buck电路中，MOS管驱动芯片IR2118老坏？

别听人瞎说。出问题不要一味怪罪IC。要找到自己的问题。

抓下VS波形，如果板没步好的话，振荡波形超过5V，就容易把2118内部DIODE击穿。

这个驱动器我们已经生产了一年多了，之前一直没有问题，就是因为降成本，换成散新的IR2118S ,才出现这个问题，我说芯片是针对市场上的散新货而言的，并没有说正品的IR2118此芯片有问题。

所以我说的是楼主，考虑是否买到了质量不好的IR2118S

呵呵，解决问题出发点不同而已。

楼主明显是板没步好，或是吸收设计不好，VS端振荡大，导致2118坏，因为2118VS到GND之间有个反向的DIODE，不能承受负5V的反压。

解决问题不是全新和散新的问题，是要找到导致2118坏的根本原因，这才是钻研技术的精神。

言语不当之处请谅^-^

技术讨论，言语不是问题，我说话也比较直。

我刚又看了下IR2118的datasheet,内部电路没有显示VS与COM之间有个反向二极管。而且，我觉得此处应该不会有反向耐压只有5V的反向二极管存在吧？  上管导通的时候，VS脚对地电压即为电源电压，在此处加一反向耐压只有5V的二极管似乎不可能。

而且，此板生产了不下3K的量了，PCB布线没有动过，之前用全新原装没有问题，换散新后出现批量问题，再次更换原装全新，再没出现此问题。

datasheet并不能说明问题，只是一个简单框图而已。

如果你连高压栅极驱动IC关于VS瞬间负压都不了解的话，可见你的设计并没有考虑这些因素在里面，所以你的设计是有缺陷的。

你只把问题简单归纳成散新器件造成的，太笼统，你没有再进一步查明为什么会导致器件损坏。呵呵

IR有专门的文件详细讲解了如何处理这些细节，以及IC内部的结构，以及造成IC锁定或是损坏的原理。

对桥式驱动电路还是有一点点学习的。

你这么一说，我明白你说的是哪个二极管了。但是你表达有问题吧。你说的那个二极管应该是场管栅极与漏极间的稳压二极管（或双向）吧？那个二极管也不可能是5V的吧？这个得根据场管的驱动电压在外面加的。

另外一个管就是自举电容的隔离二极管了，但是那个管应该是个快恢复二极管啊。也不存在电压一说。

除了以上两个二极管，我暂时想不出还是哪个地方有了。请指教。

这个电路应该和IR2118类似

这是我做的电机驱动器。上面三个SO8的芯片便是IR2118.

散新件确实不行，全新件装好，很好用。明天有空我测试一下VGS，具体波形可能忘了，但是当时测试应该是没有问题的。

6颗大功率场效应管在背面，VGS电压为12V

呵呵，没必要再讨论了，我们根本没说到一块去。你对高压栅极驱动IC的理解只停留在表面，如果你玩过大功率的话，你就能深刻体会。

简单的说就是2118的VS与COM之间电压无论如何不能超过-5V。玩转HV MOSFET DRIVER关键就在于如何处理VS的瞬态负压。IR官方网站有专门文件详细讲解这些技巧。

用全新原装器件并不能掩盖设计上的缺陷，只是说这个缺陷在散新器件上表现突出一些。

更多MOSFET信息

这个电路不是我的电路。此电路是某商业电调上面使用的。

理论上栅极电容越小越好，越能工作在更高频率，此处确实不应该加电容。

但是，在这个电路中，开关频率在10K左右，作者加并联电容，意在增加开通时间，降低场效应管的开关应力，这样做的好处是能大幅提高抗干扰和抗过流能力，因为此方案中对损耗及温度不敏感，所以做出的折衷。

电路设计其实就某种折衷的过程，要根据实际情况。就像这个电容，理论上是万万不能加，但是实际呢，加上此电容在本电路中，得到的好处远远大于坏处。

对驱动电路，不敢说玩转，但至少能用我还是比较有把握的。

IR官网上是有关布线技巧文章的，但并没有那么神秘，其实学过开关电源布线的人，应该都有所了解。

我也觉得我们没说到一块去，我已经很明确地指出我说的地方，是你没有很明确的说出你所指的地方。或者你把相关文档贴出来我参考一下。

你说VS与COM间由于布线不对引起负压大于5V，导致关联的二极管损坏，我刚才量了几个损坏的IR2118，VS与COM间并没有像你说的击穿或短路。

我又量了几个好的IR2118，VS与COM之间也没有所谓的所谓并联的二极管，（不信你可以自己测量，还有datasheet,这么重要的地方，我相信IR不会不提）而且就算VS与COm间电压加到电源电压-12V，也没有出现损坏情况，请作解释，或贴出你所参考的资料出处。

我只是提出我的疑问，想搞明白，不想把问题放在这里，丢下结论误导他人，请理解并指教

我有搭洞洞板实际测试过，频率大于15K上升沿开始明显变缓，开关损耗开始明显增大，这种做法只适应在某些特定的场合。

把四个并在栅极的电容取掉，就是一般的驱动电路了。

呵呵！

实际上并这个电容，跟调节栅极的串联电阻是一个道理。

串联电阻可以调节充放电电流，防止振荡；并联电容调节开通时间，减小开关管开通时承受的应力，ΔIΔV会减小，这对EMI很有好处的。

哥们，不是说你功夫不行，是说你理念不行。

你现在不知道HV MOS DRIVER的最需要注重的技巧，不代表你以后不知道，我也不必再过多讨论。

做技术的不能有半点敷衍，你能解释为什么2118坏吗？你的现象是散新2118坏，你没给出最有力最有说服里的解释出来，很笼统归结为IC原因。一棒子跳过很多问题。

有IC原因，但是绝不能归结成100%的IC原因。哪怕其它原因只占0.1%，你也得找出来，呵呵

我已经指出VS脚的瞬态负压是极其需要考虑的地方，你的问题是根本就不知道这点。还需要我说什么？

你认为我误导了你，我道歉哈。但愿你以后不要用金钱去为错误买单，呵呵

这论题就此打住，我闭嘴好啦，呵呵

您严重了。可能我表述有问题。

既然你不肯仔细解释VS脚负压的问题，我再自己查查资料吧。

我理解你说的VS负压是关断的时候，布线电感与栅极电容放电，引起的电压尖峰。

但是你说的二极管，我真找不到哪个地方。

还有，就我个人的案例，已经确定了是散新的IR2118不行，不上电路，直接通电就是坏的，有的甚至VCC与GND都是短路的。

你好，我现在在做MOS管的驱动，选的是IRFP264（250V，38A）做开关管，不知这种管子用IR2118做驱动好么，因为我以前没做个驱动，初学不太了解请指教，另外我前面是想用UC3724和UC3725做驱动，你看哪种好呢。

晕，谈论的既深刻又模糊，有些芯片本身质量不合格，用在电路里面确实故障不断，根据大多数规律而言，一个芯片的好坏与周围电路关系实在是太密切了。尤其对于低压场效应管来说，反压是致命的，即使是一个耐压500V的IRF840场效应管，只要g-s之间反压超过20V 很容易击穿报废。

另外外部感应过来的稍微高电压，也可以使芯片内部的场小效应管击穿。

大虾你好，我是mos管驱动的菜鸟，刚刚开始玩这个，现在碰到的问题是驱动管IR2118只有VS端和COM端连接在一起时HO才有输出，否则HO和VS间无电压，请问是什么原因，手册上VS和COM不需要连接呀，望请指点，谢谢