谁能说一下如上图驱动管前的D32二极管在电路中的作用吗,谢谢了
加快栅极电容的放电速度，加速关断
是的,但我不知到有多大的效果
关断速度对效率的影响还是蛮大的，对EMI也有不小的影响。
10W以下机种确实可以不要此二极管；其它的不要，除非你并联的电阻比较小，否则肯定会影响效率。另外，常用以下的方式，通过调整RG1阻值大小来调整关断速度，对EMI,效率进行调整、折衷。
我见过小功率板子上用过,但是不知到加Rg1是什么目的?
阻尼二极管震荡的吧 （猜的）
谢谢大家了
同样是调整关段速度的啊。因为都处在关断回路上，另外，你也发现，R11阻值比较小，就是因为取值大了影响效率，但EMI好。如果效率余量足，就可以加大此电阻来改善EMI。
而开通的电阻R10阻值可大些，抑制震荡，它对效率、EMI的影响比较小。
此处的mos，其Vgs有个范围，即+/-30V，所以ZD101就是保护GS不被击穿。
R109的作用不是很清楚，最好加上，防止误动作，一般10K左右。相关介绍如下：
ZD101不要应该是可以的，我们这都没加这个稳压管。IC的驱动电压还不至于能达到30V吧。
R109还是加上好些，贴片电阻价格还能接受。
要真有这么高的驱动电压，那还是加上个稳压管保险些……
大家都是在互相学习和交流
R109感觉应该是模电里以前提到的，增加输入电阻，使输入信号能更好的提供给管子。
记得之前有个帖子中提到过，说这个电阻还兼有一个功能，那就是在电源停止的时候，将GS两端寄生电容的电给释放完，然后能够在电源启动的时候更加安全。小弟对这个说法也是很支持。
应该是的
正确的说法应该是，降低了MOS输入阻抗，以防止D-G结电容将G级充至高电平，使MOS管产生误动作。大家将MOS管G级悬空，DS加正向电压，做个实验就明白了
的确是的，谢谢提醒啊。
FET的GS阻值很大，并联一个10K的应该是减小输入阻抗了。
在GS没有其他放电回路的情况下，R109是必须要加的，否则在DS上电的情况下容易造成mos损坏
