一个MOSFET的驱动电流怎么计算呢？

可以大概的计算一下：

I=(Vic-Vth)/R

Vic为IC输出电压，Vth为MOS开通的门限电压，R为驱动电阻和芯片输出阻抗。

那如果这么说的话其实驱动芯片一般给出的驱动电流其实不是你实际中的情况，而是需要根据你自己的驱动电阻等情况计算了

比如我用4452的话，虽然它的驱动能力比较大，但是如果我的驱动电压是10V，如果驱动电阻一共是10欧的话，那么我的驱动电流实际只有1安了。。。

是这样吗？？。。。

I = Qtotal/t

I = Vic*(Cigs+Cgd)/t

我去两者最大者来选择驱动IC

那如果你的驱动芯片选好了，开关管也选好了  我只是想算出驱动电流的话

这个时候是不是我楼上的答案呢？？

  这个I算的是平均电流，而且t的时间和驱动电阻的关系很大，这样是算不出来的。

那么如何来评估驱动G极的平均功耗以及Rg呢？

Rg 指的是什么，如果是输出阻抗就涉及的参数太多了，和IC有很大的关系，

G极的损耗就是Qg*Vg*fs

Rg是在驱动IC和G极之间串联的电阻

谁太大的话会炸MOSFET啊   是驱动电阻吗？

可是如果太小的话驱动上的刺会比较严重的啊

我目前取个10欧姆   算大么？？？

是驱动电阻，自己折中选择吧。

一方面EMI满足要求，电压应力也可以接受，另一方面效率，温升也不至于太差。

额  还是这个数值比较靠谱吧

我用的是10欧的

看看，在老外网上找到的

Maximum Maximum Drive Current: Background

是的,我一般是看VGS波形选择驱动电阻的

这个电阻越小，损耗越小。但可能引起EMI问题。

恩  了解

能举个例子讲解一下吧。

期待。。。

这个要看mos的栅荷系数Qg，一般的mos DATASHEET都提供这种曲线的。

然后根据驱动电路的电流和所要求的驱动上升时间，来计算这个驱动电阻。