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【讨论】开关电源主输出RC吸收电路对开关管VDS波形状况

  

电路如上图1、图2。

在图1中有功率电阻R11

两个电路的测试开关管的VDS波形  图1 VDS=580-600V  图2 VDS=520V左右,现在不知图2的的吸收电路怎么消耗热能,图2的电路我是在一个成品上看别人这样子用法。图1确是很多开源的用法。

 

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2010-11-22 14:10

第一种对后级整流管的尖峰抑制优于第二种.后面吸收多了,反射到前面的也就小了.

有点像"跷跷板"

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hlp330
LV.9
3
2010-11-22 14:25
@冰上鸭子
第一种对后级整流管的尖峰抑制优于第二种.后面吸收多了,反射到前面的也就小了.有点像"跷跷板"

看楼主的测试报告,第二种吸收的效果明显好于第一种。

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2010-11-22 14:31
@hlp330
看楼主的测试报告,第二种吸收的效果明显好于第一种。

hlp330团长 这个要权衡了,前面低了 后面就高了啊

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2010-11-22 14:37
@冰上鸭子
第一种对后级整流管的尖峰抑制优于第二种.后面吸收多了,反射到前面的也就小了.有点像"跷跷板"
从VDS的波形上来看,第二种优越于第一种,  从主输出的波形看第二种峰值高了30V现在问题看,能否改为第二种用法.
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2010-11-22 14:42
@13551289398
从VDS的波形上来看,第二种优越于第一种, 从主输出的波形看第二种峰值高了30V现在问题看,能否改为第二种用法.

我没用过第二种,耐压够了应该可以吧.希望高手给你解答.

 

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hlp330
LV.9
7
2010-11-22 14:45
@冰上鸭子
我没用过第二种,耐压够了应该可以吧.希望高手给你解答. 
楼主说的主输出指的是什么?
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2010-11-22 14:48
@冰上鸭子
hlp330团长这个要权衡了,前面低了后面就高了啊
后面高了.主要对什么有影响是续流二极管的耐压及输出电容的耐压?
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2010-11-22 14:49
@hlp330
楼主说的主输出指的是什么?

两组输出,就现在这组为主输出

后面高了.主要对什么有影响是续流二极管的耐压及输出电容的耐压?

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冰上鸭子
LV.10
10
2010-11-22 14:50
@13551289398
后面高了.主要对什么有影响是续流二极管的耐压及输出电容的耐压?

后极一般是超快恢复或肖特基整流管.

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冰上鸭子
LV.10
11
2010-11-22 14:52
@13551289398
两组输出,就现在这组为主输出后面高了.主要对什么有影响是续流二极管的耐压及输出电容的耐压?

后极一般是超快恢复或肖特基整流管.

是指对整流关的耐压,对输出电容应该也会有影响.

对铅酸电池也许会有好处!

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13551289398
LV.4
12
2010-11-22 14:54
@冰上鸭子
后极一般是超快恢复或肖特基整流管.是指对整流关的耐压,对输出电容应该也会有影响.对铅酸电池也许会有好处!

那就应该没有什么问题我后级用400V耐压的二极管

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hlp330
LV.9
13
2010-11-22 14:55
@冰上鸭子
后极一般是超快恢复或肖特基整流管.是指对整流关的耐压,对输出电容应该也会有影响.对铅酸电池也许会有好处!

主要是对效率以及EMI的影响了。

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冰上鸭子
LV.10
14
2010-11-22 14:55
@hlp330
主要是对效率以及EMI的影响了。
是的
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13551289398
LV.4
15
2010-11-22 15:06
@冰上鸭子
是的

充电器这玩意,效率要求不高,EMI也没有特别明显的要求,现在只求稳定!!!

我前期炸开关管,有点怕这玩意了

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冰上鸭子
LV.10
16
2010-11-22 15:10
@13551289398
充电器这玩意,效率要求不高,EMI也没有特别明显的要求,现在只求稳定!!!我前期炸开关管,有点怕这玩意了
效率低损耗就高啊,损耗高了发热量就大,你说会不会稳定?
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13551289398
LV.4
17
2010-11-22 16:09
@冰上鸭子
效率低损耗就高啊,损耗高了发热量就大,你说会不会稳定?
现在整机功率147 W 输出电流2.35A输出电压59V  开关管温度很低,温升在30度左右
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冰上鸭子
LV.10
18
2010-11-22 16:21
@13551289398
现在整机功率147W输出电流2.35A输出电压59V 开关管温度很低,温升在30度左右
???????你测错了吧?效率94%?  是第二种图吗?
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2010-11-22 16:29
@冰上鸭子
我没用过第二种,耐压够了应该可以吧.希望高手给你解答. 

