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关于LLC电感之电压尖峰过高的解决方法---请教

在LLC设计过程中，我将开关频率设计在谐振频率以下，这样在上下管一起关断期间LLC回路出现了比较大的的DI/DT（看是给M OS结电容充电所致)，导致电感上的电压突变到600V左右（电压尖峰）。长期工作，谐振电感的温度过高，导致绝缘层融化，出现了电感高压打火，然后就短路了，

将LLC设计在FR=FS时此现象就好了，但是会引起增益不够。

 

如有遇到此问题的朋友希望能一起探讨一下，希望高手们留下联系方式，我会一一请教。

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fly
2
2010-08-14 09:08

把你LLC的电路参数发上来啊。怀疑你都进入容性区了

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hong_chen
LV.4
3
2010-08-14 22:00
@fly
把你LLC的电路参数发上来啊。怀疑你都进入容性区了
没进入容性区， 以下是波形， 
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hong_chen
LV.4
4
2010-08-14 22:06
@hong_chen
没进入容性区， 以下是波形，[图片] 
 
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hong_chen
LV.4
5
2010-08-14 22:11
@hong_chen
[图片] 
 
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hong_chen
LV.4
6
2010-08-15 08:01
@hong_chen
[图片] 
高手们，回个贴啊
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fly
7
2010-08-15 09:08
@hong_chen
[图片] 
从这个波形上看，好像是你的激磁电感的感量不够，其存储的能量在死区时间内急剧减小引起的。
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peterchen0721
LV.8
8
2010-08-15 10:26
@hong_chen
没进入容性区， 以下是波形，[图片] 
已經進入DCM工作區，因為綠色電流曲線已經有平台。請問你的線路有SR功能嗎?
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peterchen0721
LV.8
9
2010-08-15 10:28
想要FR=FS先考量你的圈比問題，要讓圈比增益先<1才能確保FS>FR。
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hong_chen
LV.4
10
2010-08-15 21:37
@peterchen0721
想要FR=FS先考量你的圈比問題，要讓圈比增益先FR。

我的线路有SR。2次是DCM，工作在CCM，效率会好点，但是需提高增益。

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hong_chen
LV.4
11
2010-08-15 21:47
@hong_chen
我的线路有SR。2次是DCM，工作在CCM，效率会好点，但是需提高增益。

对于FLY的回答，我也觉得有可能，但是我增大主变压器感量一倍此现象依然存在，倒是调整FR或FS效果还好点，特别是当FR=FS时此现象就消失了，如果是励磁能量过小，那当FR=FS时为什么就好了呢。

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呆头鹅
LV.7
12
2010-08-15 22:32
@hong_chen
对于FLY的回答，我也觉得有可能，但是我增大主变压器感量一倍此现象依然存在，倒是调整FR或FS效果还好点，特别是当FR=FS时此现象就消失了，如果是励磁能量过小，那当FR=FS时为什么就好了呢。

给出原理图和时序，包括SR驱动，怀疑和SR驱动时序不当有关

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peterchen0721
LV.8
13
2010-08-16 09:13
@hong_chen
我的线路有SR。2次是DCM，工作在CCM，效率会好点，但是需提高增益。
問題出在SR時間太長沒有隨線路進入DCM而縮減SR ON時間，請問主控制IC為何？SR是外兜的線路還是與主控IC一起？
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peterchen0721
LV.8
14
2010-08-16 09:20
@hong_chen
我的线路有SR。2次是DCM，工作在CCM，效率会好点，但是需提高增益。
增益的提高是要克服HOLD TIME對吧，那就改變Lm/Lr比值就可以辦到。但是先決條件還是要先確定n匝比，因為跟主控IC設定的頻率範圍有關，還有相位補償也有影響，這些因素會讓一次側(原邊)電流波看起來歪斜。以上提供參考。
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hong_chen
LV.4
15
2010-08-17 07:11
@peterchen0721
增益的提高是要克服HOLDTIME對吧，那就改變Lm/Lr比值就可以辦到。但是先決條件還是要先確定n匝比，因為跟主控IC設定的頻率範圍有關，還有相位補償也有影響，這些因素會讓一次側(原邊)電流波看起來歪斜。以上提供參考。
sr用的是IR168是监测电流过0开通关断的，所以是DCM的，不会存在SR时间按过长的可能，peter能否告诉我你的MAIL，我给你发线路和相关测试波形，
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zhangtao3b608
LV.8
16
2011-01-04 10:56

关注中

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dreamer662006
LV.8
17
2011-01-10 16:48
你是陈春宏？
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hong_chen
LV.4
18
2011-02-20 12:37
@dreamer662006
你是陈春宏？
是啊，怎么？
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fushichun
LV.4
19
2011-04-18 22:54
@hong_chen
是啊，怎么？
兄弟，调好了吗？我现在的电路和你的工作波形太像了，不知道要怎么调了。
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yixiu8210
LV.1
20
2013-08-07 14:43
@fushichun
兄弟，调好了吗？我现在的电路和你的工作波形太像了，不知道要怎么调了。

几年前的帖子了，不知道LZ最后怎样把问题解决了？我现在遇到的问题跟LZ的一样，目前正在向LLC变压器和外置电感的寄生参数研究，看看能否解决问题。

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hong_chen
LV.4
21
2013-08-30 09:27
@yixiu8210
几年前的帖子了，不知道LZ最后怎样把问题解决了？我现在遇到的问题跟LZ的一样，目前正在向LLC变压器和外置电感的寄生参数研究，看看能否解决问题。

呵呵。1.可以适当增加励磁电感，使死区是时间的励磁电流充电速度放慢，这样可以降低电感上电压的突变。 但是此处要注意实现ZVS的条件，即在TDEAD时间内要完成2个MOS DS电容的充放电。 

2.被动一点的方式。可以在电感的绕线过程中避开电感气息处，避开3倍气息的位置，以此避免变化的磁场在绕线上产生的涡流损耗。

 

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