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【讨论】驱动电路设计——对EMI测试的影响

在前面的帖子里面有涉及过关于驱动电路对EMI的影响,但是仍然没有一个结果。后面自己去思考,有发现了很多问题。

工作在不同的模式(CCM\BCM\DCM)下,驱动是关断时对EMI影响大?还是导通时呢?

开关电源的拓扑结构不同,对EMI的影响...

希望大家各抒己见,让我们大家来讨论讨论...希望对我们以后开关电源设计有很大帮助。

详情见论坛【讨论】驱动电路设计——对EMI测试的影响

全部回复(35)
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2011-01-18 09:05
驱动电路对EMI的影响,只要驱动功率足够,那么MOSFET的开通跟关断速度只影响到辐射频段,也就是说衰减振荡的电阻可以部分抑制电源的辐射
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ccps
LV.7
3
2011-01-18 09:35
@心中有冰
驱动电路对EMI的影响,只要驱动功率足够,那么MOSFET的开通跟关断速度只影响到辐射频段,也就是说衰减振荡的电阻可以部分抑制电源的辐射
可以在开关管的驱动电路中加入吸收缓冲电路,这样可以减少di/dt以及dv/dt,从而减少EMI
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2011-01-18 09:46
@ccps
可以在开关管的驱动电路中加入吸收缓冲电路,这样可以减少di/dt以及dv/dt,从而减少EMI

驱动电路中加吸收?请详解……

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liuhou
LV.9
5
2011-01-18 09:57
@心中有冰
驱动电路对EMI的影响,只要驱动功率足够,那么MOSFET的开通跟关断速度只影响到辐射频段,也就是说衰减振荡的电阻可以部分抑制电源的辐射
可不可以这样理解,因为一般MOSFET的开关转换速度都在ns级,频率都很高,在40,50MHZ以上。
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ccps
LV.7
6
2011-01-18 10:00
@心中有冰
[图片]驱动电路中加吸收?请详解……
,描述有误,是开关管的吸收电路,可以调整驱动电路的Vge和Rg来减小EMI
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2011-01-18 10:07
@ccps
[图片],描述有误,是开关管的吸收电路,可以调整驱动电路的Vge和Rg来减小EMI
这个,真可以
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cheng111
LV.11
8
2011-01-18 10:17

想在EMI和效率两者之间去一个合适的值。

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cheng111
LV.11
9
2011-01-18 10:25
@cheng111
想在EMI和效率两者之间去一个合适的值。

我们一般使用的驱动电路(正激与反激式中)

这样只能调节电阻R2电阻值,来改变驱动对EMI的影响;但是如果我们知道驱动是关断速度快对EMI影响大?还是导通快时对EMI的影响大,那样我们就可以修改驱动电路。

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cheng111
LV.11
10
2011-01-18 10:39
@cheng111
我们一般使用的驱动电路(正激与反激式中)[图片]这样只能调节电阻R2电阻值,来改变驱动对EMI的影响;但是如果我们知道驱动是关断速度快对EMI影响大?还是导通快时对EMI的影响大,那样我们就可以修改驱动电路。

修改后的驱动电路: 

                                                  驱动电路一

 

 

                                                 驱动电路二

驱动电路一,加快了导通速度;驱动电路二,加快了关断速度。

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cheng111
LV.11
11
2011-01-18 10:45
@ccps
[图片],描述有误,是开关管的吸收电路,可以调整驱动电路的Vge和Rg来减小EMI

在调整RG时,基本趋势,电阻越大,EMI就越好。但是我们也需要考虑对效率的影响。

如果我们能改善EMI的同时,也不过多的影响效率,不就是完美的电源。

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ccps
LV.7
12
2011-01-18 10:50
@cheng111
修改后的驱动电路:[图片]                                                  驱动电路一 [图片]                                                 驱动电路二驱动电路一,加快了导通速度;驱动电路二,加快了关断速度。
这样是两个驱动电路了,能不能既能控制关断速度又能控制开通速度呢?
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jepsun
LV.9
13
2011-01-18 10:51
@cheng111
在调整RG时,基本趋势,电阻越大,EMI就越好。但是我们也需要考虑对效率的影响。如果我们能改善EMI的同时,也不过多的影响效率,不就是完美的电源。
的确!电阻偏小,效率会有相应改善,而EMI可能会有些影响;偏大则反之。
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jepsun
LV.9
14
2011-01-18 10:53
@ccps
这样是两个驱动电路了,能不能既能控制关断速度又能控制开通速度呢?

反激里面,加快关断速度的还是居多。至于其他的拓扑,还真不是很清楚了~

期待楼下!

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ccps
LV.7
15
2011-01-18 10:57
@cheng111
修改后的驱动电路:[图片]                                                  驱动电路一 [图片]                                                 驱动电路二驱动电路一,加快了导通速度;驱动电路二,加快了关断速度。

 

上个图大师分析一下,看看既控制关断速度又控制开通速度的电路,可行性如何?可以进行调试以求得平衡点,实现EMI最小,效率最高吧

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cheng111
LV.11
16
2011-01-18 11:13
@ccps
这样是两个驱动电路了,能不能既能控制关断速度又能控制开通速度呢?

