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【讨论】开关电源主输出RC吸收电路对开关管VDS波形状况
阅读: 15030 |  回复: 61 楼层直达

2010/11/22 13:29:06
1
13551289398
电源币:24 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:18
LV4
连长

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电路如上图1、图2。

在图1中有功率电阻R11

两个电路的测试开关管的VDS波形  图1 VDS=580-600V  图2 VDS=520V左右,现在不知图2的的吸收电路怎么消耗热能,图2的电路我是在一个成品上看别人这样子用法。图1确是很多开源的用法。

 

标签 波形
2010/11/22 14:10:11
2
冰上鸭子
电源币:195 | 积分:0 主题帖:49 | 回复帖:1162
LV10
司令

第一种对后级整流管的尖峰抑制优于第二种.后面吸收多了,反射到前面的也就小了.

有点像"跷跷板"

2010/11/22 14:25:08
3
hlp330
电源币:113 | 积分:0 主题帖:14 | 回复帖:838
LV9
军长

看楼主的测试报告,第二种吸收的效果明显好于第一种。

2010/11/22 14:31:54
4
冰上鸭子
电源币:195 | 积分:0 主题帖:49 | 回复帖:1162
LV10
司令

hlp330团长 这个要权衡了,前面低了 后面就高了啊

2010/11/22 14:48:25
8
13551289398
电源币:24 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:18
LV4
连长
后面高了.主要对什么有影响是续流二极管的耐压及输出电容的耐压?
2010/11/22 14:50:23
10
冰上鸭子
电源币:195 | 积分:0 主题帖:49 | 回复帖:1162
LV10
司令

后极一般是超快恢复或肖特基整流管.

2010/11/27 16:09:12
27
jepsun
电源币:63 | 积分:0 主题帖:59 | 回复帖:762
LV9
军长
应该影响整流管的反压!
2010/11/26 21:08:28
24
holyfaith
电源币:132 | 积分:0 主题帖:32 | 回复帖:380
LV8
师长

我们还是很关注VDS的,这么看好像只要电容效果还好些?

大家唱说的都是用RC

2010/11/28 16:37:04
33
hk2007
电源币:437 | 积分:0 主题帖:14 | 回复帖:685
LV8
师长
是不是说只并C对MOS反压有利,但是对输出二极管的反压就不利了。调这个RC的时候,只看了输出二极管的反压,倒是没注意MOS的反压。
2010/11/22 14:37:40
5
13551289398
电源币:24 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:18
LV4
连长
从VDS的波形上来看,第二种优越于第一种,  从主输出的波形看第二种峰值高了30V现在问题看,能否改为第二种用法.
2010/11/22 14:42:34
6
冰上鸭子
电源币:195 | 积分:0 主题帖:49 | 回复帖:1162
LV10
司令

我没用过第二种,耐压够了应该可以吧.希望高手给你解答.

 

2010/11/22 14:45:38
7
hlp330
电源币:113 | 积分:0 主题帖:14 | 回复帖:838
LV9
军长
楼主说的主输出指的是什么?
2010/11/22 14:49:54
9
13551289398
电源币:24 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:18
LV4
连长

两组输出,就现在这组为主输出

后面高了.主要对什么有影响是续流二极管的耐压及输出电容的耐压?

2010/11/22 14:52:53
11
冰上鸭子
电源币:195 | 积分:0 主题帖:49 | 回复帖:1162
LV10
司令

后极一般是超快恢复或肖特基整流管.

是指对整流关的耐压,对输出电容应该也会有影响.

对铅酸电池也许会有好处!

2010/11/22 14:54:13
12
13551289398
电源币:24 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:18
LV4
连长

那就应该没有什么问题我后级用400V耐压的二极管

2010/11/22 14:55:05
13
hlp330
电源币:113 | 积分:0 主题帖:14 | 回复帖:838
LV9
军长

主要是对效率以及EMI的影响了。

2010/11/22 14:55:53
14
冰上鸭子
电源币:195 | 积分:0 主题帖:49 | 回复帖:1162
LV10
司令
是的
2010/11/22 15:06:53
15
13551289398
电源币:24 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:18
LV4
连长

充电器这玩意,效率要求不高,EMI也没有特别明显的要求,现在只求稳定!!!

我前期炸开关管,有点怕这玩意了

2010/11/22 15:10:31
16
冰上鸭子
电源币:195 | 积分:0 主题帖:49 | 回复帖:1162
LV10
司令
效率低损耗就高啊,损耗高了发热量就大,你说会不会稳定?
2010/11/22 16:09:29
17
13551289398
电源币:24 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:18
LV4
连长
现在整机功率147 W 输出电流2.35A输出电压59V  开关管温度很低,温升在30度左右
2010/11/22 16:21:10
18
冰上鸭子
电源币:195 | 积分:0 主题帖:49 | 回复帖:1162
LV10
司令
???????你测错了吧?效率94%?  是第二种图吗?
2010/11/22 16:29:37
19
心中有冰[荣誉版主]
电源币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅

