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关于LLC死区时间的讨论!!!

关于LLC死区时间的问题,不知他在电路中具体影响到哪个因素,我现在开关频率为240K,最先死区取得是120ns,现在因为怕管子来不及反应,当然也是听了有些工程师的建议,把死区时间调大了一些,调到260  ns ,我从仿真下来看的话电流有效值和输出电压平均值也没有什么差异,但是死区对电路的影响,我能想到的跟ZVS有关外,不知与效率等等的因素关系大不大??

还有就是我的LLC随着负载加重,谐振频率会变小,这个一直没想明白,谐振频率理应不是应该不变的嘛,不知谁可以作出个明确的解释呢??

期待中。。。

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zero3210
LV.7
2
2010-11-01 11:44
兄弟 你死区时间是通过什么调节的
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2010-11-01 13:31
@zero3210
兄弟你死区时间是通过什么调节的

是通过外面的电阻调节的

我用的是TI的UCC25600芯片

可以比较大的范围内调节死区时间

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zero3210
LV.7
4
2010-11-01 15:21
@simonjimmy
是通过外面的电阻调节的我用的是TI的UCC25600芯片可以比较大的范围内调节死区时间
学习了 谢谢
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2010-11-01 17:02
@zero3210
学习了谢谢
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2010-11-01 17:55

死区时间调大,原边有效值电流会增大,但一般死区都很小,相对于开关周期来说几乎可以忽略,所以基本上看不到什么反应。死区太小的话,有可能会实现不了软开关。

不知道你怎么看到的谐振频率,LLC的谐振频率是不会随负载变化的,你看到变化的是开关频率吧。

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2010-11-01 19:38
@fly
死区时间调大,原边有效值电流会增大,但一般死区都很小,相对于开关周期来说几乎可以忽略,所以基本上看不到什么反应。死区太小的话,有可能会实现不了软开关。不知道你怎么看到的谐振频率,LLC的谐振频率是不会随负载变化的,你看到变化的是开关频率吧。

恩  我的死区时间从150ns增大到260ns从仿真的角度看对原边有效值的影响是很小的

是这样的  在轻载的时候  通过设定开关频率我让LLC工作在谐振点(这个可以从原边的电流波形去判断),然后我加载至满载,我的开关频率保持不变,但是这个时候的原边电流的波形看起来就是大于谐振点的情况了。。。而且增益也下降了,在谐振点处增益不是不随负载变化的么??

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2010-11-02 14:49
@simonjimmy
恩 我的死区时间从150ns增大到260ns从仿真的角度看对原边有效值的影响是很小的是这样的 在轻载的时候 通过设定开关频率我让LLC工作在谐振点(这个可以从原边的电流波形去判断),然后我加载至满载,我的开关频率保持不变,但是这个时候的原边电流的波形看起来就是大于谐振点的情况了。。。而且增益也下降了,在谐振点处增益不是不随负载变化的么??
在谐振点处增益不是不随负载变化是理论上是这样,但是当负载不同的时候,副边的压降也是不同的,你所需要的增益也是变化的,频率当然是变化的
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2011-11-04 20:56
@fly
在谐振点处增益不是不随负载变化是理论上是这样,但是当负载不同的时候,副边的压降也是不同的,你所需要的增益也是变化的,频率当然是变化的
死间时间跟效率有关系吗??
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guojiyan_28
LV.1
10
2011-11-16 16:48
@fly
死区时间调大,原边有效值电流会增大,但一般死区都很小,相对于开关周期来说几乎可以忽略,所以基本上看不到什么反应。死区太小的话,有可能会实现不了软开关。不知道你怎么看到的谐振频率,LLC的谐振频率是不会随负载变化的,你看到变化的是开关频率吧。

死区时间太小,则原边励磁电流增大,否则抽不走MOS管输出电容的电荷,实现不了ZVS,所以死区时间不易太小,FLY团长,您说对吗?

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yopoo
LV.2
11
2012-01-10 23:02
@guojiyan_28
死区时间太小,则原边励磁电流增大,否则抽不走MOS管输出电容的电荷,实现不了ZVS,所以死区时间不易太小,FLY团长,您说对吗?

嗯,ZVS的条件就是谐振电流将DS电容电荷抽走体二极管打通,电流与死区时间的积分,

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gongzijun
LV.1
12
2013-03-23 16:42
@fly
死区时间调大,原边有效值电流会增大,但一般死区都很小,相对于开关周期来说几乎可以忽略,所以基本上看不到什么反应。死区太小的话,有可能会实现不了软开关。不知道你怎么看到的谐振频率,LLC的谐振频率是不会随负载变化的,你看到变化的是开关频率吧。

死区时间我觉得要去的平衡,太小了,不能把MOS上电容的电荷抽完。太大了会导致抽MOS上电容的能量耗干,就是抽走了管子还没有开通,这时候电又会充起来。也就是所说的欠谐振和过谐振,这样不能形成ZVS

其次,太大了,影响效率。太小了有直通的危险

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2013-04-17 12:04
@gongzijun
死区时间我觉得要去的平衡,太小了,不能把MOS上电容的电荷抽完。太大了会导致抽MOS上电容的能量耗干,就是抽走了管子还没有开通,这时候电又会充起来。也就是所说的欠谐振和过谐振,这样不能形成ZVS其次,太大了,影响效率。太小了有直通的危险

我现在设置的死区时间是200ns,从saber仿真上看  直通了,要改死区时间,怎么弄呢?

现在实现不了ZVS  干着急

能帮我一下么

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nykyd
LV.1
14
2013-10-20 14:37
请问你的死区时间是怎么设置的,我想用vpulse实现pwm,但死区时间不会设置,能给解答下吗?
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井立超
LV.1
15
2017-05-19 16:00
@nykyd
请问你的死区时间是怎么设置的,我想用vpulse实现pwm,但死区时间不会设置,能给解答下吗?
应用中 MOS 管两端存在寄生电容,为实现开关 MOS 管的 ZVS 导通,寄生电容内的电量必须在死区时间内释放完毕
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