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反激电源问题请教

本人接触电源不长时间,有个问题想请教大家,在设计反激电源的时候,我们可以推出Vo=D*n2*Vin/(n1*(1-D)),这就是说在我们设计之初要确定一个占空比,然后根据管子的耐压确定反激电压Vf的大小,在设计匝数。我的问题是,当控制芯片刚开始工作时 输出的占空比是不是固定的?(这时反馈还没有对占空比进行调节),如果这时输出的占空比比设计的D大的多,这样第一次输出的电压Vo是不是就要比设计的输出大的多,从而反激电压也大的多,这样是不是就会损坏MOS管?在设计时这点要怎么考虑呢?
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hskfly
LV.2
2
2011-02-23 11:34

请参考:

【原创】跟我学系列之四,反激电源及变压器的设计

http://bbs.dianyuan.com/topic/592535

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2011-02-23 11:50
@hskfly
请参考:【原创】跟我学系列之四,反激电源及变压器的设计http://bbs.dianyuan.com/topic/592535

这个帖子我一直在看!

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2011-02-23 12:47

你的考虑的对的

这就是开机过程中的输出电压过冲。一般的MOSFET都有单个与重复雪崩能量这两个指标的,只要不超过指标,MOSFET还是安全的

措施一般通过增加软启动,大功率电源可以通过增加启动时序控制,也可以通过加快环路的响应时间来解决

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2011-02-23 13:05
@心中有冰
你的考虑的对的这就是开机过程中的输出电压过冲。一般的MOSFET都有单个与重复雪崩能量这两个指标的,只要不超过指标,MOSFET还是安全的措施一般通过增加软启动,大功率电源可以通过增加启动时序控制,也可以通过加快环路的响应时间来解决
哦,您说的意思我大概理解!就是说最初上电的时候 电压峰值可能超过MOS管的耐压,但不至于使管子损坏,当然是在短时间内的!随着占空比的调节电压降低!
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