我来说几句吧

这是个老生常谈的问题了,RC吸收VS 单个C吸收。

RC吸收是个阻尼吸收,怎么设定RC的参数,论坛里面做过很多的讨论,我以前的帖子里有,你可以去看看,注意出现欠阻尼与过阻尼的情况,因为EMI与效率都会影响这个参数的设定。

C吸收应该可以看成一个单纯的储能元件,利用电容两端的电压不能突变的特性来抑制突变的尖峰电压。

至于那种吸收对VDS的影响大小,你可以在同一个电源上抓次级整流二极管的波形跟前面MOSFET的VDS波形对比,就明白怎么回事了

2010/11/22 16:59:24
20
hlp330
电源币:113 | 积分:0 主题帖:14 | 回复帖:838
LV9
军长

楼主就测试一下这两种吸收时,整流二极管的波形跟前面MOSFET的VDS波形对比

把图贴上来看看啊。

2010/11/23 09:50:13
22
XXKGDY
电源币:0 | 积分:0 主题帖:11 | 回复帖:154
LV6
团长
学习中。
2010/11/27 16:12:31
28
jepsun
电源币:63 | 积分:0 主题帖:59 | 回复帖:762
LV9
军长

我周一去测试下!然后把图贴上来,有点兴趣!

问题在于整个系统的稳定。VDS参数,整个系统的稳定。也不能单纯的追求一个参数。

2010/11/27 16:16:12
29
冰上鸭子
电源币:195 | 积分:0 主题帖:49 | 回复帖:1162
LV10
司令

好的 等你的参数

2010/11/29 15:31:27
36
jepsun
电源币:63 | 积分:0 主题帖:59 | 回复帖:762
LV9
军长

楼主啊,单个C作为次级吸收,的确VDS比R+C要低。但是你测试的整流管的反压呢?应该高了不少吧?

至少我测试结果是这样!跷跷板哦~~~

黄色为1通道,VDS;

蓝色为2通道,肖特基反压。

2010/11/29 15:31:59
37
jepsun
电源币:63 | 积分:0 主题帖:59 | 回复帖:762
LV9
军长

R+C:

 

2010/11/29 15:33:31
38
jepsun
电源币:63 | 积分:0 主题帖:59 | 回复帖:762
LV9
军长

单个C做吸收:

肖特基的反压明显高出不少~VDS嘛,则降了不少。增加的和减少的,貌似差不多!

 

这个波形我应该调整下的,不好意思就这样上了~~

2010/12/03 12:42:29
50
bode
电源币:382 | 积分:0 主题帖:6 | 回复帖:662
LV9
军长

换了个吸收,环路震荡?不可思议。

还是兄弟你的示波器触发电平没调对?

2010/12/03 15:10:14
51
jepsun
电源币:63 | 积分:0 主题帖:59 | 回复帖:762
LV9
军长

两个图我记得是同一块板子的。如果是同一个板子,那就是示波器没调好!

另一个板子用飞兆的FAN6753做的,波形就这样。N多人说是传说中的抖频导致。见帖子:http://bbs.dianyuan.com/topic/602108#wraper

后来一直没搞定,直接换IC了!

2011/12/07 15:35:34
55
bigbigeasy
电源币:131 | 积分:0 主题帖:1 | 回复帖:281
LV6
团长

为啥我的反压反而都低了?

2012/02/13 10:26:20
57
chaihongwei
电源币:14 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:6
LV2
班长

新手  学习!

 

2010/11/27 19:40:25
30
835041560
电源币:0 | 积分:0 主题帖:15 | 回复帖:94
LV5
营长

我用的是第二种,用第二种时MOS管的VDS降到540V左右,用第一种,VDS降不下来,且电阻很烫。

2010/11/28 10:15:56
31
心中有冰[荣誉版主]
电源币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅
这说明你的RC参数设计不到位
2010/11/29 15:36:02
39
jepsun
电源币:63 | 积分:0 主题帖:59 | 回复帖:762
LV9
军长

你这个很烫的电阻?是次级整流管吸收电阻吗?

你电阻是1206的嘛?还是电容取的太大了?

2010/11/29 15:39:00
40
jepsun
电源币:63 | 积分:0 主题帖:59 | 回复帖:762
LV9
军长
那你用第一种时,你的VDS有多少?
2010/12/03 08:18:29
49
yong168
电源币:8 | 积分:0 主题帖:24 | 回复帖:476
LV7
旅长
我赞同你的说法。这也关联到一个共振周期的问题,,RC的选值对于整个系统来说所起的作用,继续关注中
2010/11/26 21:09:56
25
holyfaith
电源币:132 | 积分:0 主题帖:32 | 回复帖:380
LV8
师长

单单从功耗上看,加了R,消耗能量是不是效率也低了

2010/11/27 09:57:36
26
心中有冰[荣誉版主]
电源币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅

单从理论上来说,这个电阻起阻尼的作用,是需要消耗能量的

但从整个电源系统上来说,却是不一定降低效率,因为它抑制了振荡,其他的元件的损耗小了,所以大多数的情况下都加RC吸收

2012/05/18 17:33:32
59
elven_boy
电源币:104 | 积分:0 主题帖:4 | 回复帖:51
LV4
连长

顶你个

2010/11/22 19:54:20
21
power99se
电源币:0 | 积分:0 主题帖:2 | 回复帖:6
LV1
士兵
**此帖已被管理员删除**
2010/11/26 19:06:56
23
chendelei
电源币:17 | 积分:0 主题帖:106 | 回复帖:504
LV9
军长
学习.
2010/11/28 10:59:25
32
bode
电源币:382 | 积分:0 主题帖:6 | 回复帖:662
LV9
军长

怎么没看到楼主的图啊?