两个同时控制,上面的就可以了...
驱动电路一就加速导通减慢关断的...你可以分析分析。

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jepsun
LV.9
17
2011-01-18 11:15
@ccps
[图片] 上个图大师分析一下,看看既控制关断速度又控制开通速度的电路,可行性如何?可以进行调试以求得平衡点,实现EMI最小,效率最高吧
这个图还真是有点意思。你能不能把完整的文档传上来看看?
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cheng111
LV.11
18
2011-01-18 11:25
@ccps
[图片] 上个图大师分析一下,看看既控制关断速度又控制开通速度的电路,可行性如何?可以进行调试以求得平衡点,实现EMI最小,效率最高吧

这个不是和我上面的那个原理差不多吗?你是使用的不同电阻值了调节,但也是一大一小...

而上面驱动电路一就是关断驱动电阻大,导通电阻小;驱动电路二反之。

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2011-01-18 11:31
@cheng111
修改后的驱动电路:[图片]                                                  驱动电路一 [图片]                                                 驱动电路二驱动电路一,加快了导通速度;驱动电路二,加快了关断速度。
要想加快驱动,一般不用二极管,用电容最好
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ccps
LV.7
20
2011-01-18 11:36
@jepsun
这个图还真是有点意思。你能不能把完整的文档传上来看看?
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cheng111
LV.11
21
2011-01-18 11:45
@心中有冰
要想加快驱动,一般不用二极管,用电容最好
但是这里导通时间和关断时间只加快一中,使用电容是把两个都加快了。
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ccps
LV.7
22
2011-01-18 12:35
@cheng111
但是这里导通时间和关断时间只加快一中,使用电容是把两个都加快了。
到底确定要加快哪个?开通还是关断?希望大师能给详细的讲解一番~~然后才能确定使用哪个电路
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jepsun
LV.9
23
2011-01-18 13:21
@ccps
[图片]电磁兼容技术 
我对这个图的实用性,有些质疑!不过,要试验才知道。得去验证下!
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jepsun
LV.9
24
2011-01-18 13:22
@cheng111
这个不是和我上面的那个原理差不多吗?你是使用的不同电阻值了调节,但也是一大一小...而上面驱动电路一就是关断驱动电阻大,导通电阻小;驱动电路二反之。
原理的确是一样的。无非是开通电阻和关断电阻的大小调节。至于哪个更实用,还是得验证。
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cheng111
LV.11
25
2011-01-18 15:10
@ccps
到底确定要加快哪个?开通还是关断?希望大师能给详细的讲解一番~~然后才能确定使用哪个电路

就是现在还不知道对EMI的影响那个大?

如果在反激式电源中,加快导通时间对EMI没有什么影响,那我们就可以选择驱动电路一咯。

所以现在就在和大家一起讨论一下。

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ccps
LV.7
26
2011-01-18 15:16
@cheng111
就是现在还不知道对EMI的影响那个大?如果在反激式电源中,加快导通时间对EMI没有什么影响,那我们就可以选择驱动电路一咯。所以现在就在和大家一起讨论一下。
这个还得考实验吧,实践出真理
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cheng111
LV.11
27
2011-01-18 22:24

在这里讨论正激和反激两种吧,工作模式CCM和DCM。

 

在CCM模式下,开关管导通时的电流比关断时的电流小,这个时候应该关断对EMI的影响大。

不知道那位仁兄方便做实验测试的...

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cheng111
LV.11
28
2011-01-19 15:16
@cheng111
在这里讨论正激和反激两种吧,工作模式CCM和DCM。 在CCM模式下,开关管导通时的电流比关断时的电流小,这个时候应该关断对EMI的影响大。不知道那位仁兄方便做实验测试的...
帖子今天沉的真快,自己顶一下。
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ccps
LV.7
29
2011-01-19 15:42
@cheng111
在这里讨论正激和反激两种吧,工作模式CCM和DCM。 在CCM模式下,开关管导通时的电流比关断时的电流小,这个时候应该关断对EMI的影响大。不知道那位仁兄方便做实验测试的...
有做实验验证的吗?看来还得麻烦楼主亲自动手啦
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mengshi4376
LV.5
30
2011-03-24 10:13
@ccps
[图片] 上个图大师分析一下,看看既控制关断速度又控制开通速度的电路,可行性如何?可以进行调试以求得平衡点,实现EMI最小,效率最高吧

这个电路成本增加了,但是在速度的提升方面没有多大改善。

http://bbs.dianyuan.com/topic/640370?t=719#wraper此贴中有在驱动电阻两端并联无极性电容,其中的16贴大侠分析的很给力,电容不仅可以加速导通,也可以加速关断。

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mengshi4376
LV.5
31
2011-03-24 10:15
@cheng111
在这里讨论正激和反激两种吧,工作模式CCM和DCM。 在CCM模式下,开关管导通时的电流比关断时的电流小,这个时候应该关断对EMI的影响大。不知道那位仁兄方便做实验测试的...

楼主,请问下MOS关断时对EMI的影响是从哪方面考虑的

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