各位大侠们，我公司从一公司购买了一千二百条LED灯管 用到将近半年左右时间 出现批量不良 从客户退回产品看到驱动电源MOS管处烧坏 退给供应商维修 他们却说是客人使用不当造成的 说是使用了镇流器造成的 客人反映他们安装的时候没有带镇流器的 现带图片上来麻烦各位大侠帮我分析分析什么原因造成的 
LED日光灯驱动炸机问题
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肯定是设计有总理，现在电源板在安装的时候不用把振流器去掉也是可以兼容的。
用了近半年MOS处烧坏是MOS的温升不满足要求，设计时选的MOS太差，所以工作时间长了就有烧毁的可能。
有需要的话我给你介绍一个设计T管电源的公司，他们产品主要做出口，要求都是保3W小时（有做过快速老化实验），我的邮箱zgdgh@163.com
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2点看法：
1）用的MOSFET是否800V的，如果是600V或650V的坏了很正常，在电源插头似接触非接触的瞬间会产生很高的输入电压（单级反激PFC的都有这个问题，但一般人不注意，正常工作也看不到，如果不管PFC，也就是输入有电解的无此问题），实测过有750V。所以如果是650V以下的管子而电路又没有快速输入过压保护，坏了是正常，不坏是运气。
2）核算变压器是否饱和，这本来不是问题，做设计的都会这么做，但用这个变压器可能有问题，因为这个变压器的Ae值并不是中柱的面积，需要测量横向界断面的面积再乘以2，2010可能影响不大，但2510,2810影响很大，如果原来的设计是用的中柱面积做Ae并且Bm接近4000，在高温下是极其危险的。
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@cmg
2点看法：1）用的MOSFET是否800V的，如果是600V或650V的坏了很正常，在电源插头似接触非接触的瞬间会产生很高的输入电压（单级反激PFC的都有这个问题，但一般人不注意，正常工作也看不到，如果不管PFC，也就是输入有电解的无此问题），实测过有750V。所以如果是650V以下的管子而电路又没有快速输入过压保护，坏了是正常，不坏是运气。2）核算变压器是否饱和，这本来不是问题，做设计的都会这么做，但用这个变压器可能有问题，因为这个变压器的Ae值并不是中柱的面积，需要测量横向界断面的面积再乘以2，2010可能影响不大，但2510,2810影响很大，如果原来的设计是用的中柱面积做Ae并且Bm接近4000，在高温下是极其危险的。
郭大师就是不一样，说实话，2010算是比较合理的，2510.2810，甚至是现在的3310都存在一个很严重的问题，大家都简单的认为AE值就是中柱的截面积，但是E型磁芯的两臂，即中柱和边柱连接部分的截面积远小于中柱的截面积，这样导致磁路在此处的磁场非常强，所以一般计算的时候，感觉留的余量很大，实际这时候已经在饱和的边缘了，由于这类变压器的功率密度很高，加上电源在密闭空间工作，温升快，很容易导致磁芯饱和炸机。
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@cmg
2点看法：1）用的MOSFET是否800V的，如果是600V或650V的坏了很正常，在电源插头似接触非接触的瞬间会产生很高的输入电压（单级反激PFC的都有这个问题，但一般人不注意，正常工作也看不到，如果不管PFC，也就是输入有电解的无此问题），实测过有750V。所以如果是650V以下的管子而电路又没有快速输入过压保护，坏了是正常，不坏是运气。2）核算变压器是否饱和，这本来不是问题，做设计的都会这么做，但用这个变压器可能有问题，因为这个变压器的Ae值并不是中柱的面积，需要测量横向界断面的面积再乘以2，2010可能影响不大，但2510,2810影响很大，如果原来的设计是用的中柱面积做Ae并且Bm接近4000，在高温下是极其危险的。
粗看一下，感觉磁芯厂商不会这么笨吧。但去看了磁芯数据，还真的有部分磁芯两边的面积没中间的面积大。
看来在计算时一定要搞清楚到底哪个大，使用时要按小的来算才行。
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@cmg
2点看法：1）用的MOSFET是否800V的，如果是600V或650V的坏了很正常，在电源插头似接触非接触的瞬间会产生很高的输入电压（单级反激PFC的都有这个问题，但一般人不注意，正常工作也看不到，如果不管PFC，也就是输入有电解的无此问题），实测过有750V。所以如果是650V以下的管子而电路又没有快速输入过压保护，坏了是正常，不坏是运气。2）核算变压器是否饱和，这本来不是问题，做设计的都会这么做，但用这个变压器可能有问题，因为这个变压器的Ae值并不是中柱的面积，需要测量横向界断面的面积再乘以2，2010可能影响不大，但2510,2810影响很大，如果原来的设计是用的中柱面积做Ae并且Bm接近4000，在高温下是极其危险的。
学习了
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