我觉得还是第一种吸收比较好吧,第二种吸收阻尼比较小,损耗却不一定小,第一种吸收,能量被R吸收掉了。参数配置的好,不仅不会降低效率,还可能提高效率~

2010/11/29 09:07:05
34
hlp330
电源币:113 | 积分:0 主题帖:14 | 回复帖:838
LV9
军长
这个是不是一种跷跷板?前面MOS的电压降下来了,后面二极管的反压就上去了?
2010/11/29 13:55:24
35
冰上鸭子
电源币:195 | 积分:0 主题帖:49 | 回复帖:1162
LV10
司令
你自己测下看看呢?
2010/11/29 22:15:25
41
yineibo2009
电源币:0 | 积分:0 主题帖:10 | 回复帖:133
LV5
营长
学习中
2010/11/30 09:07:27
42
心中有冰[荣誉版主]
电源币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅
不是这样的,RC吸收不是将能量返回初级端,而是将多余的能量吸收,消耗掉,可以理解为“钳位”
2010/11/30 09:21:25
43
冰上鸭子
电源币:195 | 积分:0 主题帖:49 | 回复帖:1162
LV10
司令
冰版:我认为RC只是选择性吸收掉部分能量.部分反射到初级,而单独C接受了更多的峰值电压.
2010/11/30 15:08:23
44
hlp330
电源币:113 | 积分:0 主题帖:14 | 回复帖:838
LV9
军长
这个要看RC的取值,如果取值合适的话,可以敲好吸收掉电压的漏感尖峰值
2010/12/01 19:32:19
45
perterlong
电源币:27 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:297
LV6
团长

默默记住了。TKS

2010/12/02 10:37:27
46
心中有冰[荣誉版主]
电源币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅
如果你愿意,可以完全将尖峰削平
2010/12/02 16:12:09
47
jepsun
电源币:63 | 积分:0 主题帖:59 | 回复帖:762
LV9
军长
那会影响效率的吧~~~
2010/12/02 22:37:35
48
bode
电源币:382 | 积分:0 主题帖:6 | 回复帖:662
LV9
军长

要是将尖峰削平,需要较大的电容,而电容越大,在电阻上的损耗就会越大。

实际中我们也没必要削平吧?

2011/01/12 17:21:18
52
liuhou
电源币:271 | 积分:0 主题帖:40 | 回复帖:1209
LV9
军长
是的,这就和初级MOS的吸收一样,只是RCD的电容够大,MOS的尖峰也可消掉,但电阻就热了。很多时候都是做一个折中,比如,效率与EMI,铁损与铜损。
2011/01/13 17:58:24
53
入门级学徒
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:11
LV2
班长

开关电源压根就是众多矛盾的整体

2011/03/07 22:18:10
54
junestar520
电源币:952 | 积分:0 主题帖:26 | 回复帖:484
LV9
军长
一直默默看帖学习中,.....
2011/12/07 16:11:30
56
zq2007
电源币:174 | 积分:0 主题帖:122 | 回复帖:3590
LV11
统帅
MOS的Vds和次级肖特基的耐压在最初设计时就应该考虑的,这样后面实际测试时就不用花很大功夫来处理。
2012/11/15 10:26:00
61
aczg01987
电源币:184 | 积分:0 主题帖:137 | 回复帖:1593
LV10
司令

的却没削平

 

2012/05/18 13:33:56
58
waterayay
电源币:407 | 积分:0 主题帖:7 | 回复帖:472
LV7
旅长
2012/09/15 11:12:49
60
dongshitong
电源币:17 | 积分:0 主题帖:4 | 回复帖:10
LV2
班长
二图不建议哦,只加电容D9可能变成慢恢复二极体了哦,那么初级能量可能在D9导通一次内积聚了两倍甚至更多倍的能量无处释放,最后压在MOS上导致悲剧....
2012/11/15 12:20:01
62
chendelei
电源币:17 | 积分:0 主题帖:106 | 回复帖:504
LV9
军长
没有这样测试做过对比。
2018/07/12 12:24:54
63
wei_huanghmh
电源币:338 | 积分:2 主题帖:11 | 回复帖:62
LV4
连长
     反激式开关电源是有此现象,图二和图一比,图二会将初级侧MOS上的Vds压得比较低,但次级侧整流二极管上的反向电压就会变高,和大家说的翘翘板一样。
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