MOSFET并联，驱动线优先考虑等长还是尽量短？

那就是等长更重要了。

现在驱动线（包括驱动+回流地线）长度300mm，如果从计算延时的角度考虑，即便两个MOSFET的驱动线路长度差也是300mm，延时也只是ns级。而ns级的延时，对50us的开关周期的功率管来说，重要吗？

不重要。

但是我很担心线路太长会有振荡。

其实.如果担心此问题,

1.线够粗,就不必担心了.

2.干扰问题,旁边再铺上地.相信干扰会好很多.

谢谢，振荡的问题之前确实没有考虑到。

驱动线比较粗，电路板是四层板，驱动线下方有回流地线层。

以个人经验来说

主功率电路尽量等长，以避免主MOS管的发热不均

驱动电路线长点倒不是什么大问题，关键是驱动电阻要尽量靠近MOS管，以将线路的驱动振荡衰减

大电流电路的路径拐弯时的角度不要太小，否则会有比较麻烦的EMI问题

关键是要让MOS同步，不然的放，先开通的就发热，很快就坏了。再可以GE之间加个小电容，不能太大

老兄您好。

请问这样的电路板功率管怎么散热比较合适？ 我们现在是MOS管下边加绝缘垫片，然后用螺钉固定，但这样工艺性太差。有没有比较好的散热的方式推荐？

谢谢。

才20K50A60V！居然搞的如此复杂！简直不知在秀还是挑战自我！

现在单个TO-220的FET就能搞定了！

看看这个：irfs4010-7ppbf 

直接贴在PCB上；PCB下垫些软橡胶绝缘垫到散热器就可以了！

50A 是当前的使用需求，受限于功率端子等因素，将来希望扩展到150Arms。

我考虑过 IPB027N10N3 G，英飞凌的管子，2.7mohm的导通电阻，封装跟您推荐的一样。

但他们推荐做成铝基板，暂时没想动。

不是CoolMOS，CoolMOS是英飞凌的高压产品。

100V的是OptiMOS

兄弟您可IR的大功率MOS管做过并联设计，是采用铝基板吗？困扰我的是如何进行功率部分的连接。

兄弟，请看120A以上电流的布线

老兄，能不能给我一个实物看看，看图看不太清楚。

我的邮箱：c166.org@gmail.com, 谢谢了。

只是这个图不清楚。

我倒没觉得这些东西是核心技术，我们自己的图片就发了一些。我们核心的还是控制参数和软件算法。

这个不是和50us来比的，对于导通损耗来说，先导通，后导通，差的就是那么一点点，微不足道。关键是开关损耗，先开通的管子要承受开通损耗，后关断的管子要承受关断损耗。

老兄，您的120A是有效值吗？

郁闷了，50A刚刚好，现在客户又要求搞个1000Arms的MOSFET并联方案。

接插件部分就找不到北了。