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MOS管反峰电压超高,求助!!!!!

用LD7575做了一电源,输入100-240VAC,36V电压输出

PWM前面的PFC输出电压为380V

输入160VAC时,输出只带了几W的功率,已测量出LD7575 的MOS管D极电压有900多V,,请各位指点,谢谢!

 

变压器参数如下:

PQ32-20(NP:58TS,NS:12TS,NF:8TS ,LP:500uH)

RCD 器件为,R:68K,C:2.2nF D,HER107

请各位朋友指点!!

感谢!

全部回复(14)
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2011-03-16 13:20

漏感有30uH左右

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dragonlin
LV.1
3
2011-03-16 13:31
@pads2007layout
漏感有30uH左右
建议高手们进来讨论如何减少开机瞬间的mosfet spike 的问题,当然,前提是主能量传输绕组漏感在可接受的情况下。
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NATE007
LV.6
4
2011-03-16 13:48
@pads2007layout
漏感有30uH左右
请问你是用的什么开关管型号?  关断时间是多少?  你测得漏感确实很大    会不会测量出了问题   如果漏感真有这么大   那电压高就不足为奇了 
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2011-03-16 13:50
@NATE007
请问你是用的什么开关管型号? 关断时间是多少? 你测得漏感确实很大   会不会测量出了问题  如果漏感真有这么大  那电压高就不足为奇了 

开始没有把电桥设置好,漏感量错了,不好意思

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2011-03-16 13:51
@NATE007
请问你是用的什么开关管型号? 关断时间是多少? 你测得漏感确实很大   会不会测量出了问题  如果漏感真有这么大  那电压高就不足为奇了 
MOSFET为:2SK3679
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jepsun
LV.9
7
2011-03-16 15:52
@dragonlin
建议高手们进来讨论如何减少开机瞬间的mosfetspike的问题,当然,前提是主能量传输绕组漏感在可接受的情况下。

不错。这个话题却是值得讨论。

开机瞬间,MOS的尖峰却是相当大,甚至超出了MOS的耐压。

有一个办法,加TVS。但是这样会不会引起保险的误动作呢?

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jepsun
LV.9
8
2011-03-16 16:06
@dragonlin
建议高手们进来讨论如何减少开机瞬间的mosfetspike的问题,当然,前提是主能量传输绕组漏感在可接受的情况下。

我另开贴讨论http://bbs.dianyuan.com/topic/642287?t=917#last_post

可以共同探讨!

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NATE007
LV.6
9
2011-03-16 16:07
@pads2007layout
MOSFET为:2SK3679

开通时间是多少啊?!!!     导通电阻1.58欧确实很大    损耗是必须的    你的RCD是参考MOS的参数来算的吗    合适的值才能降低你的损耗

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2011-03-16 17:23
@NATE007
开通时间是多少啊?!!!    导通电阻1.58欧确实很大   损耗是必须的   你的RCD是参考MOS的参数来算的吗   合适的值才能降低你的损耗

你好,我的RCD是根据经验取值的,

我打算用FQPF8N80C,但RDS(ON)也有1.55R ,

]问题 是反峰电压太高了,如果能控制在600V左右,我就可能选取用700V的管子

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2011-03-16 17:25
@pads2007layout
你好,我的RCD是根据经验取值的,我打算用FQPF8N80C,但RDS(ON)也有1.55R,]问题是反峰电压太高了,如果能控制在600V左右,我就可能选取用700V的管子

有的人说我的初级圈数太多,匝比太大,

我打算改成32:9:6

请大家指正,

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2011-03-28 08:33
@pads2007layout
有的人说我的初级圈数太多,匝比太大,我打算改成32:9:6请大家指正,
这个比值差不多,我也感觉你先前那个变压器比太大了,我36V输出是33.9.6磁忒也是3020
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LV.1
13
2011-03-28 09:13
@pads2007layout
有的人说我的初级圈数太多,匝比太大,我打算改成32:9:6请大家指正,

感觉是漏感太大了。。

现在漏感测得是多少啊?

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2011-03-30 14:12
**此帖已被管理员删除**
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whhitzb
LV.2
15
2011-08-16 21:42
@20年电感变压器研发制造
**此帖已被管理员删除**

这是个方法了。

究其原因主要是开机瞬间启动电流大,而吸收电路的c还没有电平衡,所以其抑制作用几乎为零。

还可以尝试把软起时间加大,同时努力减小漏感。

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