我来说几句吧

这是个老生常谈的问题了,RC吸收VS 单个C吸收。

RC吸收是个阻尼吸收,怎么设定RC的参数,论坛里面做过很多的讨论,我以前的帖子里有,你可以去看看,注意出现欠阻尼与过阻尼的情况,因为EMI与效率都会影响这个参数的设定。

C吸收应该可以看成一个单纯的储能元件,利用电容两端的电压不能突变的特性来抑制突变的尖峰电压。

至于那种吸收对VDS的影响大小,你可以在同一个电源上抓次级整流二极管的波形跟前面MOSFET的VDS波形对比,就明白怎么回事了

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hlp330
LV.9
20
2010-11-22 16:59
@心中有冰
我来说几句吧这是个老生常谈的问题了,RC吸收VS单个C吸收。RC吸收是个阻尼吸收,怎么设定RC的参数,论坛里面做过很多的讨论,我以前的帖子里有,你可以去看看,注意出现欠阻尼与过阻尼的情况,因为EMI与效率都会影响这个参数的设定。C吸收应该可以看成一个单纯的储能元件,利用电容两端的电压不能突变的特性来抑制突变的尖峰电压。至于那种吸收对VDS的影响大小,你可以在同一个电源上抓次级整流二极管的波形跟前面MOSFET的VDS波形对比,就明白怎么回事了

楼主就测试一下这两种吸收时,整流二极管的波形跟前面MOSFET的VDS波形对比

把图贴上来看看啊。

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power99se
LV.1
21
2010-11-22 19:54
**此帖已被管理员删除**
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XXKGDY
LV.6
22
2010-11-23 09:50
@hlp330
楼主就测试一下这两种吸收时,整流二极管的波形跟前面MOSFET的VDS波形对比把图贴上来看看啊。
学习中。
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chendelei
LV.8
23
2010-11-26 19:06
@power99se
**此帖已被管理员删除**
学习.
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holyfaith
LV.8
24
2010-11-26 21:08
@冰上鸭子
hlp330团长这个要权衡了,前面低了后面就高了啊

我们还是很关注VDS的,这么看好像只要电容效果还好些?

大家唱说的都是用RC

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holyfaith
LV.8
25
2010-11-26 21:09
@心中有冰
我来说几句吧这是个老生常谈的问题了,RC吸收VS单个C吸收。RC吸收是个阻尼吸收,怎么设定RC的参数,论坛里面做过很多的讨论,我以前的帖子里有,你可以去看看,注意出现欠阻尼与过阻尼的情况,因为EMI与效率都会影响这个参数的设定。C吸收应该可以看成一个单纯的储能元件,利用电容两端的电压不能突变的特性来抑制突变的尖峰电压。至于那种吸收对VDS的影响大小,你可以在同一个电源上抓次级整流二极管的波形跟前面MOSFET的VDS波形对比,就明白怎么回事了

单单从功耗上看,加了R,消耗能量是不是效率也低了

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2010-11-27 09:57
@holyfaith
单单从功耗上看,加了R,消耗能量是不是效率也低了

单从理论上来说,这个电阻起阻尼的作用,是需要消耗能量的

但从整个电源系统上来说,却是不一定降低效率,因为它抑制了振荡,其他的元件的损耗小了,所以大多数的情况下都加RC吸收

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jepsun
LV.9
27
2010-11-27 16:09
@13551289398
后面高了.主要对什么有影响是续流二极管的耐压及输出电容的耐压?
应该影响整流管的反压!
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jepsun
LV.9
28
2010-11-27 16:12
@hlp330
楼主就测试一下这两种吸收时,整流二极管的波形跟前面MOSFET的VDS波形对比把图贴上来看看啊。

我周一去测试下!然后把图贴上来,有点兴趣!

问题在于整个系统的稳定。VDS参数,整个系统的稳定。也不能单纯的追求一个参数。

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冰上鸭子
LV.10
29
2010-11-27 16:16
@jepsun
我周一去测试下!然后把图贴上来,有点兴趣!问题在于整个系统的稳定。VDS参数,整个系统的稳定。也不能单纯的追求一个参数。

好的 等你的参数

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835041560
LV.5
30
2010-11-27 19:40
@jepsun
我周一去测试下!然后把图贴上来,有点兴趣!问题在于整个系统的稳定。VDS参数,整个系统的稳定。也不能单纯的追求一个参数。

我用的是第二种,用第二种时MOS管的VDS降到540V左右,用第一种,VDS降不下来,且电阻很烫。

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2010-11-28 10:15
@835041560
我用的是第二种,用第二种时MOS管的VDS降到540V左右,用第一种,VDS降不下来,且电阻很烫。
这说明你的RC参数设计不到位
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