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高等数学
LV.10
2
2010-10-27 13:46
用的28070？交错？
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zvszcs
LV.12
3
2010-10-27 13:57
@高等数学
用的28070？交错？
不是，刚才拆开看一下，考，两个MOS并联，再并联三个IGBT
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zvszcs
LV.12
4
2010-10-27 13:57
@zvszcs
不是，刚才拆开看一下，考，两个MOS并联，再并联三个IGBT

pfc二极管4个并联，

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高等数学
LV.10
5
2010-10-27 14:19
@zvszcs
pfc二极管4个并联，

采样的是什么芯片？

说的是5个管子并联？2MOS+3IGBT?

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zvszcs
LV.12
6
2010-10-27 14:30
@高等数学
采样的是什么芯片？说的是5个管子并联？2MOS+3IGBT?

是的

 

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zvszcs
LV.12
7
2010-10-27 14:31
@zvszcs
是的 
UC2854
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高等数学
LV.10
8
2010-10-27 14:38
@zvszcs
UC2854

这芯片不了解，在UC3854后面出的？

这么并联的话，驱动是不是有什么特别设计？

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zvszcs
LV.12
9
2010-10-27 15:02
@高等数学
这芯片不了解，在UC3854后面出的？这么并联的话，驱动是不是有什么特别设计？

有的，驱动蛮多器件的

 

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高等数学
LV.10
10
2010-10-27 15:14
@zvszcs
有的，驱动蛮多器件的 

能否说说开关管这么并的理由？

如何实现之间的均流？

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zvszcs
LV.12
11
2010-10-27 15:35
@高等数学
能否说说开关管这么并的理由？如何实现之间的均流？
正在研究
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zvszcs
LV.12
12
2010-10-27 15:37
@zvszcs
pfc二极管4个并联，
4个二极管还不一样，3个一样的，一个30A/600V，三个12A/600V并联
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高等数学
LV.10
13
2010-10-27 15:44
@zvszcs
4个二极管还不一样，3个一样的，一个30A/600V，三个12A/600V并联

成本的控制？？

又有均流的问题，疑惑中。。。

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on_the_way_li
LV.9
14
2010-10-27 16:53

关注。。

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yacasu119
LV.2
15
2010-10-27 18:37
@高等数学
这芯片不了解，在UC3854后面出的？这么并联的话，驱动是不是有什么特别设计？
2854和3854是同一个芯片，工业和民用的区别
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showgold
LV.2
16
2010-10-27 20:31
@zvszcs
正在研究
这怎么实现均流啊，，持续关注！  
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贴片机
LV.8
17
2010-10-27 21:03
@zvszcs
4个二极管还不一样，3个一样的，一个30A/600V，三个12A/600V并联
奇怪的用法，关注中。。。
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liuhou
LV.9
18
2010-10-28 08:55
@on_the_way_li
关注。。
MOS和IGBT并联，这个还是头回听说，那驱动怎么弄
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让你记得我的好
LV.10
19
2010-10-28 09:20
@liuhou
MOS和IGBT并联，这个还是头回听说，那驱动怎么弄

估计驱动还是分开的，让IGBT先导通先关断，MOS后导通后关断。这样可以利用IGBT导通损耗低的优点，同时，因为IGBT先关断，关断时MOS还开着，这样IGBT的电流拖尾问题就不是问题了。而MOS关断快，关断时结电容还能起着缓冲作用，关断损耗低。

所以这么用可以利用两个元件的优势互补，把缺点改善。

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zvszcs
LV.12
20
2010-10-28 09:23
@让你记得我的好
估计驱动还是分开的，让IGBT先导通先关断，MOS后导通后关断。这样可以利用IGBT导通损耗低的优点，同时，因为IGBT先关断，关断时MOS还开着，这样IGBT的电流拖尾问题就不是问题了。而MOS关断快，关断时结电容还能起着缓冲作用，关断损耗低。所以这么用可以利用两个元件的优势互补，把缺点改善。

高，好像有个延时电路在驱动电路内

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zvszcs
LV.12
21
2010-11-01 09:30
@让你记得我的好
估计驱动还是分开的，让IGBT先导通先关断，MOS后导通后关断。这样可以利用IGBT导通损耗低的优点，同时，因为IGBT先关断，关断时MOS还开着，这样IGBT的电流拖尾问题就不是问题了。而MOS关断快，关断时结电容还能起着缓冲作用，关断损耗低。所以这么用可以利用两个元件的优势互补，把缺点改善。
 
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zvszcs
LV.12
22
2010-11-01 09:31
@zvszcs
[图片] 
IGBT先导通，先关闭，时间约为600nS
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showgold
LV.2
23
2010-11-05 16:38
@让你记得我的好
估计驱动还是分开的，让IGBT先导通先关断，MOS后导通后关断。这样可以利用IGBT导通损耗低的优点，同时，因为IGBT先关断，关断时MOS还开着，这样IGBT的电流拖尾问题就不是问题了。而MOS关断快，关断时结电容还能起着缓冲作用，关断损耗低。所以这么用可以利用两个元件的优势互补，把缺点改善。
高高！！震撼教育
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shenyang0628
LV.4
24
2010-11-05 21:37
@让你记得我的好
估计驱动还是分开的，让IGBT先导通先关断，MOS后导通后关断。这样可以利用IGBT导通损耗低的优点，同时，因为IGBT先关断，关断时MOS还开着，这样IGBT的电流拖尾问题就不是问题了。而MOS关断快，关断时结电容还能起着缓冲作用，关断损耗低。所以这么用可以利用两个元件的优势互补，把缺点改善。
厉害，
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shenyang0628
LV.4
25
2010-11-05 21:38
@让你记得我的好
估计驱动还是分开的，让IGBT先导通先关断，MOS后导通后关断。这样可以利用IGBT导通损耗低的优点，同时，因为IGBT先关断，关断时MOS还开着，这样IGBT的电流拖尾问题就不是问题了。而MOS关断快，关断时结电容还能起着缓冲作用，关断损耗低。所以这么用可以利用两个元件的优势互补，把缺点改善。
好版分析的很精辟，顶！
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高等数学
LV.10
26
2010-11-05 22:06
@zvszcs
IGBT先导通，先关闭，时间约为600nS
驱动问题解决了，均流方面再详细说说。
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xmullp
LV.4
27
2010-11-06 09:41
@shenyang0628
好版分析的很精辟，顶！[图片]
，学习下
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贴片机
LV.8
28
2010-11-06 10:20

仔细看了图片，3KW,输入用两只整流桥，散热片好像也不大，不知可靠性如何呢？

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he29
LV.4
29
2010-11-06 10:39
@xmullp
[图片]，学习下
楼主能否告知一下这个PFC电路的体积有多大？频率是多少K？电感是EE55的吗？学习中请赐教！
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he29
LV.4
30
2010-11-06 10:42
@贴片机
仔细看了图片，3KW,输入用两只整流桥，散热片好像也不大，不知可靠性如何呢？
这个也是3KW的电源，有PFC电路，整机的体积很小，（300*75*130）MM
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he29
LV.4
31
2010-11-06 10:43
@he29
这个也是3KW的电源，有PFC电路，整机的体积很小，（300*75*130）MM
 
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