关于肖特基余量选择:MOS波形严重畸变!请指教！

初级15匝，次级4匝，那么高压输入时，耐压肯定是不够的。

另外，你有个概念搞错了，并联并不能增加耐压。

你可以采用MBR20150，耐压不就够了吗？

哦！并联不能够提高耐压！是！是我弄错了！2个电容并联也不能提高耐压的！

有想过用20150的!

那请教“让你记得你的好”：如果采用2个20100的并联，有什么好处呢？降低单个发热量？还是提升寿命？

并联的好处是可以使电流容量更大。但是由于肖特基二极管也是负温度系数的，温度越高，正向压降越低，那么并联工作，电流分配就越不均衡。所以，二极管的并联要小心。一般不赞成并联使用。

并联的另一个好处，是散热面积增加一倍。寿命也就得到提升了。

嗯！非常感谢！猜也是为了散热！

那好！准备用20150啦！

需要纠正一点，元器件降额使用的帖子是“让你记得我的好”版主发的，好版主辛辛苦苦为大家作出的贡献，我不敢窃取其功劳

你的匝比取得太小，造成次级的电压过高，如果输出12V的话，匝比控制在5.5-6.5应该是比较合理的，此时初级MOS管与次级整流管的耐压都兼顾了，次级用20100绝对没有问题，而且单个就好了。我的15V 6A也用20100，量产没有问题。

不好意思，好版主。是我太糊涂。在此向好版主道歉。

是的，我的变压器匝比只有3.75。是小了点。既然你的12V/6A可以用。那我也用20100的。好像一个150的价格是100的3倍。也不知道是否属实？

那请问冰版主：能否把您变压器的绕法告诉我?包括各个绕组的顺序。

我现在的顺序是（从里到外）：主功率、初级地、输出绕组、输出绕组、辅助绕组、主功率。主功率绕组分两段绕的，输出绕组也是分两段。初级15圈，次级8圈。

但是下午我用示波器测试肖特基的反压，只有66V左右。并且是在240V输入的时候。我很纳闷。

示波器应该没有问题。是刚到货的泰克 DPO3012  .100M的。我把示波器的钩子勾住阴极，夹子夹住阳极。然后读取峰峰值。直流耦合。

这是什么原因饿?根据公司计算出来，240V输入，应该是100V左右的反压才对啊。

我的绕线顺序是Np/2,Ns,Nb,屏蔽,Np/2，其实就是个普通的三明治绕法而已

EMC过EN55014，最小处的余量在7个db

其实EMC是个综合考虑的东西，不是那一个方面能够解决EMC的问题

这样。

那我再考量下。谢谢。

告诉你一个我的算法

0.8Vd>Vinmax/N+Vo

0.8Vmos>N(Vo+Vf)+Vinmax

其中，Vd：二极管最大反向耐压

         Vinmax：输入最高直流电压

         Vinmin：输入最低直流电压

         N：匝比

         Vmos：MOSFET的Vds最高耐压

         Vo：输出电压

         Vf:次级整流二极管的压降

不要问我公式怎么来的，你自己慢慢思考，仔细推敲，养成这个习惯对你有好处

可以的！

昨天的示波器刚到的泰克 DPO3012，不怎么会用！稍晚些我把图贴上来。

应该是没有测错的！我是让负责送货的那个支持工程师帮我测的！应该不会错！就是把钩子和夹子固定在肖特基的两极上，直流耦合看峰峰值嘛！

我的这个测试的反压是按照初级30匝，次级8匝的！我在发帖时意外把初级写成了15匝，次级写成了4匝！这是我的疏忽！不好意思！

赞同冰版的建议。匝比太小，建议初级加到40-48T，次级不变。（个人设计喜欢匝数比较多）。

5A的输出，20A的管子够了，TO-220的封装应该会加散热片的吧。还有就是尽量让电源工作在CCM模式，峰值电流会小很多。

膜拜　　

不好意思！冰版主！

我真该打！笔记本键盘用的忒不习惯！不好意思！

好版主，现在贴上肖特基反压波形图！

这贴的图怎么不完全呐~！是不是坛子对图片的格式有限制？还是大小有限制？