有效电流、变压器的损害等等。占空比不一样,变压器就需要重新设计,很多参数都变了...
就是示波器测试时,是选用示波器的交流、直流、地、模式来测量?
是滴
就看你不同的IC了。如果反激式供电,IC的VCC就可反激式的输出的电压成匝数比就可以了。没有上面特别的公式。